본 논문에서는 L-band용 이동통신 단말기에 적용 가능한 수신단 MMIC 믹서의 설계 및 제작에 관한 연구를 다룬다. 단일 칩으로 집적하기 적절한 LO 및 RF balun을 능동소자를 이용하여 구성하였으며 각 능동소자의 공정상의 변화를 보상하기 위하여 새롭게 제안된 바이어스 회로를 적용하였다. 믹서의 변환이득은 -14 dB이며 IP3는 약 4 dBm, 포트간 격리도는 25 dB 이상의 값을 가진다. 제안된 새로운 바이어스 회로는 FET와 저항으로 구성되며 공정상의 변화와 온도의 변화 등에 의한 문턱전압의 변화를 보상해 줄 수 있다. 설계된 칩의 사이즈는 1.4 mm$\times$1.4 mm이다.
본 논문은 다중기능 광 네트워크에 있어서 256위상 광 ULSI 프로세서를 구현하기 위한 최적위상 도출에 관해 연구한다. 이미 구성된 8위상 프로세서를 실험 및 평가를 위한 기반으로 사용한다. 이 연구에서는 액정의 비선형성을 상쇄시킬 수 있는 최적의 위상을 찾아내어 보다 큰 규모의 광 ULSI 프로세서 구현이 가능하게 한다. 이는 집적화된 지능형 광자유도 시스템(IIPS)에 사용되는 빔 조종 8위상 광 ULSI 프로세서에 기초하여 구현 된다.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제17권4호
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pp.499-504
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2017
A UHF CMOS variable gain low-noise amplifier (LNA) is designed for mobile digital TV tuners. The proposed LNA adopts a feedback topology to cover a wide frequency range from 474 to 868 MHz, and it supports the notch filter function for the interoperability with the GSM terminal. In order to handle harmonic distortion by strong interferers, the gain of the proposed LNA is step-controlled while keeping almost the same input impedance. The proposed LNA is implemented in a $0.11{\mu}m$ CMOS process and consumes 6 mA at a 1.5 V supply voltage. In the measurement, it shows the power gain of greater than 16 dB, NF of less than 1.7 dB, and IIP3 of greater than -1.7 dBm for the UHF band.
A 6-bit MMIC digital attenuator applicable to X-band TR module has been developed by using $0.5{\mu}m$GaAs pHEMT processes. The Switched-T attenuator scheme and the switched-path attenuator scheme were adopted to obtain low insertion loss and small phase variation, respectively. Resistors and transmission lines are optimized to achieve the digital attenuator with high attenuation accuracy and small phase variation. The digital attenuator has RMS error of 0.4dB, resolution of 0.5dB and dynamic range of 31.5dB. The measurement results show that in-out VSWRs are less than 1.5, phase variation is from -7 to +2 degrees and IIP3 is 36.5dBm.
Seo, Hae-Moon;Park, Yong-Kuk;Park, Woo-Chool;Kim, Dong-Su;Lee, Myung-Soo;Kim, Hyeong-Seok;Choi, Pyung
KSII Transactions on Internet and Information Systems (TIIS)
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제2권1호
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pp.37-49
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2008
At the present time the task of designing a highly integrated ZigBee radio frequency (RF) receiver with an excellent coexistence performance is still very demanding and challenging. This paper presents a number of system issues and design considerations for a ZigBee RF receiver, namely IEEE 802.15.4, for coexistence with wireless devices in the 2.4-GHz ISM-band. With regard to IEEE 802.15.4, the paper analyzes receiver performance requirements for; system noise figure (NF), system third-order intercept point (system-IIP3), local oscillator phase noise and selectivity. Based on some assumptions, the paper illustrates the relationship between minimum detectable signal (MDS) and various situations that involve the effects of electromagnetic interference generated by other wireless devices. We infer the necessity of much more stringent specification requirements than the published standard for various wireless communication field environments
본 논문에서는 차량 추돌 방지 단거리 레이더용 고 변환이득 및 저전력 24GHz CMOS 믹서를 제안한다. 이러한 회로는 2볼트 전원전압에서 동작하며, 저 전압 전원 공급에서도 높은 변환 이득과 낮은 잡음지수를 가지도록 설계되어 있다. 제안한 회로는 TSMC $0.13{\mu}m$ 혼성신호/고주파 CMOS 공정($f_T/f_{MAX}=120/140GHz$)으로 설계하였다. 전체 칩 면적을 줄이기 위해 실제 수동형 인덕터 대신 전송선을 이용하였다. 제안한 회로는 최근 발표된 연구결과에 비해 가장 높은 10.96dB의 변환이득, 7.6dBm의 IIP3를 보였고, 가장 적은 5mW의 소비전력 및 $0.2{\times}0.2m^2$의 칩 크기 특성을 보였다.
The development of radiation-tolerant radio-frequency (RF) systems can be a solution for applications in extreme radiation environments, such as nuclear power plant monitoring and space exploration. Among the crucial components within an RF system, the low noise amplifier (LNA) stands out due to its vulnerability to TID effects, mainly relying on transistors as its main devices. In this study, the TID effects in the LNA using standard 0.18 ㎛ complementary metal oxide semiconductors (CMOS) technology are estimated and analyzed. The results show that the LNA can withstand absorbed radiation up to 100 kGy. The S21, S11, noise figure (NF), stability (K), and linearity of the third input intercept point (IIP3) slightly shifted from the initial values of 0.8312 dB, 0.793 dB, 0.00381 dB, 1.34406, and 2.36066 dBm, respectively which are still comparable to the typical performances. Moreover, the standard 0.18 ㎛ technology has demonstrated its radiation tolerance, as it exhibits negligible performance degradation in the conventional LNA even when exposed to radiation levels up to 100 kGy. In this context, simulation approach offers a means to predict the TID effects and estimate the radiation exposure limit for electronic devices, particularly when transistors are used as the primary RF components.
본 논문에서는 CMOS 기술을 이용하여 2.4GHz ISM 주파수 대역의 LNA를 설계하였다. 캐스코드 증폭기를 이용하여 잡음을 억제하고 이득을 향상시켰으며 캐스캐이드의 공통 소스 증폭기의 출력을 캐스코드와 병렬로 연결되는 MOS의 입력으로 연결하여 IM3를 감소시키고자 하였다. 제안된 저잡음증폭기는 3.3V의 전원을 공급하는 Hynix 0.35$\mu\textrm{m}$ 2-poly 4-metal CMOS 공정을 이용하여 설계되었다. HSPICE Tool을 이용하여 시뮬레이션 하여 13dB의 이득과 1.7dB의 잡음지수, 약 8dBm의 IIP3, -3ldB와 -28dB의 입ㆍ출력 매칭특성을 확인하였다. 이 때 reverse isolation은 -25dB, 전력사용은 4.7mW이었다. Mentor를 이용한 Layout은 2${\times}$2$\mu\textrm{m}$ 이하의 크기를 갖는다.
This paper presents a wideband low noise amplifier (LNA) that is suitable for LTE-Advanced and 5G communication standards employing carrier aggregation (CA). The proposed LNA encompasses a common input stage and a dual output second stage with a buffer at each distinct output. This architecture is targeted to operate in both intra-band (contiguous and non-contiguous) and inter-band CA. In the proposed design, the input and second stages employ a gm enhancement with resistive feedback technique to achieve self-biasing, enhanced gain, wide bandwidth as well as reduced noise figure of the proposed LNA. An up/down power controller controls the single input single out (SISO) and single input multiple outputs (SIMO) modes of operation for inter-band and intra-band operations. The proposed LNA is designed with a 45nm CMOS technology. For SISO mode of operation, the LNA operates from 0.52GHz to 4.29GHz with a maximum power gain of 17.77dB, 2.88dB minimum noise figure and input (output) matching performance better than -10dB. For SIMO mode of operation, the proposed LNA operates from 0.52GHz to 4.44GHz with a maximum voltage gain of 18.30dB, a minimum noise figure of 2.82dB with equally good matching performance. An $IIP_3$ value of -6.7dBm is achieved in both SISO and SIMO operations. with a maximum current of 42mA consumed (LNA+buffer in SIMO operation) from a 1.2V supply.
연구배경 : 특발성 간질성 폐렴의 치료제로 스테로이드가 많이 사용되고 있으나 병리 소견에 따라 치료효과가 다르고 부작용이 많아 Cyclophosphamide와 같은 세포독성 약물들이 추천되고 있다. 그러나 그 효과 및 우월성에 대해선 아직도 논란이 많다. 이에 각 약제의 치료효과 및 부작용에 대해 알아보고자 본 연구를 시행하였다. 방 법 : 1996년 7월부터 2002년 6월까지 삼성서울병원에서 수술적 폐생검을 통해 확진된 특발성 간질성 폐렴환자 87명(UIP 61명, NSIP 26명)을 대상으로 치료약제, 치료반응 및 약물 부작용에 대해 후향적 조사를 시행하였다. 치료반응은 최소 6개월 이상의 연속적인 약제 투여와 약제 투여 후 1년 이상의 추적 관찰이 이루어진 환자 55례(UIP 32례, NSIP 23례)을 대상으로 치료 후 6개월, 12개월에 임상 증세, 폐기능 검사, 방사선학적 소견의 3가지를 기준으로 호전, 안정, 악화(사망 포함)로 판정하였다. 약물 부작용은 최소 한 종류 이상의 약제 투여가 이루어진 환자 91례(스테로이드 단독 요법 42례, CP 병합 요법 49례)를 대상으로 조사하였다. 결 과 : 1) NSIP 환자가 UIP 환자보다 약제 종류에 상관없이 호전 반응이 많았다(6개월 : 78.3% vs. 9.4%, p<0.001, 12개월 : 69.6% vs. 9.4%, p<0.001). 2) UIP 환자에서 약제에 따른 치료반응의 차이는 없었다(p>0.05) 3) NSIP 환자에서 약제에 따른 치료반응의 차이는 없었다(p>0.05) 4) 약물 부작용으로 투여가 중단된 경우는 스테로이드 치료군에서는 감염, 불안 장애 등이, cyclophosphamide 치료군에서는 위장 장애, 출혈성 감염 등이 있었고, 스테로이드 치료 군(15례, 35.7%)에서 cyclophosphamide 치료군(7례, 14.3%)보다 많았다(p=0.017). 결론 : 스테로이드 보다 부작용이 적고 동등한 치료효과를 보이는 cyclophosphamide는 특발성 UIP보다 치료반응이 좋은 특발성 NSIP에서 보다 적극적으로 이용될 수 있다고 사료된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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