• 한국결정성장학회지
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• 제14권1호
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• pp.6-11
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• 2004

Bias 인가된 hot filament CVD 방법을 이용해 티타늄을 RF sputtering 법으로 고속도강에 피복하여 중간 층으로 한 후 다이아몬드 박막을 피복할 때 bias 전압의 영향과 계면 층의 특성을 조사하였다. 다이아몬드 증착 시 bias가 인가될 경우 필라멘트에서 전자 방출이 촉진되어 다이아몬드 핵생성과 성장을 촉진시켰으며 본 실험에서의 최적 증착 조건은 증착 압력 20 torr, bias 인가전압 200V, 기판온도 $700^{\circ}C$로 나타났다. 강에의 다이아몬드 박막 형성 시 중간 층으로서의 티타늄은 Fe 및 C에 대한 확산도가 높고 탄화물 형성 원소이므로 다이아몬드 핵생성 및 성장에 적합한 원소로 나타났다.

• 센서학회지
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• 제5권2호
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• pp.61-67
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• 1996

RTCVD (rapid thermal chemical vapor deposition) 법으로 $SiH_{4}$ / $GeH_{4}$ / $H_{2}$ 혼합가스를 사용하여 $Si_{1-x}Ge_{x}$ 구조의 이종접합 에피막을 성장한 후, 성장에 사용된 원료가스의 혼합비에 대한 Ge 조성비 변화와 성장계면 특성 그리고 격자 부정합에 의한 에피막의 결함에 대하여 조사하였다. $650^{\circ}C$의 비교적 낮은 온도에서 $Si_{1-x}Ge_{x}$ /Si 이종접합 에피막을 약 $400\;{\AA}$ 두께로 성장하였을 때 격자부정합에 의한 결함은 관찰되지 않았으며, 공정조건에 따른 Ge 조성비 변화는 $SiH_4$ / $GeH_{4}$의 유량비에 따라 선형적인 특성을 나타내었다. 200 ppm $B_{2}H_{6}$ 가스를 사용한 in-situ 불순물 첨가 공정에서는 $Si_{1-x}Ge_{x}$ / Si 구조의 불순물 농도분포 변화가 접합계면에서 수 백${\AA}$ / decade 로 조절될 수 있었으며, Ge 조성비 변화도 동등한 수준의 계면특성을 나타내었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.309-309
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• 2012

Heteroepitaxial growth remains as one of the continuously growing interests, because the heterogeneous crystallization on different substrates is a common feature in the fabrication processes of many semiconductor materials and devices, such as molecular beam epitaxy, pulsed laser deposition, sputtering, chemical bath deposition, chemical vapor deposition, hydrothermal synthesis, vapor phase transport and so on [1,2]. By using the R.F. sputtering system, ZnO thin films were deposited on graphene 4 and 6 mono layers, which is grown on 400 nm and 600 nm $SiO_2$ substrates, respectively. The ZnO thin layer was deposited at various temperatures by using a ZnO target. In this experimental, the working power and pressure were $3{\times}10^{-3}$ Torr and 50 W, respectively. The base pressure of the chamber was kept at a pressure around $10^{-6}$ Torr by using a turbo molecular pump. The oxygen and argon gas flows were controlled around 5 and 10 sccm by using a mass flow controller system, respectively. The structural properties of the samples were analyzed by XRD measurement. The film surface and carrier concentration were analyzed by an atomic force microscope and Hall measurement system. The surface morphologies were observed using field emission scanning electron microscope (FE-SEM).

• 한국결정성장학회지
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• 제13권6호
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• pp.290-296
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• 2003

본 연구에서는 열화학기상증착법을 사용하여 6H-SiC 기판 위에 silane($SiH_4$)과 prophane($C_3H_8$)을 사용하여 3C-SiC 이종박막을 성장시키고 이의 성장 특성을 조사하였다. C/Si 유량 비율이 4.0, 운반기체의 유량은 5 slm이고 성장온도가 $1200^{\circ}C$인 경우의 박막성장율은 약 1.8 $\mu$m/h이었다. 성장박막의 Nomarski 표면형상, X-선 회절분광, Raman 산란 특성 및 광발광(PL) 특성 등을 측정하고 성장조건에 따른 결정성을 비교하였다. 이러한 평가를 통하여 성장온도 $1150^{\circ}C$ 이상에서 양질의 결정성 3C-SiC 이종박막이 성장점을 확인하였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1994년도 추계 학술발표 강연 및 논문 개요집
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• pp.37-38
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• 1994

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2003년도 추계총회 및 연구발표회 초록집
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• pp.28.2-28
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• 2003

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2002년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.159-159
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• 2002

• 한국표면공학회지
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• 제47권6호
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• pp.287-292
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• 2014

The present study deals with a numerical analysis on the island growth of heteroepitaxial thin-films through local surface diffusivity enhancement. A non-linear governing equation for the surface waviness evolution in lattice-mismatched material systems is developed for the case of spatially-varying surface diffusivity. Results show that a flat film that is stable under constant diffusivity conditions evolves to form nanostructures upon externally-induced spatial diffusivity modulation. The periodicity of waviness can be controlled by changing the modulation parameters, which allows for generation of pattern arrays. The present study therefore points towards a post-deposition treatment technique that achieves controllability and order in the structure formation process for applications in nanoelectronics and thin-film devices.

• 한국결정성장학회지
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• 제21권4호
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• pp.153-157
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• 2011

Inductively Coupled Plasma(ICP)를 이용하여 다양한 조건으로 표면 처리한 Si(100) 기관 위에 Low Pressure Chemical Vapor Deposition(LPCVD)를 이용하여 Ge 층을 이종접합 성장하고, Ge 층 성장 초기의 표면 상태를 Scanning Electron Microscopy(SEM)을 통해 분석하였다. ICP를 이용하여 표면 처리된 Si(100) 기판 위에 성장된 Ge 층의 경우 ICP 처리하지 않은 시편보다 Ge 성장율이 약 5배 이상 증가되었다. ICP 처리된 시편의 Ge 성장률 증가는 ICP 표면 처리 공정으로 Si 기관 표면에서 떨어져 나간 missing dimer가 Ge adatom들에 핵을 형성할 자리를 제공하여 Ge island의 형성과 융합을 촉진시키는 것으로 사료된다.

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2004년도 추계총회 및 연구발표회 초록집
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• pp.79.2-79.2
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• 2004