Relation of Conduction Path and Subthreshold Swing for Doping Profile of Asymmetric Double Gate MOSFET (비대칭 DGMOSFET의 도핑분포함수에 따른 전도중심과 문턱전압이하 스윙의 관계)
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- Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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- v.18 no.8
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- pp.1925-1930
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- 2014