• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1987년도 정기총회 및 창립40주년기념 학술대회 학회본부
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• pp.193-196
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• 1987

We reported that hot electron phenomena in submicron nMOSFET by Monte Carlo method. In order to predict the influence of the hot electron effects on the device reliability, either simple analytical model or a complete two dimensional numerical simulation has been adopted. Results of numerical simulation, based on the static mobility model, may be inaccurate when gate length of MOSFET is scaled down to less than 1um. Most of device simulation packages utilize the static nobility model. Monte Carlo method based on stochastic analysis of carrier movement may be a powerful tool to characterize hot electrons. In this work, energy and velocity distribution of carriers were obtained to predict the relative degree of short channel effects for different device parameters. Our analysis shows a few interesting results when $V_{ds}$ is 5 volt, average electron energy does not increase with gate bias as evidenced by substrate current.

• Macromolecular Research
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• 제12권5호
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• pp.437-442
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• 2004

We have fabricated a polymeric waveguide by using a hot embossing technique and have investigated its propagation loss. The replication of waveguide channels through the use of a hot embossing technique is of interest as a single-step process that could deliver surface roughnesses far smaller than the wavelength. We have evaluated experimentally that the sidewall roughness has a dominant effect on insertion losses of the multimode polymeric waveguide. The propagation loss of the waveguide decreased dramatically upon decreasing the sidewall roughness of the channel. We have confirmed that the preparation of waveguides having nanometer-scale sidewall roughness and 0.1 dB/cm propagation loss is possible when using the hot embossing technique.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권7호
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• pp.21-29
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• 2004

본 논문에서는 Dual oxide를 갖는 Nano-scale CMOSFET에서 각 소자의 Hot carrier 특성을 분석하여 두 가지 중요한 결과를 나타내었다. 하나는 NMOSFET Thin/Thick인 경우 CHC stress 보다는 DAHC stress에 의한 소자 열화가 지배적이고, Hot electron이 중요하게 영향을 미치고 있는 반면에, PMOSFET에서는 특히 Hot hole에 의한 영향이 주로 나타나고 있다는 것이다. 다른 하나는, Thick MOSFET인 경우 여전히 NMOSFET의 수명이 PMOSFET의 수명에 비해 작지만, Thin MOSFET에서는 오히려 PMOSFET의 수명이 NMOSFET보다 작다는 것이다. 이러한 분석결과는 Charge pumping current 측정을 통해 간접적으로 확인하였다. 따라서 Nano-scale CMOSFET에서의 NMOSFET보다는 PMOSFET에 대한 Hot camel lifetime 감소에 관심을 기울여야 하며, Hot hole에 대한 연구가 진행되어야 한다고 할 수 있다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제24권5호
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• pp.818-822
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• 1987

Gate capacitances have been measured directly on small-geometry MOSFET's with the drain voltage as a parameter for various channel lengths and for p and n channel types and the characteristics have been compared with each other. The influence of 'hot carrier effect' of short channel devices on capaciatance has been compared with long channel devices. The results show that gate capacitance characteristics of short channel device deviate from those of long channel device. The accuracy of the measurement system is less than a few femto Farad, and the minimum geometry (W/L) of device for which reliable measurement can be obtained is 6/3.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권1호
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• pp.26-32
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• 1998

We have studied how the characteristics degradation between effective mobility and field effect mobility of gate channel in p-MOSFET's affects the gate channel length being follow by increased stress time and increased drain-source voltage stress. The experimental results between effective and field-effect mobility were analyzed that the measurement data are identical at the point of minimum slope in threshold voltage, the other part is different, that is, the effective mobility it the faster than the field-effect mobility. Also, It was found that the effective and field-effect mobility. Also, It was found that the effective and field-effect mobility of p-MOSFET's with short channel are increased by decreased channel length, increased stress time and increased drain-source voltage stress.

• 전기전자학회논문지
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• 제14권1호
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• pp.1-7
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• 2010

본 논문은 디스플레이포트 v1.1a 표준에 적합한 AUX(Auxiliary) 채널 구현에 대한 논문이다. 디스플레이포트는 영상 및 음성을 전달하기 하기 위해 메인 링크, AUX 채널, 핫 플러그 검출 라인을 사용한다. 등시적 전송 서비스를 제공하기 위해서 소스 디바이스는 메인 링크를 통해 전달될 영상 및 음성 신호를 특정 형태로 변환하여 재구성하고 싱크 디바이스로 전달한다. AUX 채널은 메인 링크를 구성하고 유지하기 위해 링크 서비스를 제공한다. 그리고 디스플레이 장치가 소스 디바이스에서 전송된 데이터를 정상적으로 나타낼 수 있는지 파악하기 위해 디바이스 서비스를 제공한다. 핫 플러그 검출 라인은 두 디바이스간의 연결을 확인하기 위해서 사용한다. 본 논문은 AUX 채널 구현을 목표로 설계하였으며 설계된 시스템은 SoC Master3를 이용하여 검증을 수행하였다. 합성 툴은 Xilinx ISE 9.2i를 사용하여 3315개의 LUTs와 1466개의 Flip Flops을 사용하였고 최대 168.782MHz 동작 속도의 결과를 얻었다.

• 대한기계학회논문집B
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• 제35권11호
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• pp.1119-1126
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• 2011

기존 마이크로채널 열교환기는 한 플레이트에 고온 또는 저온, 한 종류의 유체만이 흐르고 있다. 채널 내부를 흐르는 유체의 수직 방향으로는 다른 종류의 유체가 존재하지만, 수평 방향으로는 같은 종류의 유체가 존재한다. 그로 인해 수평 방향의 열전달률은 수직 방향에 비하여 낮게 나타나게 된다. 열교환기 성능 향상을 위하여 한 플레이트에서 고온, 저온 유동이 번갈아가며 존재하는 새로운 채널 배열을 제안하였다. 새로운 채널 배열을 위해서는 특별한 입구 및 출구 설계가 필요하다. 제안된 채널 배열을 통하여 기존 열교환기보다 높은 열전달률을 얻을 수 있다. Reynolds 수와 Prandtl수가 증가할수록 새로운 채널 배열로 인한 열 성능 향상이 증가하고, 고체와 유체의 열전도계수 비가 증가할수록 열 성능 향상은 감소한다.

• 한국항공우주학회지
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• 제32권3호
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• pp.102-110
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• 2004

재생냉각 설계 프로그램을 개발하였으며 CFD 해석과 RTE 코드를 사용하여 결과를 검증하였다. 본 코드는 재생냉각 성능과 연소실 벽의 응력 예측을 주요 기능으로 하며 연소가스와 냉각유체의 열전달은 경험식을 사용하고 립의 핀효과는 이론 관계식을 이용하였다. 연소실 벽의 온도는 RTE 코드를 사용한 결과와 비교하여 최대 약 100 K 차이를 보였으며 열유속과 연소가스의 열전달 계수는 10 % 미만의 차이를 보였다. 벽온도의 차이는 핀효과의 과소평가에 기인한 것으로 판단된다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제12권1호
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• pp.46-52
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• 2012

Separate extraction of source ($R_S$) and drain ($R_D$) resistances caused by process, layout variations and long term degradation is very important in modeling and characterization of MOSFETs. In this work, we propose "Avalanche Hot-Source Method (AHSM)" for simple separated extraction of $R_S$ and $R_D$ in a single device. In AHSM, the high field region near the drain works as a new source for abundant carriers governing the current-voltage relationship in the MOSFET at high drain bias. We applied AHSM to n-channel MOSFETs as single-finger type with different channel width/length (W/L) combinations and verified its usefulness in the extraction of $R_S$ and $R_D$. We also confirmed that there is a negligible drift in the threshold voltage ($V_T$) and the subthreshold slope (SSW) even after application of the method to devices under practical conditions.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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• pp.80-83
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• 2003

In this paper, the programming characteristics of the multi-bit devices based on SONOS structure are investigated. Our devices have been fabricated by $0.35\;{\mu}m$ complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) process with LOCOS isolation. In order to achieve the two-bits per cell operation, charges must be locally trapped in the nitride layer above the channel near the junction. Channel hot electron (CHE) injection for programming can operate in multi-bit using localized trap in nitride film. CHE injection in our devices is achieved with the single power supply of 5 V. To demonstrate CHE injection, substrate current (Isub) and one-shot programming curve were investigated. The multi-bit operation which stores two-bit per cell is investigated with a reverse read scheme. Also, hot hole injection for fast erasing is used. Due to the ultra-thin gate dielectrics, our results show many advantages which are simpler process, better scalability and lower programming voltage compared to any other two-bit storage flash memory. This fabricated structure and programming characteristics are shown to be the most promising for the multi-bit flash memory.