• 한국표면공학회지
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• 제47권5호
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• pp.227-232
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• 2014

In this study, we propose the application of doping process technology for atmospheric pressure plasma. The plasma treatment means the wafer is warmed via resistance heating from current paths. These paths are induced by the surface charge density in the presence of illuminating Argon atmospheric plasmas. Furthermore, it is investigated on the high-concentration doping to a selective partial region in P type solar cell wafer. It is identified that diffusion of impurities is related to the wafer temperature. For the fixed plasma treatment time, plasma currents were set with 40, 70, 120 mA. For the processing time, IR(Infra-Red) images are analyzed via a camera dependent on the temperature of the P type wafer. Phosphorus concentrations are also analyzed through SIMS profiles from doped wafer. According to the analysis for doping process, as applied plasma currents increase, so the doping depth becomes deeper. As the junction depth is deeper, so the surface resistance is to be lowered. In addition, the surface charge density has a tendency inversely proportional to the initial phosphorus concentration. Overall, when the plasma current increases, then it becomes higher temperatures in wafer. It is shown that the diffusion of the impurity is critically dependent on the temperature of wafers.

• 자원리싸이클링
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• 제25권6호
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• pp.3-12
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• 2016

본 연구에서는 F-PGA 타입의 CPU 칩과 W-BGA 타입의 CPU 칩을 대상으로 금(Au)의 함량 및 분포 상태를 확인하였다. 그 결과 F-PGA 칩의 경우, 금의 80.8%가 칩 터미널(terminal)부분에, W-BGA 칩의 경우에는 베어다이(bare die)에 금이 89.8% 편재되어 있는 것을 확인하였다. 이와 같이 대부분의 금이 칩의 특정 부분에 존재하는 사실로부터 CPU 칩의 해체장치를 고안하게 되었다. CPU 칩 해체실험의 조작변수는 롤러 회전속도, IR 히터의 가열 온도, 가열 시간으로 하였다. F-PGA 칩의 경우에는 가열 온도 $300^{\circ}C$, 가열 시간 90초 조건, 그리고 W-BGA 칩의 경우에는 롤러속도 90 rpm, 가열온도 $300^{\circ}C$, 가열 시간 180초 조건에서 칩 터미널과 베어다이를 각각 완전하게 분리/회수할 수 있었다.

• Journal of the Korean Wood Science and Technology
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• 제46권3호
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• pp.285-296
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• 2018

ISPM No. 15에 의거한 열처리 목재의 검증을 위한 연구로서 열처리 목재 표면의 분광학적 특성을 분석하였다. IR 스펙트럼 상에서는 다양한 작용기들이 확인되지만 수종간, 열처리 시간 및 보관 기간에 따른 특별한 차이를 발견하기 어려웠다. HBI(hydrogen-bonding intensity)는 보관 기간에 따른 열처리 목재의 변화는 관찰할 수 있지만 열처리 시간에 따른 변화는 관찰하기 어려웠다. 하지만 PCA score plot 상에서 수종 내에서 60분 혹은 90분의 열처리 시간에 따라 목재의 분류가 가능하였다. PCA에서 열처리 목재의 분류의 기준은 목재 내 리그닌의 방향족 환과 셀룰로오스의 C-H bending이었으며 이들 성분에 의해 ISPM No. 15로 열처리된 목재를 분류할 수 있었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제44권2호
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• pp.124-131
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• 2007

In this study, first the ADU gel particle, an intermediate for final $UO_2$ kernel of a HTGR nuclear fuel, was prepared from sol-gel method using the broth solution which was made by mixing of the uranyl nitrate, poly vinyl alcohol and tetra-hydrofurfuryl alcohol. The prepared dried-ADU gel particles were converted to the $UO_2\;via\;UO_3$ from thermal treatment with the 4% $H_2$ atmosphere. The sizes of the spherical liquid droplets appeared $1900{\sim}2100{\mu}m$, and the harmony between the flow rate of the broth solution and the frequency and the amplitude of a vibrating system are important factors for the spherical ADU gel particles via the mono size spherical droplets. From the XRD and FT-IR analyses, the prepared ADU gel particles were judged to be a $UO_3{\cdot}xNH_3{\cdot}yH_2O$ form, and the most important factor during the thermal treatment of the dried-ADU gel particle must be avoided a rapidly heating rate in the range of $180{\sim}400^{\circ}C$, and the heating rate should be kept below $5^{\circ}C/min$.

• 해양환경안전학회지
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• 제10권1호
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• pp.51-54
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• 2004

최근 양어 양식장은 증가하고 있으며 이러한 곳에 사용할 가열장치는 경울 수온 조절을 위해 사용된다. 해수 가열장치는 부식성이 높고 압력이 높은 곳에 사용하기 위하여 고강도와 내식성이 요구된다. 만약 저강도와 저내식성을 갖게 되면 결국 누설 또는 파손되어 해수오염을 일으킬 수 있다. 대부분의 부식은 정체된 액과 틈이 형성된 부위에서 부식의 발생이 일어난다. 이 연구에서는 430 스테인레스재를 크기 $15{\times}20{\times}3mmt$에 대하여 1N H2SO4 + 0.05N NaCl용액을 사용하여 틈부식을 시험하였다. 틈의 크기는 $0.24{\times}3{\times}15mmL$로 하였으며 외부에 300mV전위를 인가하였다. 실험 결과 틈 부식 유기 시간은 750초로 나타나고, 틈 전위 강화는 -320에서 -399mV로 나타나 부식의 주 원인이 전위강화 기구에 의해 발생하였다.

• 한국재료학회지
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• 제30권9호
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• pp.489-494
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• 2020

SiC is a material with excellent strength, heat resistance, and corrosion resistance. It is generally used as a material for SiC invertors, semiconductor susceptors, edge rings, MOCVD susceptors, and mechanical bearings. Recently, SiC single crystals for LED are expected to be a new market application. In addition, SiC is also used as a heating element applied directly to electrical energy. Research in this study has focused on the manufacture of heating elements that can raise the temperature in a short time by irradiating SiC-I₂ with microwaves with polarization difference, instead of applying electric energy directly to increase the convenience and efficiency. In this experiment, Polydimethylsilane (PDMS) with 1,2 wt% of iodine is synthesized under high temperature and pressure using an autoclave. The synthesized Polycarbosilane (PCS) is heat treated in an argon gas atmosphere after curing process. The experimental results obtain resonance peaks using FT-IR and UV-Visible, and the crystal structure is measured by XRD. Also, the heat-generating characteristics are determined in the frequency band of 2.45 GHz after heat treatment in an air atmosphere furnace.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2010년도 춘계학술대회 초록집
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• pp.58.1-58.1
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• 2010

In solar cell module manufacturing, single solar cells has to be joined electrically to strings. Copper stripes coated with tin-silver-copper alloy are joined on screen printed silver of solar cells which is called busbar. The bus bar collects the electrons generated in solar cell and it is connected to the next cell in the conventional module manufacturing by a metal stringer using conventional hot air or infrared lamp soldering systems. For thin solar cells, both soldering methods have disadvantages, which heats up the whole cell to high temperatures. Because of the different thermal expansion coefficient, mechanical stresses are induced in the solar cell. Recently, the trend of solar cell is toward thinner thickness below 180um and thus the risk of breakage of solar cells is increasing. This has led to the demand for new joining processes with high productivity and reduced error rates. In our project, we have developed a new method to solder solar cells with a laser heating source. The soldering process using diode laser with wavelength of 980nm was examined. The diode laser used has a maximum power of 60W and a scanner system is used to solder dimension of 6" solar cell and the beam travel speed is optimized. For clamping copper stripe to solar cell, zirconia(ZrO)coated iron pin-spring system is used to clamp both joining parts during a scanner system is traveled. The hot plate temperature that solar cell is positioned during lasersoldering process is optimized. Also, conventional solder joints after $180^{\circ}C$ peel tests are compared to the laser soldering methods. Microstructures in welded zone shows that the diffusion zone between solar cell and metal stripes is better formed than inIR soldering method. It is analyzed that the laser solder joints show no damages to the silicon wafer and no cracks beneath the contact. Peel strength between 4N and 5N are measured, with much shorter joining time than IR solder joints and it is shown that the use of laser soldering reduced the degree of bending of solar cell much less than IR soldering.

• 한국세라믹학회지
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• 제39권2호
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• pp.204-209
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• 2002

본 연구에서는 AUC 공정에서 발생되는 액체폐기물에 미량 함유되어 있는 우라늄을 회수/재사용하기 위해 액상에서 침전법을 이용하여 용해도가 작은 우라늄화합물을 얻었으며, 이 화합물에 대한 chemical analysis, thermal analysis, x-ray diffraction analysis 및 FT-IR 분석을 통해 물성 특성을 해석하였다. 연구결과, 화학분석 및 FT-IR 분석으로부터 우라늄화합물은 $UO_4{\cdot}2NH_4F$ 형태를 가지고 있음을 알 수 있었으며, 평균 2∼3${\mu}m$ 입자 크기를 갖는 hexagonal 형태를 나타내었다. 열 분해시 분해 온도에 따라 중간물질로 $UO_4F,\;UO_4,\;UO_3,\;U_3O_8$ 등으로 변환되었으며, 상온에서 800$^{\circ}C$까지의 공기분위기에서 일정한 가열속도로 열분해시킬 경우, $UO_4{\cdot}2NH_4F{\rightarrow}UO_4F{\rightarrow}UO_4{\rightarrow}UO_3{\rightarrow}U_3O_8$의 반응 메커니즘을 나타내었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제20권5호
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• pp.237-242
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• 2010

Mg-BCP(Mg Substituted BCP)를 제조하기 위하여 $Ca(NO_3)_2{\cdot}4H_2O$(Katayama chemical, Japan)과 $(NH_4)_2{\cdot}HPO_4$ (Junsei chemical, Japan), $Mg(NO_3)_2{\cdot}6H_2O$(Junsei chemical, Japan)를 출발물질로 공침법(co-precipitation process)을 이용하여 합성하였다. 제조된 분말의 마그네슘의 첨가에 따른 분말의 분광학적 특성은 FT-IR(MAGNA-IR 560, Nicolet)을 통하여 분석하였으며, SEM(S-4200, Hitachi)을 통하여 미세구조를 분석하였다. XRD 회절피크의 면적적분강도를 Integral Analysis (Rigaku, Japan)를 이용하여 HAp와 ${\beta}$-TCP의 비율을 확인하였다. 1.0 wt% 마그네슘이 첨가된 BCP 샘플의 경우 Hank's solution에서의 2주 침적 후 표면에 침상의 HAp로 추정되는 결정이 성장하였다. 이러한 미세구조의 변화는 생활성을 가지는 마그네슘의 첨가가 BCP 조직 내에서 표면의 활성을 증가시켜 결정의 성장을 촉진시킨 것으로 판단된다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제35권5호
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• pp.1375-1378
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• 2014

In this study, maghemite (${\gamma}-Fe_2O_3$) nanoparticles were produced using gelatin protein as an effective mediator. Size, shape, surface morphology and magnetic properties of the prepared ${\gamma}-Fe_2O_3$ nanoparticles were characterized using XRD, FT-IR, TEM, SEM and VSM data. The effects of furnace temperature and time of heating together with the amount of gelatin on the produced gelatin-$Fe_3O_4$ nanocomposite were examined to prove the fundamental effect of gelatin; both as a capping agent in the nanoscale synthesis and as the director of the spinel ${\gamma}-Fe_2O_3$ synthesis among possible $Fe_2O_3$ crystalline structures.