To study the effect of color development of Ni-doped willemite blue pigments, five batches of compositions were prepared and fired at $1350^{\circ}C$/hold for 1 h. When Ni was substituted for ZnO by 0.03 mole the optimum result were obtained. Then they were fired at $1300^{\circ}C$ and held for 1, 2, 4 and 6 h respectively for the purpose sake. XRD, Raman spectroscopy, FT-IR, UV-vis were used to analyze the results of experiment. The substitution of 0.03mole Ni for Zn was most optimum and which produced good willemite at the temperature of $1300^{\circ}C$, holding for 6 h. In ceramic arts, cobalt has been used for blue coloring, in most cases, despite of its high cost. If the low cost Ni-doped willemite blue pigments supplies for them with stable and multiple shades of blue pigment, using NiO at high temperature, it would provide various blues for ceramic wares.
Perovskite codoped with chromium and iron have been studied. Samples with $YAl_{0.96}(Cr_{0.04-x}Fe_x)O_3$(x=0.01, 0.02, 0.03, 0.04) were prepared by solid state reaction at $1450^{\circ}C$ for 6 h and were characterized by XRD, FT-IR, Raman spectroscopy, SEM and UV-vis spectrophotometer. The color of the synthesized pigments were from red to dark brown(in bulk). Up to 0.02 mole $Fe_2O_3$ for substituting $Cr_2O_3$ development of color in lime-glaze gives good red color but as increasing amount of $Fe_2O_3$ and decreasing $Cr_2O_3$ proportionally produce from brownish red to brown. Increasing $Fe_2O_3$ amount lead to weaken crystal field relatively due to have smaller ionic radius than $Cr_2O_3$ ionic one. The UV-vis peaks were shifted to lower wavelength.
Kim, Jong-Hak;Min, Byoung-Ryul;Kim, Yong-Woo;Kang, Sang-Wook;Won, Jong-Ok;Kang, Yong-Soo
Macromolecular Research
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제15권4호
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pp.343-347
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2007
Novel composite membranes, which delivered high separation performance for propylene/propane mixtures, were developed by coating inert poly(ethylene-co-propylene) rubber (EPR) onto a porous polyester substrate, followed by the physical distribution of $AgBF_4$. Scanning electron microscopy-wavelength dispersive spectrometer (SEM-WDS) revealed that silver salts were uniformly distributed in the EPR layer. The physical dispersion of the silver salts in the inert polymer matrix, without specific interaction, was characterized by FT-IR and FT-Raman spectroscopy. The high separation performance was presumed to stem from the in-situ dissolution of crystalline silver ionic aggregates into free silver ions, which acted as an active propylene carrier within a propylene environment, leading to facilitated propylene transport through the membranes. The membranes were functional at all silver loading levels, exhibiting an unusually low threshold carrier concentration (less than 0.06 of silver weight fraction). The separation properties of these membranes, i.e. the mixed gas selectivity of propylene/propane ${\sim}55$ and mixed gas permeance ${\sim}7$ GPU, were stable for several days.
리그닌(lignin)은 고분자와 혼합될 수 있고 탄화도 가능하므로 효용성이 크다. 본 실험에서는, 탄화에 유리한 고분자인 폴리아크릴로나이트릴(polyacrylonitrile, PAN)과 리그닌을 혼합하여 탄소 전구체(precursor)로 제조하고, 탄화(carbonization)하여 안정한 탄소 필름이 제어된 탄화 과정을 통해 제조되었다. 얻어진 탄화 소재의 형태적, 전기적 특성들이 분석되었으며, 흡착 성능이 실험적으로 제시되었다. 탄소 전구체 복합소재의 형성은 적외선 분광기(Fourier-transform infrared, FT-IR)를 통해 확인하였고, 생성된 탄소 필름의 외형적 특성은 주사전자현미경(scanning electron microscope, SEM)을 이용하여 고찰하였다. 이를 통해 전구체 필름의 구조적 안정성이 탄화 이후에도 유지됨을 확인하였으며, 필름 내부에 존재하는 리그닌의 흔적도 고찰할 수 있었다. 탄소 필름의 미세 구조는 라만(Raman) 분광기를 통해 분석하였으며, 표면적 및 기공 구조는 BET (Brunauer-Emmett-Teller) 법으로 측정하여, 비교적 균일한 기공이 형성됨을 확인하였다. 탄소 시료의 전기적 특성도 고찰하여, 흡착 소재로서 사용 가능함을 확인하였고, 흡착(adsorption) 테스트를 통해 금속 양이온을 효율적으로 제거할 수 있음을 증명하였다. 본 연구는 해당 분야 향후 연구에 중요한 정보를 제공할 것이다.
Growth of metal oxides on graphene may lead to a better understanding of delicate effects of their growth habits on their underlying physics. The vanadium dioxide ($VO_2$) is well known for its metal-to-insulator transition accompanied by a reversible first order structural phase transition at 340 K. This transition makes $VO_2$ a potentially useful material for applications in electrical and optical devices. We report a successful growth of $VO_2$ nanostructures on a graphene substrate via a vapor-solid transport route. As-grown $VO_2$ nanostructures on graphene were systematically characterized by field emission scanning electron microscopy, x-ray diffraction, Raman spectroscopy, FT-IR spectroscopy and high resolution transmission electron microscopy. These results indicate that the strain between $VO_2$ and graphene layers may be easily controlled by the number of underlying graphene layer. We also found that the strain in-between $VO_2$ and graphene layer affected its metal-to-insulator transition characteristics. This study demonstrates a new way for synthesizing $VO_2$ in a desired phase on the transparent conducting graphene substrate and an easy pathway for controlling metal-to-insulator phase transition via strain.
The synthesis of gold nanoparticles has gained tremendous attention owing to their immense applications in the field of biomedical sciences. Although several chemical procedures are used for the synthesis of nanoparticles, the release of toxic and hazardous by-products restricts their use in biomedical applications. In the present investigation, gold nanoparticles were synthesized biologically using the culture filtrate of the filamentous fungus Alternaria sp. The culture filtrate of the fungus was exposed to three different concentrations of chloroaurate ions. In all cases, the gold ions were reduced to Au(0), leading to the formation of stable gold nanoparticles of variable sizes and shapes. UV-Vis spectroscopy analysis confirmed the formation of nanoparticles by reduction of Au3+ to Au0. TEM analysis revealed the presence of spherical, rod, square, pentagonal, and hexagonal morphologies for 1 mM chloroaurate solution. However, quasi-spherical and spherical nanoparticles/heart-like morphologies with size range of about 7-13 and 15-18 nm were observed for lower molar concentrations of 0.3 and 0.5 mM gold chloride solution, respectively. The XRD spectrum revealed the face-centered cubic crystals of synthesized gold nanoparticles. FT-IR spectroscopy analysis confirmed the presence of aromatic primary amines, and the additional SPR bands at 290 and 230 nm further suggested that the presence of amino acids such as tryptophan/tyrosine or phenylalanine acts as the capping agent on the synthesized mycogenic gold nanoparticles.
From Zr(O-nC3H7)4-H2O-C2H5OH-HNO3 starting solutions, MgO-doped stabilized zirconia fibers with varying content of MgO (10~18 mol%) from different MgO sources were fabricated by sol-gel method. The MgO sources used are magnesium nitrate hexahydrate, magnesium acetate tetrahydrate, and magnesium ethylate. The phase transformation studies of a drawn MgO-ZrO2 fiber were carried out using X-ray diffraction, IR spectroscopy, and Raman spectroscopy. The microstructure, tensile strength, and microporosity of fibers were investigated using SEM, tensile strength test, and microporosimeter. Although various MgO sources such as magnesium nitrate, acetate, and ethylate were used, the crystallization behavior of MgO-ZrO2 fibers at different temperatures could be summarized as follows: CubiclongrightarrowMetastable TetragonallongrightarrowMonocliniclongrightarrowCoexistence of Monoclinic and CubiclongrightarrowCubic(trace of monoclinic). At 150$0^{\circ}C$, the phase transformation of MgO-ZrO2 fibers shows the following change depending on the amount of MgO[Mg(NO3)2.6H2O]: At 10 mol%, both monoclinic and cubic phase coexist, at 12 mol%, monoclinic phase decreases rapidly, and then at 14 mol%, only cubic phase remains. When the MgO-ZrO2 fibers containing 12 mol% magnesium nitrate were heated at 80$0^{\circ}C$ for 1hr, average tensile strength of fibers is 4.0 GPa at diameters of 20 to 30 ${\mu}{\textrm}{m}$. As the heat-treatment temperatures increase to 100$0^{\circ}C$ for 1 hr, tensile strength of MgO-ZrO2 fibers decreases rapidly to 0.7 GPa.
We investigated the nanostructural, chemical and optical properties of nc-Si:H films according to deposition conditions. Plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD) techniques were used to produce nc-Si:H thin films. The hydrogen dilution ratio in the precursors, [$SiH_4/H_2$], was fixed at 0.03; the substrate temperature was varied from room temperature to $600^{\circ}C$. By raising the substrates temperature up to $400^{\circ}C$, the nanocrystalite size was increased from ~2 to ~7 nm and the Si crystal volume fraction was varied from ~9 to ~45% to reach their maximum values. In high-resolution transmission electron microscopy(HRTEM) images, Si nanocrystallites were observed and the crystallite size appeared to correspond to the crystal size values obtained by X-ray diffraction(XRD) and Raman Spectroscopy. The intensity of high-resolution electron energy loss spectroscopy(EELS) peaks at ~99.9 eV(Si $L_{2,3}$ edge) was sensitively varied depending on the formation of Si nanocrystallites in the films. With increasing substrate temperatures, from room temperature to $600^{\circ}C$, the optical band gap of the nc-Si:H films was decreased from 2.4 to 1.9 eV, and the relative fraction of Si-H bonds in the films was increased from 19.9 to 32.9%. The variation in the nanostructural as well as chemical features of the films with substrate temperature appears to be well related to the results of the differential scanning calorimeter measurements, in which heat-absorption started at a substrate temperature of $180^{\circ}C$ and the maximum peak was observed at ${\sim}370^{\circ}C$.
DC saddle-field plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD) 장치를 이용 하여 상온에서 p-type Si(100) 기판위에 hydrogenated amorphous carbon(a-C:H) 박막을 증 착하고 기판의 bias 전압 변화에 따른 박막의 미세구조 변화와 광학적 특성을 연구하였다. 본 실험시 CH4 가스의 유량은 5sccm, 진공조의 $CH_4$ 가스압력은 90mtorr로 일정하게 유지 하였으며 기판의 bias 전압($V_s$)은 0V에서 400V까지 변화시켰다. Rutherford backscattering spectroscopy(RBS)와 elastic recoil detection(ERD) 측정결과 증착된 a-C:H박막의 증착율은 $V_s$=0V에서 $V_s$=400V로 증가함에 따라 45$\AA$/min에서 5$\AA$/min으로 크게 감소하였지만 박막 내의 수소 함유량은 15%에서 52%까지 크게 증가하였다. a-C:H박막내의 수소 함유량이 증 가함에 따라 a-C:H박막은 sp3CH3구조의 polymer like carbon(PLC) 구조로 변환되는 것을 FT-IR로 확인하였으며 Raman 측정 결과 $V_s$=100V와 $V_s$=200V에서 증착한 a-C:H 박막에서 만 C-C결합에 의한 disorder 및 graphite peak를 볼 수 있었다. Photoluminescence(PL) 측 정 결과 $V_s$=200V까지는 기판의 bias 전압이 증가함에 따라 PL세기는 증가하였으나 그 이 상의 인가전압에서는 PL세기가 점점 감소하였다. 특히 $V_s$=200V에서 제작한 a-C:H박막의 PL특성은 상온에서도 눈으로 보일 만큼 우수한 발광 특성을 보였으며, 기판 bias전압이 증 가함에 따라 PL peak 위치가 청색으로 편이하는 경향을 보였다. 이러한 발광 세기의 변화 는 $V_s$=0V부터 $V_s$=200V까지는 기판의 bias전압이 증가함에 따라 상대적으로 박막의 표면에 충돌하는 이온에너지의 감소로 인해 a-C:H박막내에 비발광 중심으로 작용하는 dangling bond가 감소하여 발광의 세기가 증가하였으며 $V_s$=300V이상에서는 박막내의 수소 함유량이 증가함에 따라 dangling bond수는 감소하나 발광 중심으로 작용하는 탄소간의 $\pi$결합을 포 함하는 cluster가 줄어들어 PL세기가 감소한 것으로 생각된다.
Transition metal dichalcogenide (TMD) with layered structure, has recently been considered as promising candidate for next-generation flexible electronic and optoelectronic devices because of its superior electrical, optical, and mechanical properties.[1] Scalability of thickness down to a monolayer and van der Waals expitaxial structure without surface dangling bonds (consequently, native oxides) make TMD-based thin film transistors (TFTs) that are immune to the short channel effect (SCE) and provide very high field effect mobility (${\sim}200cm^2/V-sec$ that is comparable to the universal mobility of Si), respectively.[2] In addition, an excellent photo-detector with a wide spectral range from ultraviolet (UV) to close infrared (IR) is achievable with using $WSe_2$, since its energy bandgap varies between 1.2 eV (bulk) and 1.8 eV (monolayer), depending on layer thickness.[3] However, one of the critical issues that hinders the successful integration of $WSe_2$ electronic and optoelectronic devices is the lack of a reliable and controllable doping method. Such a component is essential for inducing a shift in the Fermi level, which subsequently enables wide modulations of its electrical and optical properties. In this work, we demonstrate n-doping method for $WSe_2$ on poly-4-vinylphenol and poly (melamine-co-formaldehyde) (PVP/PMF) insulating layer and adjust the doping level of $WSe_2$ by controlling concentration of PMF in the PVP/PMF layer. We investigated the doping of $WSe_2$ by PVP/PMF layer in terms of electronic and optoelectronic devices using Raman spectroscopy, electrical measurements, and optical measurements.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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