직경 2~3 nm 크기를 갖는 이산화티탄 나노입자가 산성 용액에서 titanium tetraisopropoxide(TTIP)의 가수분해 반응을 조절함에 의해 합성되었다. 생성된 이산화티탄 나노입자를 졸-겔법에 의해 3-glycidoxypropyl trimethoxysilane(GPTMS)과 반응시킴에 의해 유-무기 혼성 코팅 용액이 제조되었다. 그 후 코팅 용액을 기재인 polycarbonate(PC) 시트 위에 스핀 코팅시키고, $120^{\circ}C$에서 열경화 시켜 고굴절률 하드코팅 도막이 제조되었다. 코팅 도막은 가시광선 영역에서 90%의 높은 광학적 투과율을 보였으며 2H의 연필경도를 나타내었다. 또한 코팅 용액 내의 이산화티탄 나노입자의 함량이 4%에서 25%로 증가됨에 따라 코팅 필름의 굴절률은 633 nm 파장에서 1.502로부터 1.584로 향상되었다.
Silicate-silsesquioxane or siloxane-silsesquioxane hybrid thin films are strong candidates as matrix materials for ultra low dielectric constant (low-k) thin films. We synthesized the silicate-silsesquioxane hybrid resins from tetraethoxyorthosilicate (TEOS) and methyltrimethoxysilane (MTMS) through hydrolysis and condensation polymerization by changing their molar ratios ([TEOS]:[MTMS] = 7:3, 5:5, and 3:7), spin-coating on Si(100) wafers. In the case of [TEOS]:[MTMS] 7:3, the dielectric permittivity value of the resultant thin film was measured at 4.30, exceeding that of the thermal oxide (3.9). This high value was thought to be due to Si-OH groups inside the film and more extensive studies were performed in terms of electronic, ionic, and orientational polarizations using Debye equation. The relationship between the mechanical properties and the synthetic conditions of the silicate-silsesquioxane precursors was also investigated. The synthetic conditions of the low-k films have to be chosen to meet both the low orientational polarization and high mechanical properties requirements. In addition, we have investigated a new solution-based approach to the synthesis of semiconducting chalcogenide films for use in thin-film transistor (TFT) devices, in an attempt to develop a simple and robust solution process for the synthesis of inorganic semiconductors. Our material design strategy is to use a sol-gel reaction to carry out the deposition of a spin-coated CdS film, which can then be converted to a xerogel material. These devices were found to exhibit n-channel TFT characteristics with an excellent field-effect mobility (a saturation mobility of ${\sim}\;48\;cm^2V^{-1}s^{-1}$) and low voltage operation (< 5 V). These results show that these semiconducting thin film materials can be used in low-cost and high-performance printable electronics.
Yb-doped ITO (ITO:Yb) films were deposited on unheated non-alkali glass substrates by magnetron cosputtering using two cathodes (DC, RF) equipped with the ITO and $Yb_2O_3$ target, respectively. The composition of the ITO:Yb films was controlled by adjusting the RF powers from 0 W to 480 W in 120 W steps with the DC power fixed at 70 W. The ITO:Yb films had a higher crystallization temperature ($200^{\circ}C$) than that of the ITO films ($170^{\circ}C$), which was attributed to both larger ionic radius of $Yb^{3+}$ and higher bond enthalpy of $Yb_2O_3$, compared to ITO. This amorphous ITO:Yb film post-annealed at $170^{\circ}C$ showed a resistivity of $5.52{\times}10^{-4}{\Omega}cm$, indicating that a introduction of Yb increased resistivity of the ITO film. However, these amorphous ITO:Yb films showed a high etching rate, fine pattering property, and a very smooth surface morphology above the crystallization temperature of the amorphous ITO films (about $170^{\circ}C$). The transmittance of all films was >80% in the visible region.
Two different organic-inorganic hybrid thin film transistors (OITFTs) with the structures of glass/ITO/ZnO/PMMA/Al (staggered structure) and glass/ITO/PMMA/ZnO/Al (inverted staggered structure), were fabricated and their electrical and structural properties were compared. The ZnO thin films used as active channel layers were deposited by the atomic layer deposition (ALD) method at a temperature of $100^{\circ}C$. To investigate the effect of the substrates on their properties, the ZnO films were deposited on bare glass, PMMA/glass and ITO/glass substrates and their crystal properties and surface morphologies were analyzed. The structural properties of the ZnO films varied with the substrate conditions. The ZnO film deposited on the ITO/glass substrate showed better crystallinity and morphologies, such as a higher preferred c-axis orientation, lower FWHM value and larger particle size compared with the one deposited on the PMMA/glass substrate. The field effect mobility ($\mu$), threshold voltage ($V_T$) and $I_{on/off}$ switching ratio for the OITFT with the staggered structure were about $0.61\;cm^2/V{\cdot}s$, 5.5 V and $10^2$, whereas those of the OITFT with the inverted staggered structure were found to be $0.31\;cm^2/V{\cdot}s$, 6.8 V and 10, respectively. The improved electrical properties for the staggered OITFTs may originate from the improved crystal properties and larger particle size of the ZnO active layer.
본 연구에서는 게스트 분자(guest molecule)의 특성이 고분자/베타-사이클로덱스트린(beta-cyclodextrin) 포접화합물(inclusion compound)로 이루어진 고분자 필름의 구조 및 물성에 미치는 영향에 대해서 고찰하고자 한다. 본 연구에서 사용된 게스트 분자는 미백 효과를 지니는 것으로 알려진 3가지로 하이드로퀴논(hydroquinone, HQ), 알부틴(arbutin, AB), 그리고 트랜액사믹 애시드(tranexamic acid, TA)이다. 먼저, 베타-사이클로덱스트린과 게스트 분자 간의 포접화합물의 성공적인 형성과 이를 포함하는 고분자 필름의 제조여부를 라만(Raman) 분광학으로 확인하였다. 포접화합물을 포함하는 고분자 필름의 구조 및 물성은 엑스선 회절법(X-ray diffraction)과 주사열용량법 및 열중량추적법 같은 열분석법으로 고찰하였다. 그 결과, 트랜액사믹 애시드의 영향이 다른 분자의 영향과 비교하여 상당히 상이하였음을 관찰할 수 있었다. 이러한 경향은 간단한 분자 시뮬레이션 기법으로 재검증하였다. 본 연구는 포접화합물을 형성하는 게스트 분자들의 상이한 영향에 대한 체계적인 접근을 통한 실험적 검증의 사례로 향후 관련 연구에 중요한 정보를 제공할 것으로 기대된다.
We investigated the operating characteristics of the hybrid-type superconducting fault current limiter (SFCL) according to the inductance of secondary windings. The hybrid type SFCL consists of a transformer that has a primary winding and a secondary winding with serially connected $YBa_2Cu_3O_7$ (YBCO) films. The resistive-type SFCL has difficulty when it comes to raising the capacity of the SFCL due to slight differences of critical current densities between units and structure of the SFCL. The hybrid-type SFCL with closed-loop is able to achieve capacity increase through the electrical isolation and reduction of the inductance of the secondary winding with a superconducting element of the same critical current. On the other hand, the current limiting characteristics were nearly identical in the hybrid-type SFCL with open-loop compared to closed-loop, but quench time was longer than the hybrid-type SFCL with closed-loop. We confirmed that the capacity of the SFCL was increased effectively by the reduced inductance of the secondary winding. In addition, the power burden of the system also could be lowered by reducing the inductance of secondary winding.
The effect of the Pt electrode and the $Pt-IrO_2$ hybrid electrode on the performance of ferroelectric device was investigated. The modified Pt thin films with non-columnar structure significantly reduced the oxidation of TiN diffusion barrier layer, which rendered it possible to incorporate the simple stacked structure of Pt/TiN/poly-Si plug. When a $Pt-IrO_2$ hybrid electrode is applied, PZT thin film properties are influenced by the thickness and the partial coverage of the electrode layers. The optimized $Pt-IrO_2$ hybrid electrode significantly enhanced the fatigue properties of the PZT thin film with minimal leakage current.
We present a systematic study of the electrical, optical and electromechanical properties of flexible graphene/metal grid hybrid transparent conductive electrodes using 4-point prove method, ultraviolet/visible spectrometer and inner/outer bending test system. The hybrid electrodes were synthesized by depositing a silver grid on a graphene surface. The sheet resistance of hybrid electrodes was as low as 30 Ω/square, while the transmittance was 90%. The electromechanical properties as a function of the change of bending radius were evaluated by measuring the change in resistance. The result will be presented in detail. We believe that these results will provide useful information for the flexible optoelectronic devices based on graphene transparent electrodes.
한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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pp.1501-1504
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2006
The WV film successfully enlarged the field of view of the TN mode and made TN popular for larger size applications such as PC monitors. The hybrid alignment of the PDM (polymerized discotic material) layer is also suited for the OCB mode, which is promising as a nextgeneration LCD-TV because of fast panel response and a wide viewing angle. This paper describes recent technological progress in WV films, especially for OCB.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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