• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
• /
• pp.533-534
• /
• 2012

Colloidal III-V semiconductor nanocrystal quantum dots (NQDs) have attracted attention as they can be applied in various areas such as LED, solar cell, biological imaging, and so on because they have decreased ionic lattices, lager exciton diameter, and reduced toxicity compared with II-VI compounds. However, the study and application of III-V semiconductor nanocrystals is limited by difficulties in control nucleation because the molecular bonds in III-V semiconductors are highly covalent compared to II-VI compounds. There is a need for a method that provides rapid and scalable production of highly quality nanoparticles. We present a new synthetic scheme for the preparation of InP nanocrystal quantum dots using new phosphorus precursor, P(SiMe2tbu)3. InP nanocrystals from 530nm to 600nm have been synthesized via the reaction of In(Ac)3 and new phosphorus precursor in noncoordinating solvent, ODE. This opens the way for the large-scale production of high quality Cd-free nanocrystal quantum dots.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
• /
• pp.92-92
• /
• 2010

Replacing the existing illumination with solid-state lighting devices, such as light-emitting diodes (LEDs) are expected to reduce energy consumption and environmental pollution as they provide better efficiency and longer lifetimes. Currently, white light emitting diodes are composed of UV or blue LED with down-converting materials such as highly luminescent phosphors White light-emitting diodes (LED) were fabricated with multi-shell nanocrystal quantum dots for enhanced luminance and improved stability over time. Multi-shell quantum dots (QDs) were synthesized through one pot process by using the Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) method. As prepared, the multi-shell QD has cubic lattice of zinc-blend structure with semi-spherical shape with quantum yield of higher than 60 % in solution. Further, highly fluorescent multi-shell QD was deposited on the blue LED, which resulted in QD-based white LED with high luminance with excellent color rendering properties.

• 공업화학
• /
• 제28권5호
• /
• pp.571-575
• /
• 2017

본 연구에서는 초음파 조사법을 사용하여 cadmium telluride (CdTe) 양자점을 합성하였다. 전구체의 비율과 합성 시간을 주 변수로 하여 그에 따른 CdTe 양자점의 광학적 특성과 구조적 특성을 분석하였다. 모든 cadmium (Cd)과 tellurium(Te) 함량비율의 실험에서 합성 시간이 증가함에 따라 CdTe 양자점의 성장에 의해 밴드갭 감소현상이 관찰되었고, 발광 특성을 확인한 결과 510~610 nm 파장 범위에서 장파장으로 이동함을 보였다. 또한 Te의 비율이 증가함에 따라 장파장이동이 빠르게 일어나는 것을 확인하였다. Photoluminescence (PL) 피크 강도를 확인하였을 때 합성시간이 180 min~240 min 사이에서 가장 높은 강도를 보였다. X-ray diffraction (XRD)와 transmission electron microscopy (TEM)으로 구조적 특성을 확인한 결과 zinc blend 구조의 CdTe 양자점을 나타내었으며, 합성시간이 210 min일 때 양자점의 크기는 약 2.5 nm로 균일하게 분산되어 있었으며 fast fourier transform (FFT) 이미지를 확인한 결과 뚜렷한 결정성을 확인하였다.

• ETRI Journal
• /
• 제26권5호
• /
• pp.475-480
• /
• 2004

Self-assembled InAs quantum dots (QDs) embedded in an InAlGaAs matrix were grown on an InP (001) using a solid-source molecular beam epitaxy and investigated using transmission electron microscopy (TEM) and photoluminescence (PL) spectroscopy. TEM images indicated that the QD formation was strongly dependent on the growth behaviors of group III elements during the deposition of InAlGaAs barriers. We achieved a lasing operation of around 1.5 ${\mu}m$ at room temperature from uncoated QD lasers based on the InAlGaAs-InAlAs material system on the InP (001). The lasing wavelengths of the ridge-waveguide QD lasers were also dependent upon the cavity lengths due mainly to the gain required for the lasing operation.

• 멤브레인
• /
• 제30권5호
• /
• pp.293-306
• /
• 2020

물 부족을 포함한 기후 변화의 해로운 결과는 효과적인 정수에 대한 관심을 가져왔다. 또한, 수질 오염 수준이 높아지고 환경 파괴 수준이 심해지면서 오염 물질을 제거하려는 방안들이 요구되고 있다. 물을 정화하기 위해 반투막을 통한 삼투압 절차들을 사용할 수 있으며, 최근 연구에 따르면 탄소 양자점(CQD), 그래핀 양자점(GQD) 및 산화 그래핀 양자점(GOQD)을 포함한 나노입자를 복합 박막(TFC)에 합체하면 유사한 수준의 염 거부율을 유지하면서 물흐름을 증가시킬 수 있다. 이러한 효과 외의 여러 가지 효과가 있지만 그 중에서도 친수성을 높이고, 살균 성질을 보이고, 방오 특성으로 인해 박테리아 및 기타 미생물의 축적을 방지하면서 막의 효과가 감소하는 것을 막는 것을 보여준다. 이 보고서는 양자점이 합체된 정수용 복합 막에서 양자점의 제조 과정, 응용, 기능성, 성질 및 역할을 논의한다.

• Journal of Korean Vacuum Science & Technology
• /
• 제4권1호
• /
• pp.27-32
• /
• 2000

We have studied the carrier relaxation of InAs/GaAs modulation-doped quantum dots depending on the excitation wavelength and modulation-doping concentration by using the time-ressolved spectroscopy. At the excitation below GaAs barrier band gap, the relaxation processes become very slow, implying to observe the phonon bottleneck effects. On the other hand, at the excitation far above GaAs band gap, phonon bottleneck effects are broken down due to Auger processes. Increasing modulation-doping concentration, the relaxation times, by virtue of Coulomb scattering between electrons in GaAs doped layer and carriers in InAs quantum dots, are observed to become fast.

• 한국진공학회지
• /
• 제18권3호
• /
• pp.208-212
• /
• 2009

MBE법으로 성장된 InAs/AlAs 양자점(quantum dots; QD) 구조의 광학적 특성을 photoreflectance(PR) 이용하여 조사하였다. Wetting layer(WL) 두께에 따른 전체 장벽의 폭이 달라짐에 따라 GaAs 완충층 및 WL 신호의 세기가 변화되었다. QD 층이 식각된 시료의 상온 PR측정 결과로부터 $1.1{\sim}1.4\;eV$ 영역의 완만한 신호는 InAs QDs과 WL에 관련된 신호임을 알았다. 온도 $450{\sim}750^{\circ}C$범위에서 열처리 시켰을 때 WL층의 PR 신호가 red shift하였는데, 이는 열처리 후 InAs WL와 AlAs층 사이에 Al과 In의 내부 확산에 의해 양자점의 크기가 균일하게 재분포 되고, WL의 임계 두께가 증가하였음을 나타낸다.

• 한국광학회지
• /
• 제17권3호
• /
• pp.278-284
• /
• 2006

본 연구에서는 광통신 시스템에서의 고속변조를 위하여 사용되는 전계광학 변조기를 구현하기 위하여 InAs 양자점(Quantum Dots)을 변조영역으로 하는 전계광학 변조기를 설계, 제작하였다. 제작한 양자점 전계광학 변조기에서 1550 nm의 파장을 가지는 입력광의 변조 특성을 측정하여 벌크(Bulk)형태의 변조영역을 가지는 동일한 구조의 전계광학 변조기와 비교하였다. 위상변조효율은 TE 모드에서 $333.3^{\circ}/V{\cdot}mm$, TM 모드에서 $300^{\circ}/V{\cdot}mm$ 로 측정되었으며, 기존의 벌크로 변조영역이 구성된 전계광학 변조기와 동일한 소자구조를 가지는 전계광학 변조기에 비해 편광의존도가 낮으며 위상변조효율이 20배 이상 향상된 결과를 얻었으며, 양자우물구조에 비하여는 3배 이상의 높은 위상변조효율을 얻었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제35권6호
• /
• pp.547-555
• /
• 2022

Color conversion layer refers to a layer that converts the blue light emitted from the backlight into the red and green light. Heavy metal-free quantum dots and perovskite nanocrystals have attracted great attention as base materials for color conversion layers due to their outstanding optical characteristics. Here, we review recent advances in the development of color conversion layers based on quantum dots. First, we overview the representative optical characteristics of quantum dots and perovskite nanocrystals, and then introduce printing techniques for color converting layers including photolithography, inkjet printing, and nanoimprinting. Finally, we conclude this review with a brief perspective.

• 전기화학회지
• /
• 제10권4호
• /
• pp.257-261
• /
• 2007

The electronic properties of quantum dots can be tuned by changing the size of particles without any change in their chemical composition. CdSe quantum dots, the sizes of which were controlled by changing the concentrations of Cd and Se precursors, were adsorbed on $TiO_2$ photoelectrodes and used as sensitizers for photovoltaic cells. For applications of CdSe quantum dot as sensitizers, $CdSe/TiO_2$ films on conducting glass were employed in a sandwich-type cell that incorporated a platinum-coated conductive glass and an electrolyte consisting of an $I^-/I_3^-$ redox. The fill factor (FF) and efficiency for energy conversion ($\c{c}$) of the photovoltaic cell was 62 % and 0.32 %, respectively.