The development of two-dimensional graphene layers has recently attracted considerable attention because of its tremendous application in various research fields. Semi-metal materials have received significant attention because of their excellent biocompatibility as well as distinct physical, chemical, and mechanical properties. Taking into account the technical importance of graphene in various fields, such as complementary metal-oxide-semiconductor technology, energy-harvesting and -storage devices, biotechnology, electronics, light-emitting diodes, and wearable and flexible applications, it is considered to be a multifunctional component. In this regard, material scientists and researchers have primarily focused on two typical problems: i) direct growth and ii) low-temperature growth of graphene. In this review, we have considered only cold growth of graphene. The review is divided into five sections. Sections 1 and 2 explain the typical characteristics of graphene with a short history and the growth methods adopted, respectively. Graphene's direct growth at low temperatures on a required substrate with a well-established application is then precisely discussed in Sections 3 and 4. Finally, a summary of the review along with future challenges is described in Section 5.
Alloy 600/182 with excellent mechanical/chemical properties have been utilized for nuclear power plants. Although both alloys are known to have superior corrosion resistance, stress corrosion cracking failure has been an issue in primary water environment of nuclear power plants. Therefore, primary water stress corrosion crack (PWSCC) growth rate tests were conducted to investigate crack growth properties of Alloy 600/182. To investigate PWSCC growth rate, test facilities including water chemistry loop, autoclave, and loading system were constructed. In PWSCC crack growth rate tests, half compact-tension specimens were manufactured. These specimens were then placed inside of the autoclave connected to the loop to provide primary water environment. Tested conditions were set at temperature of $360^{\circ}C$ and pressure of 20MPa. Real time crack growth rates of specimens inside the autoclave were measured by Direct Current potential drop (DCPD) method. To confirm inter-granular (IG) crack as a characteristic of PWSCC, fracture surfaces of tested specimens were observed by SEM. Finally, crack growth rate was derived in a specific stress intensity factor (K) range and similarity with overseas database was identified.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.2
no.1
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pp.43-50
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1992
$ LiNbO_3$ single crystals were grown using the Czochralski Method at various pulling speeds. Macroscopic defects such as cracks, bubbles and cellular structures were observed in some crystals. Cracks and bubbles observed in the crystals depended on the pulling speed and cooling rate. $ LiNbO_3$ crystals of about 15mm diameter could be grown properly at 6-7mm/h pulling speed and $ 20^{circ}C/h$ cooling rate. In order to investigate dielectric properties and optical properties for device application, these properties were measured for the sample cut along a axis and c axis at different temperatures.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1994.11a
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pp.90-96
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1994
In this paper, an experiment about the fabrication method of superconductor was made in order to obtain crystal structure by making High T$\sub$C/, superconductor Y$_1$Ba$_2$Cu$_3$O$\sub$x/ to Y$_2$Ba$_1$Cu$_1$O$\sub$x/ of nonsuperconductor phase was added. 211 phase, which can approach crystal structure and growth-orientatoun, was used as seed in the 123 phase which shows the properties of superconductor. Therefore crystal growth effect was able to be attained. And the effect is expected to eleminate thin crack in the growth-process and to improve electrical properties by adding Ag to High T$\sub$c/ superconductor Y$_1$Ba$_2$Cu$_3$O$\sub$x/ combined with Y$_2$Ba$_1$Cu$_1$O$\sub$x/ .
Creep crack growth lift of high temperature pressure equipments was assessed for various crack locations and for various material properties. Surface cracks at the inner and outer surface of the vessel in the axial and circumferential directions were considered. The crack was located in the weld metal, in the parent metal or at the weld interface. Results shored that the crack at the weld interface was the most dangerous one. The crack located outside is weaker than that located inside. Safety factors of the case in which improper material properties were used the to unavailability of the correct material properties were discussed.
Kim, Kiyoon;Um, Yurry;Jeong, Dae-Hui;Eo, Hyun-Ji;Jeon, Kwon-Seok;Kim, Hyun-Jun
Journal of Korean Society of Forest Science
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v.109
no.3
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pp.313-324
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2020
This study investigated the environmental location effects that Larix kaempferi and mixed forests had on the early growth of wild-simulated ginseng (Panax ginseng C. A. Meyer) seedlings. Experimental plots were created in Larix kaempferi and mixed forests, and confirmed the location environments and growth characteristics of wild-simulated ginseng seedling. Our results showed that the soil properties, such as soil organic matter, total nitrogen, and cation exchangeable capacity were significantly higher in the mixed forest soil compared to the Larix kaempferi forest soil. Likewise, the growth characteristics of wild-simulated ginseng seedlings were significantly higher in mixed forestsd compare to the Larix kaempferi forest. Correlation analysis between tree species ratio, soil properties, and growth characteristics in the experimental plots determined that the soil properties and growth characteristics had significant positive correlation with the broad-leaved forest percentage. Growth characteristics of the wild-simulated ginseng seedlings were shown to have a significant positive correlation with organic matter, total nitrogen, and cation exchange capacities. This study has clearly demonstrated that the tree species ratio, and soil properties in Larix kaempferi and mixed forests were significantly correlated with the early growth of wild simulated ginseng seedlings. These results could help to improve the selection of suitable cultivation sites for wild-simulated ginseng.
Proceedings of the Korea Association of Crystal Growth Conference
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1996.06a
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pp.75-87
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1996
This review is presented under the following headings: 1.Introduction 1.1 Brief review of the properties of AlN 1.2 Historical survey of work on ceramic and single crystal AlN 2.Thermochemical background 3.Crystal growth 4.Doping 5.Potential applications and future work The known properties of AlN which make it of interest for various are discussed briefly. The properties include chemical stability, crystal structure and lattice constants, refractive indices and other optical properties, dielectric constant, surface acoustic wave velocity and thermal conductivity. The history of work in single crystals, thin films and ceramics are outlined and the thermochemistry of AlN reviewed together with some of the relevant properties of aluminium and nitrogen; the problems encountered in growing crystals of AlN are shown to arise directly from these thermochemical relationships. Methods have been reported in the literature for growing AlN crystals from melts, solution and vapour and these methods are compared critically. It is proposed that the only practicable approach to the growth of AlN is by vapour phase methods. All vapour based procedures share the share the same problems: $.$the difficulty of preventing contamination by oxygen & carbon $.$the high bond energy of molecular nitrogen $.$the refractory nature of AlN (melting point~3073K at 100ats.) $.$the high reactivity of Al at high temperatures It is shown that the growth of epitactic layers and polycrystalline layers present additional problems: $.$chemical incompatibility of substrates $.$crystallographic mismatch of substrates $.$thermal mismatch of substrates The result of all these problems is that there is no good substrate material for the growth of AlN layers. Organometallic precursors which contain an Al-N bond have been used recently to deposit AlN layers but organometallic precursors gave the disadvantage of giving significant carbon contamination. Organometallic precursors which contain an Al-N bound have been used recently to deposit AlN layers but organometallic precursors have the disadvantage of giving significant carbon contamination. It is conclude that progress in the application of AlN to optical and electronic devices will be made only if considerable effort is devoted to the growth of larges, pure (and particularly, oxygen-free) crystals. Progress in applications of epi-layers and ceramic AlN would almost certainly be assisted also by the availability of more reliable data on the pure material. The essential features of any stategy for the growth of AlN from the vapour are outlined and discussed.
The physical properties of rubber blend between natural rubber(NR) and ethylene propylene diene terpolymer(EPDM) were investigated as a study of EPDM composite materials. For EPDM/NR blends, the effects of ethylene and diene contents in EPDM, blend ratio, dicumyl peroxide(DCP) curing system on the physical properties, interfacial adhesion force and dynamic crack growth etc. were studied. EPDM/NR blends loaded with carbon black were prepared by mechanical mixing and cured by plate heating cure press. Crosslinking density was measured by swelling method with toluene. The physical properties of all blends were measured with Instron, fatigue to failure(FTF), Demattia flex cracking tester(DMFC), scanning electron microscopy (SEM), etc. As the ethylene and diene contents in EPDM increased, the physical properties, such as dynamic crack growth, adhesion to other component were increased too. Interfacial adhesion force of EPDM/NR blends to dissimilar layer was improved by the use of optimum peroxide curing system.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.14
no.1
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pp.1-5
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2004
Carbon nanofilaments were formed on silicon substrate via microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition method. The structure of carbon nanofilaments was identified as the carbon nanofibers. The extent of carbon nanofibers growth and the diameters of carbon nanofibers increased with increasing the total pressure. The growth direction of carbon nanofibers was horizontal to the substrate. Laterally grown carbon nanofibers showed the semiconductor electrical characteristics.
Transactions of the Korean Society of Automotive Engineers
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v.10
no.4
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pp.136-140
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2002
High temperature fatigue crack growth behavior of P92 and STS 316L steel were investigated under four load conditions using CT type specimens. Loading and unloading times for the low wave forms were combinations of 1 sec. and 50 sec., which were two symmetric wave forms and two unsymmetric wave forms. Their behaviors are characterized using ΔK parameter. In STS 316L, Crack growth rate generally increases as frequency decreases. However, sensitivity of the loading rate to crack growth rate was fecund to be far greater than that of the unloading time. It is because as loading time increases, creep occurs at crack tip causing the crack growth rate to increase. However creep does not occur at the crack tip even if the unloading time is increased. In P92 steel, crack growth rate showed same behavior as in STS 316L. But the increase in loading or unloading time made almost no difference in crack growth rate, suggesting that no significant creep occurs in P92 steel even though loading time increases. After conducting high temperature tensile tests and comparing high temperature fatigue crack growth rates under various wave forms, it was proved that P92 steel has not only good high temperature properties but also improved, better high temperature fatigue properties than STS 316L.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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