Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제9권6호
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pp.223-226
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2008
$Ge_1Se_1Te_2$ chalcogenide amorphous materials was prepared by the conventional melt-quenching method. Samples were processed bye-beam evaporator systems and RF-sputtering systems. Phase change characteristics were analyzed by measuring glassification temperature, crystallization temperature and density of bulk material. The thermal characteristics were measured at the temperature between 300 K and 700 K, and the electrical characteristics were studied within the range from 0 V to 3 V. The obtained results agree with the electrothermal model for Phase-Change Random Access Memory.
Among the emerging non-volatile memory technologies, phase change memories are the most attractive in terms of both performance and scalability perspectives. Phase-change random access memory(PRAM), compare with flash memory technologies, has advantages of high density, low cost, low consumption energy and fast response speed. However, PRAM device has disadvantages of set operation speed and reset operation power consumption. In this paper, we investigated scalability of $Ge_{1}Se_{1}Te_{2}$ chalcogenide material to improve its properties. As a result, reduction of phase change region have improved electrical properties of PRAM device.
The phase transition between amorphous and crystalline states in chalcogenide semiconductor films can controlled by electric pulses or pulsed laser beam; hence some chalcogenide semiconductor films can be applied to electrically write/erase nonvolatile memory devices, where the low conductive amorphous state and the high conductive crystalline state are assigned to binary states. GeSbTe(GST), AsSbTe(AST), SeSbTe(SST) used to phase change materials by appling electrical pulses. Thickness of ternary chalcogenide thin films have about 100nm. Upper and lower electrode were made of Al. It is compared with I-V characteristics after impress the variable pulses.
Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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제29권6호
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pp.707-712
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2005
PRAM (Phase change random access memory) is one of the most promising candidates for next generation Non-volatile Memories. The Phase change materials have been researched in the field of optical data storage media. Among the phase change materials. $Ge_2Sb_2Te_5$ is very well known for its high optical contrast in the state of amorphous and crystalline. However the characteristics required in solid state memory are quite different from optical ones. In this study. the structural Properties of GeSbTe thin films with composition were investigated for PRAM. The 100-nm thick $Ge_2Sb_2Te_5$ and $Sb_2Te_3$ films were deposited on $SiO_2/Si$ substrates by RF sputtering system. In order to characterize the crystal structure and morphology of these films. x-ray diffraction (XRD). atomic force microscopy (AFM), differential scanning calorimetry (DSC) and 4-point measurement analysis were performed. XRD and DSC analysis result of GST thin films indicated that the crystallization of $Se_2Sb_2Te_5$ films start at about $180^{\circ}C$ and $Sb_2Te_3$ films Start at about $125^{\circ}C$.
In this study, nano-sized phase change materials were evaluated using nanoimprint lithography and c-AFM technique. The 200nm in diameter phase change nano-pillar device of GeSbTe, AgInSbTe, InSe, GeTe, GeSb were successfully fabricated using nanoimprint lithography. And the electrical properties of the phase change nano-pillar device were evaluated using c-AFM with pulse generator and voltage source.
The nucleation and the crystal growth rates of Ge-Se-Te chalcogenide glass by two step heat-treatment and its effect on the mechanical optical properties and water-resistance were determined. The maximum nuclea-tion and crystal growth rate were 2.1$\times$103/mm3 .min at 28$0^{\circ}C$ and 0.4${\mu}{\textrm}{m}$/min at 33$0^{\circ}C$ respectively. When the crystal volume fraction with crystal size $1.5mutextrm{m}$ was about 4% the (hardness and fracture toughness were about 117kg/mm2 and 6.0 MPa.mm1/2)respectively. The weight loss of crystallized glass in water was lower than parent glass($25^{\circ}C$ for 32 hrs : 0.03% 8$0^{\circ}C$ for 16 hrs : 0.1%) as 0.01% at $25^{\circ}C$, 0.03% at 8$0^{\circ}C$ for 16 hrs : 0.1%) at $25^{\circ}C$ 0.03% at 8$0^{\circ}C$ respectively. The IR-transmittance decreased with increasing crystal size and crystal volume fraction. The IR-transmittance of crystallized glass with the crystal size of $1.5mutextrm{m}$ (crystal volume fraction : 4%) presented 56% which was about 4% lower than that of parent glass.
Purpose: The purpose of this study was to evaluate the flexural strength of indirect composite resins with different polymerization conditions. Methods: Ten specimens ($2mm{\times}2mm{\times}25mm$) of each composite resins (Tescera (T), Gradia (S) and Sinfony (S)) were fabricated by two polymerization methods : manufacturers's and light heat pressure. Composite resins polymerized by manufacturers's method and light heat pressure served as control (TS, GS and SS) and experimental groups (TE, GE and SE), respectively. The composite resins were tested for flexural strength and the surface of composite resins were observed with scanning electron microscope (SEM) under X1,000 magnification. Results: The flexural strength values of cured composite resin decreased in the following order: TE (195.4MPa), TS (179.8MPa), GE (169.9MPa), SE (137.7MPa), SS (111.1MPa) and GS (100.9MPa) groups. Conclusion: The flexural strength values between the control and the experimental groups were not significantly different although experimental groups showed higher flexural strength values than control groups.
목적 : 본 논문은 2차원과 3차원 신경계 자기공명영상에서 뼈 주위에 있는 여러 조직의 신호세기를 계산하고 측정값과 비교 분석하는 데 목적을 두었다. 대상 및 방법 : 신경계 양성자 강조영상은 뼈를 제외한 뇌척수액과 근육 및 지방 등 모든 조직을 보여준다. 또한 자기공명영상을 이용하면 2차원이나 3차원 영상을 얻을 수 있다. 본 연구에서는 2차원 영상기법으로 2차원 고속스핀반향 (Fast spin-echo) 영상법을 사용하였고 3 차원 영상기법으로는 3차원 경사자계반향(Gradient-echo) 영상법을 사용하였다. 2차원 스핀반향 (Spin-echo)과 3차원 경사자계반향 영상법에 나타난 뇌척수액과 근육 및 지방의 신호세기를 알아내기 위해 2차원 스핀 반향과 3차원 경사자계반향의 신호세기의 이론값을 계산하였다. 2차원 고속스핀반향 영상법에서는 양성자 강조영상을 얻기 위해 긴 반복시간 (4000 ms) 과 짧은 반향시간(TE$_{eff}$ =22 ms)을 적용하였다. 3차원 경사자계반향 영상법에서는 양성자 강조영상을 얻기 위해 작은 꺽임각 (8$^{\circ}$) 과 짧은 반복시간 (35 ms) 및 짧은 반향시간 (3 ms)을 적용하였다. 결과: 2차원 고속스핀반향 영상법에서는 뇌척수액과 근육 및 지방의 영상 대조도가 우수하였고 신호 대 잡음비(SNR) 값은 39-57 사이였다. 3차원 경사자계반향 영상법에 나타난 뇌척수액과 근육 및 지방의 영상 대조도는 2차원 고속스핀반향 영상법의 결과와 비슷하였지만 신호 대 잡음비(SNR) 값은 26-33 사이였다. 신호 대 잡음비는 2차원 고속스핀반향 영상법이 3차원 경사자계반향 영상 법보다 높았고 가장자리 향상효과 때문에 2차원 고속스핀반향 영상에서 머리뼈의 가장자리를 쉽게 구별할 수 있었다. 덧붙여 2차원 고속스핀반향 영상에 나타난 뇌척수액과 근육 및 지방 사이의 대조도는 강한 신호세기와 향상된 뇌척수액의 가장자리 때문에 상당히 우수하였다. 결론 : 2차원과 3차원 신경계 자기공명영상에서 머리뼈 주위에 있는 여러 조직의 신호세기를 계산하고 측정값과 비교 분석하였다. 뇌척수액과 근육 및 지방의 계산값과 측정값의 영상 대조도와 신호 대 잡음비 값이 2차원 고속스핀반향 영상법과 3차원 경사자계반향 영상법에서 대체로 일치하였다. 그렇지만 2차원 고속스핀반향 영상에서 뇌척수액과 근육 및 지방 사이의 대조도가 우수하였고 신호 대 잡음비는 상대적으로 높았으며 상대적으로 짧은 영상시간이 소요되었다.
Kim, Se Hyun;Jung, Chan Yeong;Kim, Hogyoung;Cho, Yunae;Kim, Dong-Wook
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제16권3호
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pp.151-155
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2015
We fabricated the Cu Schottky contact on an n-type Ge wafer and investigated the forward bias current-voltage (I-V) characteristics in the temperature range of 100~300 K. The zero bias barrier height and ideality factor were determined based on the thermionic emission (TE) model. The barrier height increased and the ideality factor decreased with increasing temperature. Such temperature dependence of the barrier height and the ideality factor was associated with spatially inhomogeneous Schottky barriers. A notable deviation from the theoretical Richardson constant (140.0 Acm-2K-2 for n-Ge) on the conventional Richardson plot was alleviated by using the modified Richardson plot, which yielded the Richardson constant of 392.5 Acm-2K-2. Finally, we applied the theory of space-charge-limitedcurrent (SCLC) transport to the high forward bias region to find the density of localized defect states (Nt), which was determined to be 1.46 × 1012 eV-1cm-3.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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