• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1998년도 하계종합학술대회논문집
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• pp.453-456
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• 1998

The electrical properties of $Si_{1-x}Ge_{x}$ samples have been investigated. The sample structures were grown by MBE (molecular geam epitaxy) with Ge mole-fraction of x=0.0, x=0.05, x=0.1, and x=0.2. To examine the influence of the thermal processing, the $O_{2}$ and N$_{2}$ process were performed at 800[.deg. C] and 900[.deg. C], respectively. After this thermal process, hall measurements have been done over a wide range of the ambient temperature between 320[.deg. K] and 10[.deg. K] to find the temperature dependence using the comparessed-He gas system. The Ge-rich layer has been formed at the $SiO_{2}$/SiGe interface and it has an effect on the hall mobility. And it has been found that hall mobility was increased by the $N_{2}$ annealing process comparing with dry oxidation process at both 800[.deg.C] and900[.deg. C].

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1995년도 추계 학술발표 강연 및 논문개요집
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• pp.42-42
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• 1995

• 한국작물학회:학술대회논문집
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• 한국작물학회 1996년도 추계 학술대회지
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• pp.106-107
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• 1996

• 분석과학
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• 제15권5호
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• pp.439-444
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• 2002

이 연구는 E-O-V ICP-AES를 이용하여 As, Se, Ge에 대한 분석적 특성을 PN과 USN, 그리고 HG를 이용하여 비교 조사하였다. 특히 세 가지 원소들의 수소화물 형성을 위한 최적의 조건을 찾기 위하여 $NaBH_4$와 HCl의 농도 변화에 대한 신호세기의 영향을 면밀히 조사하여 보았다. 수소화물 발생화 장치를 이용하였을 때가 PN과 USN 이용시 보다 세 가지 원소 모두 훨씬 좋은 감도를 얻을 수 있었고, 그 검출한계는 PN 보다는 약 100배, USN 보다는 약 10배 향상시킬 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.182-182
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• 2011

We investigated the adsorption structures of serine on a Ge(100) surface by core-level photoemission spectroscopy (CLPES) in conjunction with density functional theory (DFT) calculations. The adsorption energies calculated using DFT methods suggested that four of six adsorption structures were plausible. These structures were the "O-H dissociated-N dative bonded structure", the "O-H dissociation bonded structure", the "Om-H dissociated-N dative bonded structure", and the "Om-H dissociation bonded structure" (where Om indicates the hydroxymethyl oxygen). These structures are equally likely, according to the adsorption energies alone. The core-level C 1s, N 1s, and O 1s CLPES spectra confirmed that the carboxyl oxygen competed more strongly with the hydroxymethyl oxygen during the adsorption reaction, thereby favoring formation of the "O-H dissociated-N dative bonded" and "O-H dissociation bonded" structures at 0.30 ML and 0.60 ML, respectively. The experimental results were corroborated theoretically by calculating the reaction pathways leading to the two adsorption geometries. The reaction pathways indicated that the "O-H dissociated-N dative bonded structure" is the major product of serine adsorption on Ge(100) due to comparably stable adsorption energy.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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• pp.78-78
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• 2000

다결정 실리콘-게르마늄 (poly-SiGe)은 태양전지 개발에 있어서 중요한 물질이다. 우리는 소량의 Ge(x=0.05)으로부터 다량의 Ge(x=0.67)을 함유한 수소화된 비정질 실리콘-게르마늄 (a-SiGe:H) 박막의 고상결정화 과정을 ESR (electron spin resonance)방법으로 조사해보았다. 먼저 PECVD 방법으로 Corning 1737 glass 위에 a-Si1-xGex:H 박막을 증착시켰다. 증착가스는 SiH4, GeH4 가스를 썼으며, 기판온도는 20$0^{\circ}C$, r.f. 전력은 3W, 증착시 가스압력은 0.6 Torr 정도이었다. 증착된 a-SiGe:H 박막은 $600^{\circ}C$ N2 분위기에서 다시 가열되어 고상결정화 되었고, 결정화 정도는 XRD (111) peak의 세기로부터 구해졌다. ESR 측정은 상온 x-band 영역에서 수행되었다. 측정된 ESR스팩트럼은 두 개의 Gaussian 함수로써 Si dangling-bond와 Ge dangling-bond 신호로 분리되었다. 가열 초기의 a-SiGe:H 박막 결함들의 스핀밀도의 증가는 수소 이탈에 기인하고, 또 고상결정화 과정에서 결정화된 정도와 Ge-db 스핀밀도의 변화는 서로 깊은 상관관계가 있음을 알 수 있었다. 특히 Ge 함유량이 큰 박막 (x=0.21, 0.67)에서 뿐만 아니라 소량의 Ge이 함유된 박막(x=0.05)에서도 Ge dangling-bond가 Si dangliong-bond 보다 고상결정화 과정에서 더 중요한 역할을 한다는 것을 알수 있었다. 또한 초기 열처리시 Si-H, Ge-H 결합에서 H의 이탈로 인하여 나타나는 Si-dangling bond, Ge-dangling bond 스핀밀도의 최대 증가 시간은 x 값에 의존하였는데 이러한 결과는 x값에 의존하는 Si-H, Ge-H 해리에너리지로 설명되어 질 수 있다. 층의 두께가 500 미만인 커패시터의 경우에 TiN과 Si3N4 의 계면에서 형성되는 슬릿형 공동(slit-like void)에 의해 커패시터의 유전특성이 파괴된다는 사실을 알게 되었으며, 이러한 슬릿형 공동은 제조 공정 중 재료에 따른 열팽창 계수와 탄성 계수 등의 차이에 의해 형성된 잔류응력 상태가 유전막을 기준으로 압축응력에서 인장 응력으로 바뀌는 분포에 기인하였다는 사실을 확인하였다.SiO2 막을 약화시켜 절연막의 두께가 두꺼워졌음에도 기존의 SiO2 절연막의 절연 파괴 전압 및 누설 전류오 비교되는 특성을 가졌다. 이중막을 구성하고 있는 안티퓨즈의 ON-저항이 단일막과 비교해 비슷한 것을 볼 수 잇는데, 그 이유는 TiO2에 포함된 Ti가 필라멘트에 포함되어 있어 필라멘트의 저항을 감소시켰기 때문으로 사료된다. 결국 이중막을 구성시 ON-저항 증가에 의한 속도 저하 요인은 없다고 할 수 있다. 5V의 절연파괴 시간을 측정한느 TDDB 테스트 결과 1.1$\times$103 year로 기대수치인 수십 년보다 높아 제안된 안티퓨즈의 신뢰성을 확보 할 수 있었다. 제안된 안티퓨즈의 이중 절연막의 두께는 250 이고 프로그래밍 전압은 9.0V이고, 약 65$\Omega$의 on 저항을 얻을수 있었다.보았다.다.다양한 기능을 가진 신소재 제조에 있다. 또한 경제적인 측면에서도 고부가 가치의 제품 개발에 따른 새로운 수요 창출과 수익률 향상, 기존의 기능성 안료를 나노(nano)화하여 나노 입자를 제조, 기존의 기능성 안료에 대한 비용 절감 효과등을 유도 할 수 있다. 역시 기술적인 측면에서도 특수소재 개발에 있어 최적의 나노 입자 제어기술 개발 및 나노입자를 기능성 소재로 사용하여 새로운 제품의 제조와 고압 기상 분사기술의 최적화에 의한 기능성 나노 입자 제조 기술을 확립하고 2차 오염 발생원인 유기계 항균제를 무기계 항균제로 대체할 수 있다. 이와 더불

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제21권11호
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• pp.1090-1094
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• 2000

A reaction between germanium (Ge) and the ligand, o-chlorophenylfluorone (o-CPF) has been carried out. The reaction sensitive at pH 4.5 in the presence of triton x-100 was selective in the presence of EDTA. The spectral correction technique was ap plied to the analysis of the reaction instead of single wavelength spectrophotometry because the absorption of excess of o-CPF was not negligible. An updated determination of the properties of the Ge(IV)-o-CPF complex is given, which involved the complex ratio, stepwise absorptivity and stability constant of the complex. In present work, the results show that the complex $Ge(o-CPF)_3was$ formed and its cumulative stability constant was 1.09 ${\times}$1016 . For sample analysis, the detection limit of germanium was 0.01 mg/L, and the recoveries were between 96.4% and 102%, with relative standard deviations of less than 6.5%.

• 한국재료학회지
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• 제32권9호
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• pp.379-383
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• 2022

In this study, Barium Germanium glasses were prepared with a composition of xBaO-(72-x)GeO₂-8La₂O₃-20ZnO where x = 16.0, 18.0, 20.0, 22.0 and 24.0 mol% respectively. Their physical and optical properties, such as refractiveness index, glass transition temperature (T_g), softening temperature (T_s), transmittance and Knoop hardness were studied. The results showed that refractive index, T_g, T_s and coefficient of thermal expansion (CTE) increased with increasing BaO concentration. The refractive index of all the prepared samples was observed between 1.7811 to 1.7881. The Abbe number was calculated by formula using n_d (589.3 nm), n_f (656.3 nm) and n_c (486.1 nm) and observed to be between 38 to 40. The Abbe number of the prepared sample was similar to that of BaO and GeO₂. The transmittance of the prepared glasses was observed to be between 80 ~ 82 % throughout the range from 200 nm to 800 nm. Knoop hardness divided into seven steps were measured 5 class (≥ 450 ~ < 550) of all prepared samples.

• 한국자기학회지
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• 제9권3호
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• pp.143-148
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• 1999

Spin-Peierls(SP) 전이를 하는 CuGeO3에서 Cu 이온과 Ge 이온을 자성 이온인 Fe 이온으로 일부 치환시킨 Cu1-xGe1-yFex+yO3계를 제조하여 전이온도 전후에서 자기적 특성과 결정학적 특성의 변화를 밝히기 위하여 자기감수율과 Mossbauer 스펙트럼을 측정 분석하였다. 결정구조는 모든 시료가 직방정계(orthorhombic)였고 격자 상수는 Fe의 치환량이 증가할수록 a축과 c축만 약간 감소하였다. 온도를 내리면서 측정한 자기감수율의 값이 12.5K 근처에서 급격히 감소하는 SP 전이를 나타냈는데 이 온도는 Fe의 치환량이 많아질수록 약간씩 낮아졌다. Mossbauer 스펙트럼은 Fe3+ 이온에 의한 두 개의 Zeeman sextet와 한 개의 이중선이 중첩되어 나타났는데 특히 SP 전이 온도(Tsp)에서 Mossbauer변수들이 불연속이었다. 즉, Tsp이하에서 두 번째 Zeeman선의 자기장이 크게 증가했고 이중선의 사중극자 분열값(QS)과 이성질체 이동값(IS)도 증가했는데, 이를 Tsp에서 이중체 형성에 따른 이온들의 위치 이동 계산 결과와 비교하여 초교한 상호작용, 대칭성 및 공유 결합성 등의 변화와 관련시켜 해석하였다.

• ETRI Journal
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• 제23권4호
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• pp.151-157
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• 2001

Spectroscopic and thermal analysis indicates that tellurite glasses doped with $B_2O_3$ and $GeO_2$ are promising candidate host materials for wide-band erbium doped fiber amplifier (EDFA) with a high 980 nm pump efficiency. In this study, we measured the thermal stabilities and the emission cross-sections for $Er^{3+}:^{4}I_{13/2}\;{\to}\;^{4}I_{15/2}$ transition in this tellurite glass system. We also determined the Judd-Ofelt parameters and calculated the radiative transition rates and the multiphonon relaxation rates in this glass system. The 15 mol% substitution of $B_2O_3$ for $TeO_2$ in the $Er^{3+}-doped\;75TeO_2-20ZnO-5K_2O$ glass raised the multiphonon relaxation rate for $^4I_{11/2}\;{\to}\;^4I_{13/2}$ transition from 4960 $s^{-1}$ to 24700 $s^{-1}$, but shortened the lifetime of the $^4I_{13/2}$ level by 14 % and reduced the emission cross-section for the $^4I_{13/2}\;{\to}\;^4I_{15/2}$ transition by 11%. The 15 mol% $GeO_2$ substitution in the same glass system also reduced the emission cross-section but increased the lifetime by 7%. However, the multiphonon relaxation rate for $^4I_{11/2}{\to}^4I_{13/2}$ transition was raised merely by 1000 $s^{-1}$. Therefore, a mixed substitution of $B_2O_3$ and $GeO_2$ for $TeO_2$ was concluded to be suitable for the 980 nm pump efficiency and the fluorescence efficiency of $^4I_{13/2}{\to}^4I_{15/2}$ transition in $Er^{3+}-doped$ tellurite glasses.