We have been developing a new magnetic filter so that small sized paramagnetic substances can be separated even in a low magnetic field (lower than 2T). The developed filter is a packed ferromagnetic filament with a triangular cross section. The filament has a diameter of 120 ㎛ and a length of 3 mm, and is mechanically packed with a volume ratio of 17.6%. Using this filter, a magnetic separation experiment of hematite was carried out using a superconducting magnet at the field of 2T. Similarly, magnetic separation was performed using a conventional magnetic filter. It became clear that the separation efficiency of newly developed filter is high as that of conventional mesh filter. The smaller sized hematite (<3 ㎛) could be separated though conventional mesh filter could not separate.
The microstructure and field emission properties of carbon nanotubes(CNT) grown by Ni-catalytic chemical vapor deposition(CVD) were investigated. CVD-grown CNT had a high density of curved shape with randomly oriented. It was found that an increase in electric field caused an increase in field emission current and field emission sites of CNT. The maximum field emission current density was measured to be 3.6 ㎃/$\textrm{cm}^2$ at 2.5 V/$\mu\textrm{m}$, while the brightness of 56 cd/$\textrm{cm}^2$ was observed for the CNT-grown area of 0.8 $\textrm{cm}^2$ from a phosphor screen. Field emission current at constant electric field gradually decreased initially and then stabilized with time.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2001.05a
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pp.469-473
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2001
This paper describes a rotation-type field mill to measure the electric field intensity caused by thunderclouds on the ground level. The field mill developed is consisted of two isolated electrode vanes, a grounded stator and a rotor. To develop a high sensitive field mill, the principles and design rules of a rotation-type field mill are studied. Also, two types of calibration system, such as a cylindrical guard electrodes and a parallel-plate electrodes, are proposed to determine the sensitivity and frequency bandwidth of the field mill. From the calibration experiment, the frequency bandwidth and the sensitivity of the field mill arc DC ∼ 200 [MHz] and 0.267 [mV/Vm], respectively. Therefore, it can measure the electric field intensity from 73[V/m] to 18.7[kV/m].
In this paper, a new and simple method is proposed to quickly estimate the induced electric field in the human child exposed to a 100 kHz-10 MHz magnetic field, for the sake of electromagnetic field (EMF) safety assessment. The quasi-static finite-difference time-domain (FDTD) method is used to calculate the induced electric fields in high resolution 3D human child models with various body size parameters, in order to derive the correction factor for the estimation equation. The calculations are repeated for various frequencies and incident angles of the magnetic field. Based on these calculation results, a new and simple estimation equation for the 99th percentile value of the body electric field is derived that depends on the body size parameters, and the incident magnetic field. The estimation errors were equal to or less than 5.1%, for all cases considered.
Cho, Seong-Jae;Sun, Min-Chul;Kim, Ga-Ram;Kamins, Theodore I.;Park, Byung-Gook;Harris, James S. Jr.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.11
no.3
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pp.182-189
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2011
In this work, a tunneling field-effect transistor (TFET) based on heterojunctions of compound and Group IV semiconductors is introduced and simulated. TFETs based on either silicon or compound semiconductors have been intensively researched due to their merits of robustness against short channel effects (SCEs) and excellent subthreshold swing (SS) characteristics. However, silicon TFETs have the drawback of low on-current and compound ones are difficult to integrate with silicon CMOS circuits. In order to combine the high tunneling efficiency of narrow bandgap material TFETs and the high mobility of III-V TFETs, a Type-I heterojunction tunneling field-effect transistor (I-HTFET) adopting $Ge-Al_xGa_{1-x}As-Ge$ system has been optimized by simulation in terms of aluminum (Al) composition. To maximize device performance, we considered a nanowire structure, and it was shown that high performance (HP) logic technology can be achieved by the proposed device. The optimum Al composition turned out to be around 20% (x=0.2).
In this study, we have developed the high resolution multichannel seismic data acquisition system and shallow marine seismic source. It is easy to operate and handle our source system which utilizes piezoelectric transducer of high electrical power. We have manufactured two 4-channel streamers for multi-channel marine seismic survey. In the recording part, we used 24bits and 8 channel high speed A/D board. Therefore, we could achieve the improvement of data quality and the efficiency of data acquisition. We compared the developed system with the conventional system to demonstrate its field applicability.
Ahn, Byoung-Sup;Zhang, Lanxiang;Liu, Yong;Kang, Ey Goo
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.28
no.8
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pp.486-489
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2015
Power semiconductor device has a very long history among semiconductor, since the invention of low-pressure bipolar transistor 1947, and so far from small capacity to withstand voltage-current, high-speed and high-frequency characteristics have been developed with high function. In this study, the PWM IC Switch to the main parts used in IGBT (insulated gate bipolar transistor) for the low power loss and high drive capability of the simulator to Synopsys' T-CAD used by the 1,700 V NPT Planar IGBT, 1,700 V FS was a study of the Planar IGBT, the results confirmed that IGBT 1,700 V FS Planar is making about 11 percent less than the first designed NPT Planar IGBT.
This study was conducted to evaluate the sanitary performance and education of middle and high school foodservice employees in Seoul, South Korea in order to ensure the foodservice safety and identify why some employees cannot apply learned knowledge in real work situations. Subjects consisted of 217 school foodservice employees who attended a regular sanitary education program under the auspices of the Seoul Gangdong and Gangseo district offices. The sanitary performance was assessed with 5 dimensions (personal hygiene, ingredient control, process control, safety management and sanitary education), and was self-evaluated using a Likert 5 point scale. The data were analyzed using the SPSSWIN Version 12.0 package. The main results of the study showed that according to the general characteristics of middle and high school foodservice employees, 98.2% of respondents were women, and 64.1% of them aged 40-49. A total mean score of 5 items of sanitary performance for middle and high school employees was 4.74. Ingredient control field score was 4.83, process control 4.80 and personal hygiene 4.74. In contrast, the sanitary education field score was 4.56, significantly lower than the total mean score. Safety management field score was 4.71. Verbal education was the main method performed as a sanitary education in schools.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.30
no.4
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pp.214-217
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2017
An IGBT (insulated gate bipolar transistor) device has an excellent current-conducting capability. It has been widely employed as a switching device to use in power supplies, converters, solar inverters, and household appliances or the like, designed to handle high power. The aim with IGBT is to meet the requirements for use in ideal power semiconductor devices with a high breakdown voltage, an on-state voltage drop, a high switching speed, and high reliability for power-device applications. In general, the concentration of the drift region decreases when the breakdown voltage increases, but the on-resistance and other characteristics should be reduced to improve the breakdown voltage and on-state voltage drop characteristics by optimizing the design and structure changes. In this paper, using the T-CAD, we designed the NPT-IGBT (non punch-through IGBT) and FS-IGBT (field stop IGBT) and analyzed the electrical characteristics of those devices. Our analysis of the electrical characteristics showed that the FS-IGBT was superior to the NPT-IGBT in terms of the on-state voltage drop.
Purpose. This research study is to understand the effects of field (clinical) Practice on employment choice and decision. Method. The research study conducts a questionnaire survey of trainees who received field (clinical) Training during the period of 2016 summer vacation to analyze the data, utilizing Likert 5 rating scales and conduct a statistical analysis with the tool of SPSS 18.0. Results.. As for the satisfaction of the participation of Practice, girl students account for the high rate (75.1%) compared with boy students (61.7%). Regarding the satisfaction of each Practice spot, ophthalmic clinic reaches the high rate (77.8%) compared with optical shop (65.7%). Practice about practice courses (53.2%) of regular subjects have somewhat close correlations compared with theory courses (46.8%). 75.2% of respondents in the group that shows the high satisfaction of the participation of Practice replied that they would decide employment as an academic major after Practice. And the figure is proved to assume a high ratio. Conclusion. The analytic research outcome indicates that those trainees who received Practice in an ophthalmic clinic have higher satisfaction than those who received Practice in an optical shop. There is the high accomplishment of employment in relation to academic major area instead of other area, after Practice.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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