• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.149-150
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• 2007

ONO(Oxide-Nitride-Oxide)구조는 기억소자의 전하보유 능력을 향상시키기 위해 도입된 게이트 절연막이다. 본 연구에서는 ELA(Excimer Laser Annealing)방법으로 비정질 실리콘을 결정화 시켜서 그 위에 NVM(Nonvolatile Memory)소자를 만들어 전기적 특성을 측정하여 결과를 나타내었다. 실험 결과 같은 크기의 $V_D$에서 $V_G$를 조절함으로써 $I_D$의 크기를 조절할 수 있었다. $V_G-I_D$ Graph에서는 $I_{on}$과 $I_{off}$, 그리고 Threshold Voltage를 알 수 있었다. $I_{on}/I_{off}$ Ratio는 $10^3-10^4$이다. $V_G-I_D$ Graph에서는 게이트에 인가하는 Bias의 양을 통해서 Threshold Voltage의 크기를 조절할 수 있었다. 이는 Trap되는 Charge의 양을 임의로 조절할 수 있다는 것을 의미하며, 이러한 Programming과 Erasing의 특성을 이용하여 기억소자로서의 역할을 수행하게 된다.

• 한국산림과학회지
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• 제102권3호
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• pp.463-466
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• 2013

이 연구에서는 1963년부터 2012년까지 과거 50여 년간 우리나라 전역에서 발생한 478건의 산사태를 대상으로 시간단위 강우자료와 분위회귀분석을 토대로 산사태 유발강우의 강도(I, mm/hr)-지속시간(D, hrs) 관계를 해석하였다. 그 결과, I-D 한계식 "$I=9.64D^{-0.27}$, $4{\leq}D{\leq}76$" 이 도출되었고, 발생확률별 강우강도-지속시간 관계식을 제시할 수 있게 되었다. 따라서 이 연구의 결과는 광역적 산사태 예 경보 시스템의 개선 및 실효성 향상에 필요한 기초자료를 제공할 수 있을 것으로 기대된다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제21권4호
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• pp.58-64
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• 1984

이온주입형 E-IGFET에서 이온주입층내 불순물 profile을 임의의 형태로 가정하였으며, 가정한 불순물 profile을 이용하여 threshold 전압에 대한 간단한 model을 유도하였다. 유도한 model을 이용하여 Gaus-sian-profile일 때의 threshold 전압치를 구하였고, 실제의 측정 data와 비교하였을 때 일치함을 확인할 수 있었다. 더불어, box-profile일 때의 threshold 전압치의 오차를 계산해 보았다. 또한, substrate-bias에 의한 threshold 전압의 변화를 simulation하였으며. 계산과정에서 이온주입층의 깊이 D를 구하는 새로운 방법을 제시하였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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• pp.1189-1192
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• 2009

Short channel a-Si:H TFT devices with Cu electrodes have been investigated. Short channel TFTs are defined by new plasma etch process. When the channel length becomes shorter, the TFT characteristics (threshold voltage, off current, sub threshold voltage, etc.,) are degraded. These degraded characteristics can be improved through the hydrogen plasma treatment and new gate insulator structure. Using these processes, 15.0 inch XGA LCD panel was fabricated successfully where the channel length of the TFT devices was about 2.5 micrometers.

• 한국지반공학회논문집
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• 제30권12호
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• pp.5-14
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• 2014

국내 대부분의 사면파괴는 6월~9월에 발생하며, 이러한 사면파괴는 사회적으로 큰 손실을 유발한다. 사면파괴의 주요 원인은 강우강도(Intensity, I)와 강우기간(Duration, D)이다. 본 연구에서는 강우강도-기간(I-D)을 고려한 사면파괴 유발 강우 한계선(rainfall threshold)을 제안하였다. 본 연구를 위해서 국립재난안전연구원과 다양한 보고서 및 매체 그리고 현장조사를 통해서 1999년부터 2012년까지 풍화토 지반에서 유발된 255개 재해이력 자료를 수집하였다. 그리고 기상청의 강우자료를 바탕으로 사면파괴가 발생한 시점의 전 후의 시간에 대한 강우량 데이터를 수집하였다. 수집된 재해이력과 강우량 데이터베이스를 바탕으로 사면파괴를 유형별(토석류, 얕은 사면파괴 등)로 분류하고, 통계적 기법인 분위수 회귀분석을 이용하여 강우강도 및 기간을 분석함으로써 강우 한계선을 제안하였다. 뿐만 아니라 2013년의 재해이력 자료를 통해 제안된 한계선의 검증을 수행하였다. 또한 국외의 한계선과 제안된 한계선을 비교 분석하였다. 본 연구에서 제안된 강우 한계선은 산사태 예 경보시스템을 구축할 때 기초자료로 사용될 수 있다고 판단된다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제10권2호
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• pp.79-99
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• 2010

Pulsed current-voltage (I-V) methods are introduced to evaluate the impact of fast transient charge trapping on the performance of high-k dielectric transistors. Several pulsed I-V measurement configurations and measurement requirements are critically reviewed. Properly configured pulsed I-V measurements are shown to be capable of extracting such device characteristics as trap-free mobility, trap-induced threshold voltage shift (${\Delta}V_t$), as well as effective fast transient trap density. The results demonstrate that the pulsed I-V measurements are an essential technique for evaluating high-$\kappa$ gate dielectric devices.

• 전자공학회논문지D
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• 제36D권4호
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• pp.77-85
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• 1999

본 논문은 진성영역에서 공핍증 폭이 선형적으로 변화한다는 가정을 도입하고 전자이동도의 수평 및 수직 전계 이존성을 고려하여 단채널 MOSFET의 {{{{ { I-V }_{ } }}}} 특성에 대한 해석적 모형을 제시하였다. 이 모형으로부터 전 동작영역에 걸쳐 적용되는 문턱전압 방정식과 드레인전류 방정식을 도출하였다. 본 모형의 타당성을 검토하기 위하여 위 식들의 계산을 수행하였고, 그 결과 채널길이가 짧아짐에 따라 문턱전압이 지수함수적으로 감소하였으며, 아울러 채널길이변조, 채널이동로 열화 등을 본 모형에 의하여 일괄적으로 설명할 수 있었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 하계학술대회 논문집 E
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• pp.2277-2279
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• 1999

We have investigated the characteristic analysis of ultrasonic in case of occurring partial discharge in experimental steel chamber. This study presents the discriminative method of partial discharge by optimum threshold value. We have carried out the experiments of measuring partial discharge numbers between ultrasonic sensor and transducer with changing distance and barrier inside steel chamber. After the measured data were trasformed A/D conversion by GPIB, we used the optimum method of threshold value for counting numbers of partial discharge.

• 전자공학회논문지D
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• 제34D권3호
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• pp.60-73
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• 1997

By introducing a compressive-strained quanternary InGaAsP quantum-wells instead of a conventional ternary InGaAs quantum-wells in 1.55.mu.m DFB-LD, the lasing performances canb e improved and the problems caused by the thickness non-uniformity and the compositional abruptness among the hetero-interpaces canb e relaxed. In this paper, we investigated an iptimum InGaAsP/InGaAsP multiple-quantum-well(MQW) structure as an active layer in a direct-modulated 1.55.mu. DFB-LD from the view point of threshold current, chirping charcteristics, and resonance frequency. The optimum compressive-strained MQW structure was revealed as InGaAsP/InGaAsP structure with strain amount of about 1.2%, number of wells $N_{w}$ of 7, well width $L_{w}$ of 58.agns.. The threshold current density J of 500A/c $m^{2}$, the linewidth enhancement factor a of 1.8, and differential resonance frequency of d $f_{r}$/d(I-I)$^{1}$2/=2GHz/(mA)$^{1}$2/(atI=2 $I_{th}$) were expected in 1.55.mu.m .gamma./4-shifted DFB-LD with the cavity length of 400.mu.m long and kL value of 1.25. These values are considerably improved ones compared to those of 1.55um DFB-LD with InGaAs/InGaAsP MQW which have enhancement factor and the resonance frequence frequency by the detuning of lasing wavelength and gain-peak wavelength. It was found that the linewidth enhancement factor of 20% and differential resonance frequency of 35% without the degradation of the threshold current density could be enhanced in the range of -15nm~-20nm detuning which can be realized by controlling the thickness and Incomposition of InGaAsP well. well.and Incomposition of InGaAsP well. well.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제10권7호
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• pp.1222-1228
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• 2006

본 논문에서는 적응적 임계값과 반화소 움직임 벡터를 이용한 비디오 워터마킹 방법을 제안한다. 기존의 방법은 모든 매크로블록에 대해 워터마크삽입 조건을 검색하고, 임의의 움직임 벡터에 워터마크가 삽입되므로 움직임 벡터 변경이 많고, 비가시성이 떨어진다. 제안한 방법은 PMV를 이용하여 임계값을 생성하고, 임계값보다 큰 움직임 벡터에 워터마크를삽입하므로 움직임 벡터 변경 횟수가 적고, 비가시성이 향상된다. 실험결과 제안한 방법은 바디오 비트스트림에 따라 평균 5.4 dB ~ 9.3 dB 의 비가시성 특성이 향상됨을 알 수 있었다.