양자점 기술은 나노연구 관점에서 벌크 재료에 대한 보완적 응용과 고유한 특성을 활용한 응용의 폭이 넓어 융합기술로서 의미가 크다. 양자점 기술의 발전과 더불어 기술성, 사업성, 시장성에 기반한 현황 분석이 매우 중요하고, 이에 본 연구는 특허, 논문, 시장 및 산업, 국가 R&D 과제 정보를 활용한 4P 분석 방법을 적용하여 양자점 연구의 동향을 파악하고자 한다. 연구의 결과물은 양자점 연구의 방향 설정, 전략 수립에 활용될 수 있는 기초 정보를 제공한다. 특히 특허와 논문 분석을 통해 양자점 연구 성과를 파악하고, 급격한 성장세를 보이는 응용 분야와 사업화를 견인하고 있는 응용 분야를 도출하였다. 또한 선진 연구와 국내 연구 동향을 비교하여 국내 양자점 연구 현황을 진단할 수 있는 초석을 제공하였다는 점에서 본 연구가 의미를 갖는다.
최근 양자점 (Quantum Dot-QD)에 대한 관심이 기초 물리학뿐만 아니라 광전소자 응용 측면에서 많은 주목을 끌고 있다. 특히, 자발 형성방법으로 성장시킨 양자점 (Self-assembled QD)을 이용하여 Laser Diode와 같은 광소자에 응용한 결과가 발표되고 있다. 이러한 자발형성 방법으로 성장한 양자점을 광통신에 응용하기 위해서는 발광파장을 제어할 필요성이 있다. 따라서 본 연구에서는 단거리 광통신에 응용 될 수 있는 1.3 $\mu$m 영역과 장거리 광통신에 사용하는 1.55 $\mu$m 영역으로 InAs 양자점의 발광 파장을 변조한 결과에 대하여 분석하였다. (중략)
Arsenic interruption growth (AIG)법을 이용하여 GaAs 기판에 성장한 InAs 양자점(quantum dots, QDs)의 광학적 특성을 PL (photoluminescence)과 time-resolved PL을 이용하여 분석하였다. AIG법은 InAs 양자점 성장 동안 In 공급은 계속 유지하면서 셔텨(shutter)를 이용해서 As 공급과 차단을 조절하는 방법이다. 본 연구에서는 As 공급과 차단을 1초(S1), 2초(S2), 또는 3초(S3) 동안 반복하여 성장한 InAs QDs과 As 차단 없이 성장한 기준시료(S0)를 사용하였다. AIG법으로 성장한 시료들의 PL 세기는 기준시료보다 모두 강하게 나타나고, As 차단 시간에 따라 PL 피크는 적색이동(redshifted) 또는 청색이동 (blueshifted)하여 나타났다. 기준시료 S0의 PL 피크와 비교하였을 때 S1의 PL 피크의 적색이동은 양자점 평균 길이가 S0보다 증가하였기 때문이며, S3의 청색이동은 양자점 평균 길이가 S0보다 감소하였기 때문이다. AIG법으로 성장한 QDs 시료들의 PL 세기의 증가는 cluster의 감소, 양자점 밀도의 증가, 균일도의 향상, 종횡비(aspect ratio) 향상으로 설명된다. 온도에 따른 PL 세기와 PL 피크 에너지, PL 소멸 시간과 발광 파장에 따른 PL 소멸 시간을 측정하였다. As 공급과 차단을 2초로 하였을 때 cluster는 전혀 나타나지 않았고 양자점의 밀도는 증가하였으며 균일도와 종횡비도 향상되었다. 또한 S2는 가장 강한 PL 세기와 가장 긴 소멸 시간을 나타내었다. 이러한 결과는 AIG법을 이용하여 InAs 양자점의 크기, 조밀도, 균일도, 종횡비 등을 조절하여 원하는 파장대의 양자점을 성장할 수 있으며 발광 특성도 향상시킬 수 있음을 확인하였다.
Sung, Sang Do;Lim, Iseul;Kim, Myung Soo;Lee, Wan In
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제34권2호
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pp.411-414
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2013
In order to enhance the photovoltaic property of the CdS/CdSe co-sensitized quantum dot sensitized solar cells (QDSSCs), the surface of nanoporous $TiO_2$ photoanode was modified by ultrathin $Al_2O_3$ layer before the deposition of quantum dots (QDs). The $Al_2O_3$ layer, dip-coated by 0.10 M Al precursor solution, exhibited the optimized performance in blocking the back-reaction of the photo-injected electrons from $TiO_2$ conduction band (CB) to polysulfide electrolyte. Transient photocurrent spectra revealed that the electron lifetime (${\tau}_e$) increased significantly by introducing the ultrathin $Al_2O_3$ layer on $TiO_2$ surface, whereas the electron diffusion coefficient ($D_e$) was not varied. As a result, the $V_{oc}$ increased from 0.487 to 0.545 V, without appreciable change in short circuit current ($J_{sc}$), thus inducing the enhancement of photovoltaic conversion efficiency (${\eta}$) from 3.01% to 3.38%.
본 논문에서는 수용성의 CdSe/ZnS 양자점을 합성하고 이에 항체기능성을 도입하여 lateral flow immunoassay (LFIA) 플랫폼에 융합하여 폐암 질병진단에 활용 가능한 단백질 바이오마커[예: 인간 혈청 아밀로이드 A-1 (hSAA1)]의 농도 분석에 적용하고자 한다. 면역분석법 센서 스트립은 니트로셀룰로오즈 막에 테스트라인과 대조라인으로 각각 항hSAA1 단일클론항체(10G1)(anti-hSAA1)와 항chicken IgY (anti-chicken IgY)를 스프레이하여 제작하였다. 이와 함께, 유기상에서 합성된 CdSe/ZnS 양자점은 카르복실기로 변형된 알케인티올기를 이용한 리간드 교환방법으로 수용성으로 전환하였으며, 이에 타겟 단백질인 hSAA1에 특이적으로 결합 가능한 항체인 항hSAA1 단일클론항체(14F8)로 컨쥬게이션하여 형광검출용 입자[QDs-anti hSAA1 (14F8)]로 사용하였다. 제작된 LFIA 스트립 위에 순차적으로 다른 농도의 hSAA1과 QDs-anti hSAA1 (14F8)의 복합체를 흘려주면, 테스트라인에 anti hSAA1 (10G1)/hSAA1/QDs-anti hSAA1 (14F8) 샌드위치 복합체가 형성되어 양자점에 의한 발광신호가 검출됨을 측정하였다. 최적화된 측방흐름이 가능한 완충용액 조건에서 100 nM 농도의 hSAA1 단백질의 유무를 5 min 안에 눈으로 확인 가능하였다.
Photoluminescent porous silicon (PSi) were prepared by an electrochemical etch of n-type silicon under the illumination with a 300 W tungsten filament bulb for the duration of etch. The red photoluminescence emitting at 620 nm with an excitation wavelength of 450 nm is due to the quantum confinement of silicon nanocrystal in porous silicon. As-prepared PSi was sonicated, fractured, and centrifuged in toluene to obtain photoluminescence silicon quantum dots. BET and BHJ methods were employed to study the specific surface area of as-prepared PSi. Optical characterization of red photoluminescent silicon nanocrystal was investigated by UV-vis and fluorescence spectrometer. Also SEM and TEM images of porous silicon and nanoparticles were investigated.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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