• 대한화학회지
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• 제19권2호
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• pp.85-91
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• 1975

피페리디노티오세미카르바지드의 결정구조가 X-선을 이용한 단결정 해석에 의하여 해명되었다. 공간군은 $P2_1/c$이며 단위세포는 4분자를 포함하고 있고, 단위세포는 4분자를 포함하고 있고, 세포상수는 $a=14.68{\pm}0.04,\;b=4.59{\pm}0.02,\;c=12.92{\pm}0.04{\AA},\;{\beta}=109.4{\pm}0.2^{\circ}$이다. 3차원적인 회절반점의 강도는 목측에 의하여 얻었다. 결정구조는 패터슨 함수의 해석으로 밝혔고, 원자좌표치는 최소자승법으로 정밀화하였으며 378개의 독립적인 회절반점에 대한 최종 R값은 0.14이었다. 수소결합에는 $N-H{\cdot}{\cdot}{\cdot}S$ 형과 $N-H{\ldots}N$형의 두종류가 있다. $N-H{\ldots}S$형의 길이는 3.28 및 $3.39{\AA}$이고, $N-H{\ldots}N$형의 길이는 $3.03{\AA}$이다. 수소결합외의 분자들을 연결하는 힘은 van der Wasls힘이다.

• 대한화학회지
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• 제30권5호
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• pp.441-448
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• 1986

몰리브덴산암모늄 수용액에서 적절한 살리실알데히드의 메탄올 혼합용액으로부터 디옥소비스(치환-살리실알데히다토) 몰리브덴늄(VI), $MoO_2(X-sal)_2(X=H,\;5-CH_3)$착물을 합성하고, 이들 각각의 화합물과 다양한 일차아민의 반응에 의하여 디옥소비스(치환-살리실알디미나토) 몰리브덴늄(VI)착물, $MoO_2(X-sal-N-R)_2,\;(R=C_6H_5,\;p-F-C_6H_4,\;m-Cl-C_6H_4,\;p-I-C_6H_4$ 및 $p-C_2H_5-C_6H_4)$을 합성하였다. 이들 착물은 모두 $900{\sim}940cm^{-1}$ 부근에서 ${\upsilon}_{Mo}=0$에 기인한 두 개의 강한 흡수띠가 관찰되었고, 핵자기공명스펙트럼에서 N=CH양성자에 대한 한 개의 시그날이 8.9ppm부근에서 나타났다. 이는 이들 착물이 $cis-MoO_2$기를 가진 6배위팔면체 착물임을 나타낸다. 질량분석의 결과로부터, $MoO_2$ : ligand의 결합비가 1:2임을 확인하였고, $MoO_2(5-CH_3-sal-N-R)_2$착물에 대한 분해과정을 조사하였다. 전자흡수스펙트럼에서 $N{\to}Mo$와 $O{\to}Mo$에 해당하는 전하이동전이는 $29,000cm^{-1}$과 $32,000cm^[-1}$부근에서 각각 일어났다. 한편, 디메틸포름아미드에서 측정한 이들 착물에 대한 몰전도도로부터 이들 착물이 비이온성 물질임을 확인하였다.

• 전기전자학회논문지
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• 제18권4호
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• pp.447-455
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• 2014

본 연구에서는 4H-SiC MOSFET의 주요 문제점인 $SiC/SiO_2$ 계면의 특성을 향상시키기 위해 PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) 공정을 이용하여 n-based 4H-SiC MOS Capacitor를 제작하였다. 건식 산화 공정의 낮은 성장속도, 높은 계면포획 밀도와 $SiO_2$의 낮은 항복전계 등의 문제를 극복하기 위하여 PECVD와 NO어닐링 공정을 사용하여 MOS Capacitor를 제작하였다. 제작이 끝난 후, MOS Capacitor의 계면특성을 hi-lo C-V 측정, I-V 측정 및 SIMS를 이용해 측정하고 평가하였다. 계면의 특성을 건식 산화의 경우와 비교한 결과 20% 감소한 평탄대 전압 변화, 25% 감소한 $SiO_2$ 유효 전하 밀도, 8MV/cm의 증가한 $SiO_2$ 항복전계 및 1.57eV의 유효 에너지 장벽 높이, 전도대 아래로 0.375~0.495eV만큼 떨어져 있는 에너지 영역에서 69.05% 감소한 계면 포획 농도를 확인함으로써 향상된 계면 및 산화막 특성을 얻을 수 있었다.

• 대한화학회지
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• 제25권6호
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• pp.343-350
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• 1981

P-Aminobenzaldehyde cyclohexylthiosemicarbazone의 결정 및 분자구조를 Computer controlled four circle diffractometer에 의한 X-선 회절방법으로 해명하였다. 결정은 공간군 C2/c의 단사형계에 속하며 단위세포 상수는 a = 12.488(2), b = 12.276(4), c = 19.997(6)${\AA}$, ${\beta}=103.55(3)^{\circ}$이고 z = 8이다. 구조는 중원자법과 Fourier 방법으로 규명하였으며 full-matrix 최소자승법으로 정밀화하였다. 최종 R값은 2712개의 회절반점에 대하여 0.058이었다. 분자는 N(2)-N(3)결합에대하여 C(8)-S는 trans, C(8)-N(1)은 cis형으로 놓여 있으며 N(1)과 N(3) 원자들이 분자내 수소결합을 만들고 있다. 의자모양의 cyclohexane 고리는 benzene 고리와 $40.7^{\circ}$의 면각을 이루고 있다. 결정내의 분자들은 수소 결합들로 모여져 있는데 $N(2)-H{\ldots}S$ 수소결합이 분자들을 이합체 꼴을 만들며 이들 분자들을 $N-H{\ldots}N$ 수소결합들이 이어주고 있다.

• 전자통신동향분석
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• 제37권5호
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• pp.11-21
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• 2022

GaN (Gallium-Nitride) is a promising candidate material in various radio frequency applications due to its inherent properties including wide bandgap, high carrier concentration, and high electron mobility/saturation velocity. Notably, AlGaN/GaN heterostructure field effect transistor exhibits high operating voltage and high power-density/power at high frequency. In next-generation radar systems, GaN power transistors and monolithic microwave integrated circuits (MMICs) are significant components of transmitting and receiving modules. In this paper, we introduce technological trends for C-/X-/Ku-band GaN MMICs including power amplifiers, low noise amplifiers and switch MMICs, focusing on the status of GaN MMIC fabrication technology and GaN foundry service. Additionally, we review the research for the localization of C-/X-/Ku-band GaN MMICs using in-house GaN transistor and MMIC fabrication technology. We also discuss the results of C-/X-/Ku-band GaN MMICs developed at Defense Materials and Components Convergence Research Department in ETRI.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제18권11호
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• pp.977-982
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• 2005

Al/AlN/n-type 6H-SiC (0001) MIS structures were prepared by AlN layers on vicinal 6H-SiC(0001) substrates with reactive RF magnetron sputtering method. The AlN films were annealed at $900^{\circ}C$, $N_2$ atmosphere lot 1 minutes showed the best result. With XRD analysis, AlN(0002) peak was clearly found. The typical dielectric constant value of the AlN film in the MIS capacitors was obtained as 8.4 from photo C-V. Also, the gate leakage current density of the MlS capacitor was $10^{-10}\;A/cm^2$ order within the electric field of 1.8 MV/cm. Finally, the amount of interface trap densities, $D_{it}$, was evaluated as $5.3\times10^{10}\;eV^{-1}cm^{-2}$ at (Ec-0.85) eV.

• EDISON SW 활용 경진대회 논문집
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• 제5회(2016년)
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• pp.288-291
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• 2016

Recently, there has been a lot of researches related to two-dimensional (2D) materials due to their new properties and applications emerging upon 2D confinement. A new type of graphene like two-dimensional layer material, nitrogenated holey two-dimensional structure C2N-h2D, that is possession of evenly distributed holes and nitrogen atoms with proper bandgap has been synthesized. Previous calculation studies already have shown that the variance of the orbital interaction, band structure of few-layer C2N-h2D suggests that interlayer coupling does play an important role in its electronic properties. In this point, using first-principles density functional theory calculation, we here explore the effect of porous embedded iron atom and iron substrate on encapsulated few layer C2N-h2D. We show the atomic structures and the corresponding electronic structures of Fe@C2N to elucidate the effect of iron. Finally, this study demonstrates that embedded iron C2N has AA-stacking as most favorable stacked structure in contrast to pure C2N. In addition, iron substrate modifies its encapsulated C2N from semi-metallic states to metallic state.

• 대한수학회지
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• 제42권1호
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• pp.111-127
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• 2005

Let B and S be the unit ball and the unit sphere in $\mathbb{C}^n$, respectively. Let ${\sigma}$ be the normalized Lebesgue measure on S. Define the Privalov spaces $N^P(B)\;(1\;<\;p\;<\;{\infty})$ by $$N^P(B)\;=\;\{\;f\;{\in}\;H(B) : \sup_{0 where H(B) is the space of all holomorphic functions in B. Let ${\varphi}$ be a holomorphic self-map of B. Let ${\mu}$ denote the pull-back measure ${\sigma}o({\varphi}^{\ast})^{-1}$. In this paper, we prove that the composition operator $C_{\varphi}$ is metrically bounded on $N^P$(B) if and only if ${\mu}(S(\zeta,\delta)){\le}C{\delta}^n$ for some constant C and $C_{\varphi}$ is metrically compact on $N^P(B)$ if and only if ${\mu}(S(\zeta,\delta))=o({\delta}^n)$ as ${\delta}\;{\downarrow}\;0$ uniformly in ${\zeta}\;\in\;S. Our results are an analogous results for Mac Cluer's Carleson-measure criterion for the boundedness or compactness of $C_{\varphi}$ on the Hardy spaces $H^P(B)$.

• 대한화학회지
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• 제15권6호
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• pp.312-317
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• 1971

아닐린, o-톨루이딘, o-에틸아닐린, o-클로로아닐린등과 $I_2$사이의 상호작용을 자외선 분광광도법으로 조사한 결과 $CCl_4$ 용액내에서 아닐린 또는 상기 o-치환 아닐린과 $I_2$ 사이에 1:1 착물이 형성됨을알았다. 이들 착물의 실온에서의 형성상수를 구한 결과 다음과 같은값을 얻었다. $C_6H_5NH_2{\cdot}I_2,\;12.8lmole^{-1};\;o-CH_3C_6H_4NH_2{\cdot}I_2,\;9.31l mole^{-1};\;o-C_2H_5C_6H_4NH_2{\cdot}I_2,\;3.15l mole^{-1};\;o-ClC_6H_4NH_2{\cdot}I_2,\;0.576 l mole^{-1}$. 본 실험결과를 전 실험의 결과와 비교하면 $I_2{\cdot}$아민 착물의 안정도가 다음 순으로 감소함을 알 수 있다. $C_6H_5N(C_2H_5)_2 >C_6H_5N(CH_3)_2 >C_6H_5NH_2 >o-CH_3C_6H_4NH_2 >o-C_2H_5C_6H_4NH_2 >o-ClC_6H_4NH_2$ 이들 착물의 상대적 안정도는 치환기의 유발효과와 입체효과에 의하여 설명될 수 있다.

• 한국결정학회지
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• 제15권2호
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• pp.78-82
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• 2004

벤젠 존재 하에서, DMF와 에탄올의 혼합 용매에서 zinc(II) nitrate $(Zn(NO_3)_2\;{\cdot}\;6H_2O)$와 $ATP(2-aminoterephthalate,\;H_2N-C_6H_3-1,4-(COO)_2)$의 용매열 반응으로 2차원 배위 고분자 [Zn(ATP) (DMF)] (1)이 얻어졌다 X-ray구조 결정 결과, 2개의 아연 금속과 4개의 ATP 리간드가 paddle-wheel유형의 2차 쌓음 단위들을 형성하고, 이것들은 ATP 리간드에 의해서 연결되어 2차원 4각 망을 이룬다는 것이 밝혀졌다. 아연 금속을 기준으로 각 4각형의 크기는 약$11.1\times11.1\;{\AA}$효이다. 고분자 1을 양질의 결정 상태로 얻기 위해서는 벤젠이 요구되었다.