The Crystallization Behavior of Amorphous $Si/Si_{0.69}Ge_{0.31}, Si_{0.69}Ge_{0.31}Si$ and Si Layer Deposited by LP(CVD)

$SiO_2$ 위에 LP-CVD로 증착한 비정질 $Si/Si_{0.69}Ge_{0.31}, Si_{0.69}Ge_{0.31}Si$ 및 Si의 결정화 거동

  • Published : 1995.11.01