Controlling the emission wavelength of self-assembled InAs quantum dots

자발형성 InAs 양자점의 발광파장 변조

  • 김진수 (한국전자통신연구원 반도체·원천기술연구소 광통신소자연구부) ;
  • 이진홍 (한국전자통신연구원 반도체·원천기술연구소 광통신소자연구) ;
  • 홍성의 (한국전자통신연구원 반도체·원천기술연구소 광통신소자연구) ;
  • 곽호상 (한국전자통신연구원 반도체·원천기술연구소 광통신소자연구) ;
  • 한원석 (한국전자통신연구원 반도체·원천기술연구소 광통신소자연구) ;
  • 김종희 (한국전자통신연구원 반도체·원천기술연구소 광통신소자연구) ;
  • 오대곤 (한국전자통신연구원 반도체·원천기술연구소 광통신소자연구부)
  • Published : 2003.02.01

Abstract

최근 양자점 (Quantum Dot-QD)에 대한 관심이 기초 물리학뿐만 아니라 광전소자 응용 측면에서 많은 주목을 끌고 있다. 특히, 자발 형성방법으로 성장시킨 양자점 (Self-assembled QD)을 이용하여 Laser Diode와 같은 광소자에 응용한 결과가 발표되고 있다. 이러한 자발형성 방법으로 성장한 양자점을 광통신에 응용하기 위해서는 발광파장을 제어할 필요성이 있다. 따라서 본 연구에서는 단거리 광통신에 응용 될 수 있는 1.3 $\mu$m 영역과 장거리 광통신에 사용하는 1.55 $\mu$m 영역으로 InAs 양자점의 발광 파장을 변조한 결과에 대하여 분석하였다. (중략)

Keywords