• 제목/요약/키워드: I-D curve

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강우자료를 이용한 사방댐 배면 퇴적물의 준설시기 선정 (Suggestion on the Dredging Time of Sediments Behind Debris Barrier Using Rainfall Data)

  • 송영석;김민석;정인근
    • 지질공학
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    • 제29권1호
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    • pp.13-21
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    • 2019
  • 준설퇴적물 관리시스템이 설치된 사방댐(강원도 인제군)을 대상으로 강우강도-강우지속시간 한계곡선(I-D curve)을 이용하여 사방댐 배면의 퇴적물에 대한 준설시기를 선정하였다. 강원지역에서 약 30년 동안 6-9월 사이의 집중호우로 발생된 산사태 자료를 이용하여 I-D curve를 제안하였다. 준설관리시스템의 운영기간 동안 연구지역에서는 산사태가 발생되지 않았으며, 모든 강우사상은 I-D curve 아래에 위치하고 있다. 준설퇴적물 관리시스템에 대한 모니터링 결과 준설퇴적물 관리시스템에서 측정된 준설퇴적물 하중은 증가 양상을 보였으나 증가량은 적은 것으로 나타났다. 따라서 준설퇴적물의 증가는 산사태에 의한 것이 아니라 집중호우시 산지표층부에서 발생된 일부 토사유실에 의한 것임을 알 수 있다. 준설퇴적물 관리시스템에 설치된 강우자료를 활용하여 사방댐 배면 준설퇴적물의 양을 실시간으로 확인할 수 있으며, 강우 한계곡선(I-D curve)을 함께 활용할 경우 사방댐 배면의 퇴적물에 대한 최적의 준설시기 선정이 가능하게 된다.

Box-Cox 변환에 의한 I-D-F 곡선의 평활화 (The Smoothing of Rainfall Intensity - Duration - frequency Relationships curve by the Box-Cox Transformation)

  • 이희창;성기원
    • 한국수자원학회논문집
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    • 제36권2호
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    • pp.153-159
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    • 2003
  • I-D-F곡선을 유도할 때 강우자료의 보유연한이 충분하지 않을 경우 지속시간별 강우강도의 변화가 매끄럽게 연결되지 못하는 경우가 발생하기도 한다. 특히 곡선에서, 상대적인 장시간에 강우강도가 크게 되는 문제는 실무적으로 I-D-F 곡선을 이용하는데 큰 혼란을 야기 시킨다. 본 연구에서는 강우자료를 Box-Cox변환을 이용하여 지속시간과 강우강도의 상관관계를 통해 이러한 문제를 해결하는 방법을 제시한다. 산청과 영천의 강우자료에 대한 분석결과 Box-Cox 변환의 실효성을 확인할 수 있었다.

A VANISHING THEOREM FOR REDUCIBLE SPACE CURVES AND THE CONSTRUCTION OF SMOOTH SPACE CURVES IN THE RANGE C

  • Ballico, Edoardo
    • 대한수학회논문집
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    • 제34권1호
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    • pp.105-111
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    • 2019
  • Let $Y{\subset}{\mathbb{P}}^3$ be a degree d reduced curve with only planar singularities. We prove that $h^i({\mathcal{I}}_Y(t))=0$, i = 1, 2, for all $t{\geq}d-2$. We use this result and linkage to construct some triples (d, g, s), $d>s^2$, with very large g for which there is a smooth and connected curve of degree d and genus g, $h^0({\mathcal{I}}_C(s))=1$ and describe the Hartshorne-Rao module of C.

도시유역의 Fwl-D-F 곡선 산정 및 활용에 관한 연구 (Study on Estimation and Application of the Fwl-D-F curves for Urban Basins)

  • 최현일;김응석
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제11권7호
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    • pp.2687-2692
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    • 2010
  • 과거 홍수량 분석을 위해 다양한 연구가 진행되었으며 특히, 홍수량-지속시간-빈도곡선(flood-duration-frequency curves)의 연구가 국외에서 진행되었다. 그러나 국내의 수문자료는 하천의 특정지점에서 홍수량 자료 보다는 수위자료를 쉽게 수집 가능하기 때문에 본 연구에서는 도시유역의 홍수에 따른 홍수위험도를 정량적으로 분석하기 위하여 기존의 강우강도-지속시간-빈도곡선(Indensity-duration-frequency curves)을 응용한 홍수위-지속시간-빈도곡선(flood water level-duration-frequency curves: Fwl-D-F)방법을 제시하였다. 연구의 대상지역은 한강수계 중량천의 중량교 지점으로 18년간의 수위 자료를 이용하여 Fwl-D-F곡선을 산정하였다. 홍수위에 대한 지속기간별 빈도곡선인 Fwl-D-F 곡선은 특정한 홍수위에 따른 값을 빈도개념으로 적용이 가능하므로, 내수침수를 포함한 홍수예보에 많은 도움이 될 수 있으리라 판단된다. 또한, 특정 호우사상에 대한 강우량이 예측되면 작성된 강우강도-지속시간-빈도곡선(I-D-F곡선)과 Fwl-D-F곡선을 연계하여 임의 관측지점의 수위를 예측하는 것이 가능하다고 사료된다.

적응 블라인드 CMA 어레이를 이용한 간섭 제거 수신기에 관한 연구 (A Study on Interference Cancelling Receiver with Adaptive Blind CMA Array)

  • 우대호;변윤식
    • 한국통신학회논문지
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    • 제27권4A호
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    • pp.330-335
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    • 2002
  • DS-CDMA 시스템에서는 다중 접속으로 인하여 다중 접속 간섭 문제가 발생되어진다. 이 문제를 해결하기 위하여 간섭 제거기가 사용되어졌다. 기존 간섭 제거 수신기는 연속 간섭 제거기와 안테나 어레이를 적용한 구조이다. 이 구조에서 가중치 벡터를 갱신하는 방법에 따라서 방법 I과 II로 구별되어진다. 본 논문에서는 기존 구조에서 가중치 벡터를 갱신하기 위하여 constant modulus 알고리즘의 비용함수를 사용한 적응 블라인드 CMA 어레이 간섭 제거 수신기를 제안하였다. 모의 실험은 가우시안 환경 하에서 SIR과 BER 곡선에 의해서 제안된 수신기와 연속 간섭 제거기예 안테나 어레이를 확장한 기존 간섭 제거 기술들과 비교하였다. 모의 실험 결과, 제안된 수신기가 기존 수신기 방법 I보다 SIR 곡선에서 1.5[dB]의 SIR 이득을 지니고, 방법 II보다는 약 0.5[dB]의 SIR 이득을 지닌다. BER 곡선에서는 방법 I보다는 약 2[dB] SNR 이득을 지니고, 방법II보다는 약 0.5[dB] SNR 이득을 지닌다. 따라서 제안된 간섭 제거기가 기존 간섭 제거 기들보다 더 나은 성능을 지니고 있음을 보여 주고 있다.

3D NURBS 곡선의 해석적 및 이산적 순정 (Analytic and Discrete Fairing of 3D NURBS Curves)

  • 홍충성;홍석용;이현찬
    • 한국CDE학회논문집
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    • 제4권2호
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    • pp.127-138
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    • 1999
  • For reverse engineering, curves and surfaces are modeled for new products by interpolating the digitized data points. But there are many measuring or deviation errors. Therefore, it is important to handle errors during the curve or surface modeling. If the errors are ignored, designer could get undesirable results. For this reason, fairing procedure with the aesthetics criteria is necessary in computer modeling. This paper presents methods of 3D NURBS curve fairing. The techniques are based on automatic repositioning of the digitized dat points or the NURBS curve control points by a constrained nonlinear optimization algorithm. The objective function is derived variously by derived curved. Constraints are distance measures between the original and the modified digitized data points. Changes I curve shape are analyzed by illustrations of curve shapes, and continuous plotting of curvature and torsion.

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점 강우모형과 강우강도-지속기간-생기빈도 해석 (A Point Rainfal1 Model and Rainfall Intensity-Duration-Frequency Analysis)

  • 유철상;김남원;정광식
    • 한국수자원학회논문집
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    • 제34권6호
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    • pp.577-586
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    • 2001
  • 본 연구에서는 모형의 구조가 상대적으로 간단한 구형펄스모형을 이용하여 I-D-F 곡선을 유도할 수 있는 이론적 방법론을 제시하였다. 강우모형의 구조를 고려하여 유도되는 I-D-F 곡선은 관측 강우의 1차원 및 2타원 통계 특성을 이용하여 추정된 매개변수에 의해 그 형태가 결정되므로 년최대치계열을 이용하여 추정하는 1-D-F 곡선에 비해 비정상적인 강우사상에 상대적으로 덜 민감하게 된다. 본 연구는 서울 및 인천지점에 적용되었으며 이때. 유도 된 I-D-F 곡선은 년최대치계열을 이용하여 유도된 I-D-F 곡선과 비교함으로서 그 적용성을 판단해 보았다. 본 연구의 결과를 요약하면 다음과 같다: (1) 지속기간이 길어짐에 따라 중첩확률은 아주 크게 증가한다. 그러나, 중첩에 따른 강우강도의 증가정도는 지속기간이 증가함에 따라 완만하게 감소하는 추세를 나타내고 있다. (2) 중첩을 고려하는 경우, 특히 지속기간 및 재현기간이 긴 경우에, 강우강도의 증가가 두드러짐을 확인할 수 있었다. 이는 깅 우강도의 계산 시 추정된 중첩확률과 재현기간을 함께 고려함으로 생기는 당연한 결과이다. 아울러, 서울과 인천지점의 비교에서는 서울지점의 경우가 중첩의 효과가 더욱 크게 나타나고 있음을 확인할 수 있었으며, 이는 추정된 중첩확률의 차이, 보다 궁극적으로는 구형펄스모형의 매개변수의 차이로 설명될 수 있다. (3) 본 연구에서 사용한 구형펄스 모형은 강우의 군집특성을 고려하지 못함으로 유도된 I-D-F 곡선도 전체적으로 년최대치를 이용한 I-D-F 곡선에 비해 작은 강우강도를 나타내었었다. 그러나 각 곡선의 전체적인 형태는 유사함을 확인할 수 있었으며 강우의 군집특성을 고려하는 강우모형을 사용할 경우 보다 나은 결과를 유도할 수 있을 것으로 판단된다.

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형광단이 붙어 있는 인산결합 단백질에 의한 인산 배출의 실시간 측정 (Real Time Scale Measurement of Inorganic Phosphate Release by Fluorophore Labeled Phosphate Binding Protein)

  • 정용주
    • 생명과학회지
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    • 제15권6호
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    • pp.935-940
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    • 2005
  • Coumarine이 부착된 인산결합 단백질 (PBP-MDCC)의 형광변화가 뉴클레오사이드 삼인산 가수분해과정에서 배출된 무기 인산의 양을 측정하기 위해 관찰되었다. PBP-MDCC 정제후, 형광 방출 스펙트럼은 형광세기가 PBP-MDCC의 몰비을로 약 $70\%$까지 직선형태로 증가하는 것을 보였다. 형광 신호와 인산 기준물질과의 상호관계 측정이 인산 농도-형광세기 표준곡선을 구하기 위하여 stopped-flow 기구에서 행하여졌다. dTTP 가수분해로 부터 나오는 에너지를 이용하여 이중나선 DNA를 풀어주는 단백질인 T7박테리오파지 나선효소를 dPTT라 반응 시켰을 때, 형광변화를 배출된 인산의 양으로 전환할 수 있었다. 인산 배출 결과는 단일가닥 Ml3 DNA가 T7나선 효소에 의한 dTTP가수분해반응을 여러배 증가시키는 것을 보인다. 뉴클레오타이드 삼인산 가수분해 반응에 있어서 종말점 분석 대신에, PBP-MDCC에 의한 연속적인 인산 배출 분석이 배출된 인산을 측정하는데 있어서 쉽고 편리한 방법임을 보였다.

D.I.T.I.를 이용한 척추측만증 진단의 임상적 고찰 (A Clinical Study on Diagnosis of the patients with Scoliosis by D.I.T.I.)

  • 배은정;서정철;임성철;한상원
    • Journal of Acupuncture Research
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    • 제21권1호
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    • pp.51-58
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    • 2004
  • Objective: The purpose of this study is to report that D.I.T.I. can be used for diagnosis of scoliosis. Methods: We measured the posterior trunk surface of the patients with shoulder pain or low back pain. They were ruled out as scoliosis by D.I.T.I. and compared with X-ray finding of T L-spine Ap views and calculated scoliosis angle. Results: In according to the spinoprocess curve in D.I.T.I. we could rule out as scoliosis. Thermal difference of left and right segmental areas of the patients was showed. Scoliosis angle of the patients ranged from $4^{\circ}$ to $11^{\circ}$ in X-ray finding. Conclusions: The results suggest that D.I.T.I. can explain physiologic and functional abnormalities than X-ray, in diagnosis of scoliosis. But further studies are required to for the diagnosis of scoliosis by analysing D.I.T.I..

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Electrical and Photoluminescence Characteristics of Nanocrystalline Silicon-Oxygen Superlattice for Silicon on Insulator Application

  • Seo, Yong-Jin
    • KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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    • 제2C권5호
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    • pp.258-261
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    • 2002
  • Electrical forming dependent current-voltage (I-V) and numerically derived differential conductance(dI/dV) characteristics have been presented in the multi-layer nano-crystalline silicon/oxygen (no-Si/O) superlattice. Distinct staircase-like features, indicating the presence of resonant tunnel barriers, are clearly observed in the dc I-V characteristics. Also, all samples showed a continuous change in current and zero conductivity around OV corresponding to the Coulomb blockade in the calculated dI/dV-V curve. Also, Ra-man scattering measurement showed the presence of a nano-crystalline Si structure. This result becomes a step in the right direction for the fabrication of silicon-based optoelectronic and quantum devices as well as for the replacement of silicon-on-insulator (SOI) in high speed and low power silicon MOSFET devices of the future.