• 대한전자공학회논문지SD
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• 제45권10호
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• pp.7-14
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• 2008

본 논문에서는 $1.0{\mu}m$ BCD 650V 공정을 이용하여 향상된 잡음 내성과 높은 전류 구동 능력을 갖는 고전압 구동 IC를 설계하였다. 설계된 고전압 구동 IC는 500kHz의 고속 동작이 가능하고, 입력 전압의 범위가 최대 650V이다. 설계된 IC에 내장된 상단 레벨 쉬프터는 잡음 보호회로와 슈미트 트리거를 포함하고 있으며 최대 50V/ns의 높은 dv/dt 잡음 내성을 가지고 있다. 또한 설계된 숏-펄스 생성회로가 있는 상단 레벨 쉬프터의 전력 소모는 기존 회로 대비 40% 이상 감소하였다. 이외에도 상 하단 파워 스위치의 동시 도통을 방지하는 보호회로와 구동부의 전원 전압을 감지하는 UVLO(Under Voltage Lock-Out) 회로를 내장하여 시스템의 안정도를 향상시켰다. 설계된 고전압 구동 IC의 특성 검증에는 Cadence사의 spectre 및 PSpice를 이용하였다.

• 한국통신학회논문지
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• 제22권10호
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• pp.2282-2291
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• 1997

본 논문은 분산된 가입자 댁내 ATM 망 및 소규모 사업장 ATM 망의 고속 멀티미디어 서비스응용에 적용하기 위한 공유매체 접속 프로토콜의 구조와 프로토콜의 성능 분석 및 집적회로 구현에 관한 것으로서 본 논문은 제 I부에서 제안된 HCR 프로토콜의 집적회로(Integrated Circuit)설계에 관하여 다룬 제 II부이다. 설계된 HCR용 IC는 기존의 ATM 프로토콜 IC들과 호환되도록 설계하였으며 입출력 인터페이스는 UTOPIA 접속 규격에 따랐다. 시뮬레이션 결과 본 집적회로는 현재의 쿼타 상태, 우선순위, 데이터의 유무에 따라 실시간 또는 비실시간 데이터를 효과적으로 처리함을 보였으며, 설계 변경없이 기존의 ATM IC와 사용되어 멀티미디어 서비스 응용에 유용하게 사용될 수 있다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제4권4호
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• pp.269-274
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• 2004

Current delivery system, in which the analog current produced by a unique DAC circuit is stored into a current-memory circuit and delivered in a time-divided sequence, shows variation of output current as low as 4% in a current source data-driver IC for AM-OLED driven by a current-programmed method without any fuse repairing after fabrication. This driver IC has 54 outputs and can sink constant current as low as 3 ${\mu}A$ with 6-bit analog levels. Such a low current level without variation can hardly be obtained by an ordinary MOS transistor because the current level is in the sub-threshold region and changes exponentially with threshold voltage variation. Thus we adopted a current mirror circuit composed of bipolar transistors to supply well-controlled current within a nano-ampere range.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제26권1호
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• pp.13-17
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• 2013

In this paper, we designed a charge pump circuit using level shifter for LED driver IC. The designed circuit makes the 15 V output voltage from the 5 V input in condition of 50 kHz switching frequency. The prototype chip which include the proposed charge pump circuit and its several internal sub-blocks such as oscillator, level shifter was fabricated using a 0.35 um 20 V BCD process technology. The size of the fabricated prototype chip is 2,350 um ${\times}$ 2,350 um. We examined performances of the fabricated chip and compared its measured results with SPICE simulation data.

• 한국자동차공학회논문집
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• 제16권3호
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• pp.15-22
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• 2008

Applications of bonded dissimilar materials such as integrated circuit(IC) packages, ceramics/metal and resin/metal bonded joints, are very increasing in various industry fields. It is very important to analyze the thermal stress and stress singularity at interface edge in bonded joints of dissimilar materials. In order to investigate the IC package crack propagating from the edge of die pad and resin, the fracture parameters of bonded dissimilar materials and material properties are obtained. In this paper, the thermal stress and its singularity index for the IC package were analyzed using 2-dimensional elastic boundary element method(BEM). From these results, crack propagation direction and path by thermal stress in the IC package were numerically simulated with boundary element method.

• 전자공학회논문지
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• 제53권7호
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• pp.131-137
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• 2016

본 논문에서는 기존의 2D IC의 성능을 개선하고 3D IC의 집적도와 전기적인 특성을 개선하기 위한 목적으로 연구되고 있는 TSV (Through Silicon Via)의 임피던스를 해석하였다. 향후 Full-chip 3D IC 시스템 설계에서 TSV는 매우 중요한 기술이며, 높은 집적도와 광대역폭 시스템 설계를 위해서 TSV에 대한 전기적인 특성에 관한 연구가 매우 중요하다. 따라서 본 연구에서는 Full-chip 3D IC를 설계하기 위한 목적으로 다중 TSV-to-TSV에서 거리와 주파수에 따른 TSV의 임피던스 영향을 해석하였다. 또한 이 연구 결과는 Full-chip 3D IC를 제조하기 위한 반도체 공정과 설계 툴에 적용할 수 있다.

• 한국정보전자통신기술학회논문지
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• 제14권4호
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• pp.275-283
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• 2021

본 연구에서는 저내압 반도체 공정으로 제작 가능한 교류 구동 LED 드라이버 IC를 설계하여, 그 성능들에 대한 시뮬레이션을 수행하였다. 교류 220V에서 직접 구동하기 위한 드라이버 IC를 제작하기 위하여 500V 이상의 항복전압을 만족하는 반도체 제조공정이 필요하다. 고내압 반도체 제조공정은 일반적인 저내압 반도체 공정보다 매우 높은 제조비용을 요구한다. 따라서 낮은 내압의 소자를 구현하는 반도체 공정기술로도 제작할 수 있도록 LED 드라이버 IC를 직렬로 설계하였다. 이는 입력전압이 고전압이라도 각 LED 블록마다 전압이 나누어 인가되는 것을 가능하게 한다. LED 조명회로는 220V에서 96%의 역률을 나타내고 있다. pnp 트랜지스터를 이용한 역률 개선 회로에서는 99.7%의 아주 높은 역률을 얻을 수 있으며, 입력전압의 변동과 관계없이 매우 안정된 동작을 보여주었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제42권4호
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• pp.53-60
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• 2005

본 논문에서는 LCD 판넬 밝기의 균일성을 향상시키기 위하여 램프간의 저항 차이를 검출하는 회로를 사용한다. 기준 loop와 비교 loop의 feedback 전압을 나누어 검출된 저항의 차이는 PWM duty를 결정하는 제어 모드와 연결하여 램프 저항에 맞는 전압을 램프에 인가한다. 기준 loop의 feedback 전압은 모든 loop의 기준 전압이 되며, 하나의 IC에 램프의 수만큼 외부 기판을 연결하여 사용할 수 있다. 모든 비교 loop의 램프들은 기준 램프와 같은 밝기를 유지하기 위해 에러를 보상하며, 결과적으로 제안된 회로는 기존의 회로에 비해 약 $40\%$ 밝기 균일성을 재선한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.14-14
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• 2010

A high voltage current sensing circuit for LED driver IC is designed and verfied by Cadence SPECTRE simulations. The current mirror pair, power and sensing MOSFETs with size ratio of K, is used in our on-chip current sensing circuit. Very low drain voltages of the current mirror pair should be matched to give accurate current sensing, so a folded-cascode opamp with a PMOS input pair is used in our design. A high voltage high side LDMOST switch is used between the current sensing circuit and power MOSFET to protect the current sensing circuit from the high output voltage. Simulation results using 0.35um BCD process show that current sensing is accurate with properly frequency compensated opamp.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제12권12호
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• pp.5832-5837
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• 2011

본 논문에서는 1 ${\mu}m$ CMOS 공정을 사용하여 LED 구동회로용 과열방지회로를 제안하였다. 제안하는 과열 방지회로는 $120^{\circ}C$에서 동작하며 $90^{\circ}C$에서 차단되도록 설계하였으며, 공정 오차에 따른 과열방지회로의 특성 변화가 많이 감소되었다. 세 가지 공정변화에 따른 특성 변화를 본 결과 제안하는 과열방지회로의 시뮬레이션 결과는 기존의 BJT 전류미러 방식의 과열방지회로보다 공정에 따른 온도변화가 약 7 % 줄어드는 것을 확인하였다. 또한 가상의 LED 구동회로에 연결하였을 때 과열로부터 LED 구동회로를 보호하는 것을 확인하였다.