Degradation Characteristics of Hot-Electron-Induced p-MOSFET's GateOxide Thickness Variations by Stress (스트레스에 의한 핫-전자가 유기된 p-MOSFET의 게이트 산화막 두께 변화의 열화의 특성 분석)
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- Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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- v.31A no.1
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- pp.77-83
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- 1994