초고진공 전자 사이클로트론 화학 기상 증착 장치에 의한 저온 실리콘 에피 성장에 기판 DC 바이어스가 미치는 영향 (The Effect of Substrate DC Bias on the Low -Temperature Si homoepitaxy in a Ultrahigh Vacuum Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition)
-
- 한국진공학회지
- /
- 제2권4호
- /
- pp.501-506
- /
- 1993