Effect of NaBH4 and HCl on signal intensity of As, Se, Ge with on-line hydride generation system and E-O-V ICP-AES

수소화물 발생장치와 유도 결합 플라스마 원자화 방출 분광법 이용 시 비소와 셀레늄 및 게르마늄의 신호세기에 대한 NaBH4와 HCl의 영향

  • Nam, Sang-Ho (Department of Chemistry, Mokpo National University) ;
  • Han, Soung-Sim (Department of Chemistry, Mokpo National University)
  • Received : 2002.08.12
  • Published : 2002.10.25

Abstract

DE-O-V ICP-AES has been studied for the analytical characteristics of As, Se, and Ge with PN, USN and HG. Effect of $NaBH_4$ and HCl on the signal intensity of As, Se and Ge with HG and E-O-V ICP-AES were closely investigated. The sensitivities of As, Se and Ge with HG were much greater than those with PN and USN. Accordingly, the detection limits of the elements with HG were lower by a factor of 100 and 10 than PN and USN, respectively.

이 연구는 E-O-V ICP-AES를 이용하여 As, Se, Ge에 대한 분석적 특성을 PN과 USN, 그리고 HG를 이용하여 비교 조사하였다. 특히 세 가지 원소들의 수소화물 형성을 위한 최적의 조건을 찾기 위하여 $NaBH_4$와 HCl의 농도 변화에 대한 신호세기의 영향을 면밀히 조사하여 보았다. 수소화물 발생화 장치를 이용하였을 때가 PN과 USN 이용시 보다 세 가지 원소 모두 훨씬 좋은 감도를 얻을 수 있었고, 그 검출한계는 PN 보다는 약 100배, USN 보다는 약 10배 향상시킬 수 있었다.

Keywords

References

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