FPD 투명 도전막의 제조에 핵심소재로 사용되는 타겟재의 개발동향을 TCO 물질 중에서 현재 가장 널리 사용되고 있는 ITO 타겟 개발의 관점으로 살펴보았다. ITO 투명 도전막은 다른 TCO 물질에 비해 높은 전기 전도도 및 높은 투과율로 인해 지속적인 사용이 예상되며, 이에 대응 가능한 고밀도 및 고효율 ITO 타겟의 개발이 진행 중이다. 또한 ITO 투명도전막의 우수한 특성에 따라 지속적인 인듐 자원의 수요증가와 이에 따른 인듐 자원의 고갈우려로 ITO 타겟을 대체할 수 있는 대체제의 개발이 진행 중에 있다.
ITO는 평판디스플레이에서 사용되어지고 있는 대표적인 실용화 투명전극재료로서, ITO박막은 DC 마그네트론 스퍼터링법에 의해 생산되어지고 있다. 이러한 마그네트론 스퍼터링법을 사용할 경우, 캐소드 자장의 강도나 모양은 박막의 물성에 많은 영향을 미치게 된다. 본 논문에서는 외장형 마그네트론과 내장형 마그네트론을 장착한 캐소드를 사용하여 증착한 ITO박막에 대하여 열처리에 따른 박막의 물성변화에 대하여 연구하였다.
Ordered array of gold nanoparticles (Au NPs) over ITO glass was investigated in terms of ITO pretreatment, particle size, and diamines with different chain length. Owing to the indium-tin-oxide (ITO) layer coated on the glass, the substrate surface has a limited number of hydroxyl groups which can produce functionalized amine groups for Au binding, which resulted in the loosely-packed array of Au NPs on the ITO surface. Diamine ligand as a molecular linker was introduced to enhance the lateral binding of adjacent Au NPs immobilized on the amine-functionalized ITO glass, consequently leading to the densely-packed array of Au NPs over the ITO substrate. The molecular bridging effect was strengthened with the increase of chain length of diamines: C-12 > C-8. The packing density of small Au NPs (< 40 nm) was significantly increased with the increase of C-8 diamine, but large Au NPs (> 60 nm) did not produce densely-packed array on the ITO glass even for the dosage of C-12 diamine.
Indium tin oxide (ITO) thin films have been deposited on PET (polyethylene terephthalate) and glass substrates by a do magnetron sputter method of powder target without heat treatments such as substrate heater and post heat treatment. During the sputtering deposition, sputtering parameters such as sputtering power, working pressure, oxygen gas mixture, film thickness and substrate-target distance are important factors for the high quality of ITO thin films. The structural, electrical and optical properties of as-deposited ITO oxide films are investigated by sputtering power, oxygen partial pressure and films thickness among the several sputtering conditions. XRD patterns of ITO films are affected by sputtering power and pressure. As the power and pressure are increased, (411) and (422) peaks of ITO films are grown strongly. Electrical resistivity is also increased, as the sputtering power and pressure are increased. Transmittance of ITO thin films in the visible light ranges is lowered with an increase of sputtering power and film thickness. Reflectance of ITO films in infra-red region is decreased, as the power and pressure is increased.
GZO/ITO double layered films were deposited on unheated non-alkali glass substrates by RF magnetron sputtering using an ITO ($SnO_2$: 10 wt%) and GZO($Ga_2O_3$: 5.57 wt%) ceramic targets, respectively. The electrical resistivity of GZO/ITO films depends on the thickness ratio between the GZO film and ITO film. With increasing ITO film thickness, the resistivity of GZO/ITO films decreased which due to large increase in the Hall mobility. Also, the crystallinity of GZO/ITO film was improved with an increase in ITO thickness which was evaluated by X-ray diffraction. The average transmittance of the films was more than 85% in the visible region, which is slightly higher than ITO single layer films.
We has been analysed optical properties of OLED(organic light emitting diode) and characteristics of ITO(Indium Tin Oxide) in terms of $O_2$ plasma treatment for manufacturing high efficiency OLED, RF power of $O_2$ plasma was changed 25, 50, 100, 200 W. $O_2$ gas flow, gas pressure and treatment time were fixed. Sheet resistance and surface roughness of ITO were measured by Hall-effect measurement system and AFM, respectively. The ranges of sheet resistance and surface roughness were $5.5{\sim}6,06\;{\Omega}$ and $2.438{\sim}3.506\;nm$ changing of RF power, respectively, PM(Passive Matrix)OLED was fabricated with the structure of ITO(plasm treatment)/TPD($400\;{\AA}$)/$Alq_3(600\;{\AA})$/LiF($5\;{\AA}$)/Al($1200\;{\AA}$). Turn-on voltage of PMOLED was 7 V and luminance was $7,371\;cd/m^2$ at the RF power of 25 W, $O_2$ plasma treatment of ITO surface was result in lowering the operating voltage and improving luminance of PMOLED.
Kim, Hong Tak;Nguyen, Thao Phoung Ngoc;Park, Chinho
Current Photovoltaic Research
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제3권4호
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pp.112-115
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2015
In this study, the surface of ITO films was modified using $N_2-O_2$ molecular plasma, and the effects of oxygen concentration in the plasma on the ITO surface properties were investigated. Upon plasma treatment of ITO films, the surface roughness of ITO films seldom changed up to the oxygen concentration in the range of 0% to 40%, while the roughness of the films slightly changed at or above the oxygen concentration of 60%. The contact angle of water droplet on ITO films dramatically changed with varying oxygen concentration in the plasma, and the minimum value was found to be at the oxygen concentration of 20%. The plasma resistance at this condition exhibited a maximum value, and the change of resistance showed an inverse relationship compared to that of contact angle. From these results, it was conjectured that the chemical reactions in the sheath of the molecular plasma dominated more than the physical actions due to energetic ion bombardment, and also the plasma resistance could be used as an indirect indicator to qualitatively diagnosis the state of plasma during the plasma treatment.
최근 indium tin oxide (ITO)의 높은 전기 전도도 및 광투과율을 이용하여 줄 발열을 기초로 하는 투명 면상 발열체에 대한 연구가 활발히 진행 되고 있다. 하지만 단일 ITO박막으로 제작한 투명 면상 발열체는 다양한 문제점들을 가지고 있다. 따라서 본 연구에서는 단일 ITO박막을 이용한 투명 면상 발열체의 단점을 보완하기 위하여 하이브리드 구조 투명 면상 발열체를 제작하여 금속 삽입층의 두께에 따른 전기전도도, 광투과율, 면 발열성능을 평가 하였다. 그 결과 하이브리드 구조의 투명 면상발열체의 발열량, 온도 균일성 등이 기존의 단일 ITO 박막의 투명 면상 발열체보다 효율이 크게 향상 된 것을 확일 할 수 있었다.
The characteristics of a co-sputtered indium zinc tin oxide (IZTO) films prepared by dual target dc magnetron sputtering from IZO and ITO targets at a room temperature are investigated. Film properties, such as sheet resistance, optical transmittance, surface work function and surface roughness were examined as a function of ITO dc power at constant IZO dc power of 100 W. It was shown that the increase of the ITO dc power during co-sputtering of ITO and IZO target resulted in an increase of sheet resistance of the IZTO films. This can be attributed to high resistivity of ITO film prepared at room temperature. Surface smoothness and roughness were investigated by Scanning Electron Microscopy (SEM) and Atomic Force Microscopy (AFM). The synchrotron x-ray scattering results obtained from IZTO film with different ITO contents showed that introduction of ITO atoms into amorphous IZO film resulted in a crystallization of IZTO film with (222) preferred orientation due to low alc transition temperature of ITO film. However, the transmittance of the IZTO films with thickness of 150 nm is between 80 and 85 % at wavelength of 550 nm regardless of ITO content. Possible mechanism to explain the ITO and IZO co-sputtering effect on properties of IZTO is suggested.
The influence of on ion beam irradiation to the indium tin oxide (ITO) substrate on the performance of the organic light-emitting diodes (OLEDs) was studied. ITO films were used as the transparent anode of OLEDs with poly(2-methoxy-5-(2'-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene) (MEH-PPV) as a hole-injection/transport layer. Oxygen and argon plasma treatment of ITO resulted in a change in the work function and the chemical composition. For plasma treated ITO anodes, the device efficiency clearly correlated with the value of the work function. We also discussed the implications of our experimental study in relation to the modification of the ITO surface composition, transmittance, reflectance, and water contact angle (WCA).
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[게시일 2004년 10월 1일]
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