• 제목/요약/키워드: GeO$_2$

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Conformational Transition of Poly(γ-benzyl-L-glutamate)-Poly(ethylene glycol) Block Copolymers in Bulk

  • Choi, Young-Wook;Park, Young-Mi;Choo, Jae-Bum;Cho, Chong-Su;Sohn, Dae-Won
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제28권5호
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    • pp.795-799
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    • 2007
  • The bulk properties of poly(γ-benzyl-L-glutamate)-poly(ethylene glycol), PBLG-PEO, diblock copolymer were investigated. The helical transition from 7/2 to 13/5 for pure PBLG was at 120 oC while those of GE-1 and GE-2, which contain flexible PEO block 40 wt% and 60 wt% respectively, were shown at 135℃ on DSC experiments. FT-IR and XRD experiments were shown that the diblock copolymers maintained their α-helical structure in the temperature range between 25℃ and 175℃. Increasing relative size of coil part resulted in the increase of intermolecular packing distances. Due to well-maintained helical structure, lyotropic LC phases were observed for the PBLG-PEO block copolymer by the polarized optical microscope (POM). Especially, GE-3 copolymer, which has 12.5 wt% PEO contents, showed the smectic C phase. The competition of favorable aggregation energy between rod-rod and coil-coil, and unfavorable aggregation energy of rod-coil give rise to change the supramolecular structure in mixed solvent.

Sub-10 nm Ge/GaAs Heterojunction-Based Tunneling Field-Effect Transistor with Vertical Tunneling Operation for Ultra-Low-Power Applications

  • Yoon, Young Jun;Seo, Jae Hwa;Cho, Seongjae;Kwon, Hyuck-In;Lee, Jung-Hee;Kang, In Man
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제16권2호
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    • pp.172-178
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    • 2016
  • In this paper, we propose a sub-10 nm Ge/GaAs heterojunction-based tunneling field-effect transistor (TFET) with vertical band-to-band tunneling (BBT) operation for ultra-low-power (LP) applications. We design a stack structure that is based on the Ge/GaAs heterojunction to realize the vertical BBT operation. The use of vertical BBT operations in devices results in excellent subthreshold characteristics with a reduction in the drain-induced barrier thinning (DIBT) phenomenon. The proposed device with a channel length ($L_{ch}$) of 5 nm exhibits outstanding LP performance with a subthreshold swing (S) of 29.1 mV/dec and an off-state current ($I_{off}$) of $1.12{\times}10^{-11}A/{\mu}m$. In addition, the use of the highk spacer dielectric $HfO_2$ improves the on-state current ($I_{on}$) with an intrinsic delay time (${\tau}$) because of a higher fringing field. We demonstrate a sub-10 nm LP switching device that realizes a good S and lower $I_{off}$ at a lower supply voltage ($V_{DD}$) of 0.2 V.

Neutron Diffraction Study of Powders Prepared by Self-propagating High Temperature Synthesis

  • Park, Yong;Kim, Y S.;Y. D. Hahn;S. H. Shim;Lee, J. S.
    • 한국분말야금학회:학술대회논문집
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    • 한국분말야금학회 2000년도 추계학술대회 및 발표대회 강연 및 발표논문 초록집
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    • pp.11-12
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    • 2000
  • Non-stoichiometric ceramics of $Ni_{x}ZnO_{1-x}Fe_{2}O_{4}$ were prepared by self-propagating high temperature synthesis reaction with various processing conditions and their stoichometric numbers were determined by neutron diffraction. The neutron diffraction patterns were measured at room temperature using monochromatic neutrons with a wave length of 0.18339 nm from a Ge(331) mocochromator at a 90 degree take off angle. The Rietveld refinement of each pattern converged to good agreement (x2=1.88-2.24). The neutron diffraction analysis revealed the final stoichiometries of the ferrites were $Ni_{0.38}Zn_{0.62}Fe_{2}O_{4}$ and $Ni_{0.33}Zn_{0.67}Fe_{2}O_{4]$, respectively. This supports that final stoichiometric number of the self-propagating high temperature synthesis product can be controlled by the processing parameters during the combustion reaction.

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Sr/Ba 비에 따른 Strontium Barium Niobate 세라믹스의 유전특성 (Sr/Ba Ratio Dependence of Dielectric Characteristics in Strontium Barium NiobateCeramics)

  • 김명섭;이준형;김정주;이희영;조상희
    • 한국세라믹학회지
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    • 제38권12호
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    • pp.1167-1173
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    • 2001
  • 텅스텐브론즈 구조를 가지는 Sr$_{x}Ba_{1-x}Nb_{2}O_{6}$(SBN) (0.3$\le$x$\ge$0.7) 세라믹스를 고상반응법으로 합성하고 Sr/Ba의 비에 따른 유전특성을 조사하였다. SBN 세라믹스는 Sr/Ba의 비가 증가함에 따라 상전이 온도는 낮아지고 상전이 온도에서의 최대 유전율은 증가하였다. 또한 SBN 세라믹스는 Sr 함량에 따른 relaxor 거동을 정량화하여 평가하였는데, Sr/Ba의 비가 증가할수록 유전율은 더욱 완만해지는 것을 관찰할 수 있었다. 이러한 실험 결과를 텅스텐브론지 구조를 가진 SBN 세라믹스의 결정구조 관점에서 해석하였다.

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Non-gaseous Plasma Immersion Ion Implantation and Its Applications

  • Han, Seung-Hee;Kim, En-Kyeom;Park, Won-Woong;Moon, Sun-Woo;Kim, Kyung-Hun;Kim, Sung-Min
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.151-151
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    • 2012
  • A new plasma process, i.e., the combination of PIII&D and HIPIMS, was developed to implant non-gaseous ions into materials surface. HIPIMS is a special mode of operation of pulsed-DC magnetron sputtering, in which high pulsed DC power exceeding ~1 kW/$cm^2$ of its peak power density is applied to the magnetron sputtering target while the average power density remains manageable to the cooling capacity of the equipment by using a very small duty ratio of operation. Due to the high peak power density applied to the sputtering target, a large fraction of sputtered atoms is ionized. If the negative high voltage pulse applied to the sample stage in PIII&D system is synchronized with the pulsed plasma of sputtered target material by HIPIMS operation, the implantation of non-gaseous ions can be successfully accomplished. The new process has great advantage that thin film deposition and non-gaseous ion implantation along with in-situ film modification can be achieved in a single plasma chamber. Even broader application areas of PIII&D technology are believed to be envisaged by this newly developed process. In one application of non-gaseous plasma immersion ion implantation, Ge ions were implanted into SiO2 thin film at 60 keV to form Ge quantum dots embedded in SiO2 dielectric material. The crystalline Ge quantum dots were shown to be 5~10 nm in size and well dispersed in SiO2 matrix. In another application, Ag ions were implanted into SS-304 substrate to endow the anti-microbial property of the surface. Yet another bio-application was Mg ion implantation into Ti to improve its osteointegration property for bone implants. Catalyst is another promising application field of nongaseous plasma immersion ion implantation because ion implantation results in atomically dispersed catalytic agents with high surface to volume ratio. Pt ions were implanted into the surface of Al2O3 catalytic supporter and its H2 generation property was measured for DME reforming catalyst. In this talk, a newly developed, non-gaseous plasma immersion ion implantation technique and its applications would be shown and discussed.

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멀티 앤빌 프레스의 압력-부하 보정 작업과 시료 내의 온도구배 연구 (Pressure-load Calibration of Multi-anvil Press and the Thermal Gradient within the Sample Chamber)

  • 김은정;이성근
    • 한국광물학회지
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    • 제31권3호
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    • pp.161-172
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    • 2018
  • 멀티 앤빌 프레스(multi-anvil press)는 일반적으로 5-25 GPa의 압력범위와 ${\sim}2,300^{\circ}C$의 온도범위를 구현할 수 있는 고압 기기로, 지구과학에서는 상부맨틀-맨틀전이대까지의 지구 구성물질의 구조를 연구하는 데 도움이 된다. 본 연구에서는 광물의 상전이를 이용한 멀티 앤빌 프레스에 대한 압력-부하 보정(pressure-load calibration) 과정을 소개하고, 시료실(sample chamber) 내에 존재할 수 있는 온도구배에 대해서 논의하였다. 압력-부하 보정은 14/8 G2, 14/8 step, 14/8 HT 조립세트(assembly set)와 18/12 조립세트에 대해 1,100톤 멀티 앤빌 프레스를 이용하여 수행했다. 초기 물질로 석영, 규회석구조의 $CaGeO_3$, 포르스테라이트를 사용했고, 고압상의 동정은 XRD 분석을 통해 수행하였다. 광물의 상전이를 통해 $1,200^{\circ}C$에서 시료에 가해지는 압력을 유추할 수 있었으며, ${\alpha}$-석영에서 코에사이트로의 상전이는 3.1 GPa, 석류석 구조의 $CaGeO_3$에서 페로브스카이트 구조의 $CaGeO_3$로의 상전이는 5.9 GPa, 코에사이트에서 스티쇼바이트로의 상전이는 9.2 GPa, 포르스테라이트에서 와즐리아이트로의 상전이는 13.6 GPa의 압력 확인에 이용했다. XRD 결과로 획득한 압력-부하 보정 곡선은 기존에 보고된 유사한 기기의 압력-부하 보정 곡선에 비해 동일 압력을 구현하기 위해 50톤 가량의 유압이 더 필요한 것으로 확인됐다. 이러한 차이는 시료실의 크기 및 조립세트의 압력 매체(pressure medium)와 이차앤빌 사이의 마찰력으로부터 기인한 유압 손실에 의한 것으로 생각된다. 또한 본 연구에서는 14/8 HT 조립세트에서의 시료실 내의 온도구배를 확인했다. 특히 열전대(thermocouple)의 위치 변화에 따라 시료실 높이에 평행한 방향으로 약 ${\sim}200^{\circ}C/mm$에 해당하는 온도구배가 존재한다. 본 연구로부터 구한 멀티 앤빌 프레스의 압력-부하 보정 곡선과 시료실 내의 온도구배 값은 앞으로 맨틀 내에서의 다양한 비정질 및 결정질의 지구물질에 대한 원자 구조의 변화와 그에 따른 물성 변화를 설명하는 데 적용할 수 있다.

18F-FDG와 99mTcO4-를 이용한 당일 검사 시 상호 영향에 대한 Phantom 연구 (Phantom Study of the Mutual Influences Between 18F-FDG and 99mTcO4- on the Same Day)

  • 함준철;박민수;반영각;임한상;김재삼
    • 핵의학기술
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    • 제18권2호
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    • pp.68-72
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    • 2014
  • 핵의학 검사는 반감기로 인한 동위원소의 잔류로 당일에 두 가지 검사를 시행하는데 어려움이 있다. 본 연구는 $^{18}F$-FDG와 $^{99m}TcO_4{^-}$의 상호 영향을 연구함으로써 당일 검사를 진행할 경우 고려될 사항에 대해 알아보고자 한다. NEMA-1994 Phantom을 이용하여 세 번의 실험을 진행했다. 첫 실험은 $^{99m}TcO_4{^-}$을 HOT과 BKG 비 4:1로 만들어 GE사의 INFINIA 장비로 SPECT를 시행하였고, BKG 영역에 $^{18}F$-FDG 37 MBq을 주입 후 동일 조건으로 60분에 1회씩 13회 Scan 했다. 두 번째는 $^{18}F$-FDG를 HOT과 BKG 비 4:1 로 만들어 GE사의 PET/CT Discovery 600 에서 Scan 하였고, BKG 영역에 $^{99m}TcO_4{^-}$을 148 MBq 주입 후 동일 조건으로 60분에 1회씩 6회 Scan 했다. 마지막 실험은 $^{18}F$-FDG를 HOT과 BKG 비 4 : 1로 만들고 1 Bed Scan 후 $^{99m}TcO_4{^-}$을 148 MBq 및 296 MBq씩 증가 시키며 같은 조건으로 1 Bed Scan했다. HOT과 BKG 영역의 비, CNR 혹은 SNR 그리고 총 획득 계수를 측정 후 비교 했다. $^{18}F$-FDG는 SPECT 시행 시 비율 및 CNR에 유의한 차이를 보였다(p>0.05). $^{99m}TcO_4{^-}$는 PET/CT 시행 시 비율 및 SNR이 유의한 차이를 보이지 않았다(p<0.05). $^{99m}TcO_4{^-}$이 PET/CT 검사의 Total Counts를 감소시킨다는 결과를 획득했다. PET/CT 검사를 한 경우 12시간 까지도 $^{99m}TcO_4{^-}$을 이용한 검사에 영향을 미칠 수 있으며, $^{99m}TcO_4{^-}$를 먼저 시행한 경우에는 PET/CT 검사에 SUV 및 SNR에 영향은 없지만 검출 효율을 감소시켰다. 당일 검사 시에는 $^{99m}TcO_4{^-}$을 이용한 검사를 먼저 진행하고 PET/CT의 검사 시간을 늘려 검출 효율을 보완하는 방법을 권장하고자 한다.

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Dirac Phenomenological Analyses of 1.047-GeV Proton Inelastic Scatterings from 62Ni and 64Ni

  • Shim, Sugie
    • Journal of the Korean Physical Society
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    • 제73권11호
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    • pp.1631-1636
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    • 2018
  • Unpolarized 1.047-GeV proton inelastic scatterings from the Ni isotopes $^{62}Ni$ and $^{64}Ni$ are analyzed phenomenologically employing an optical potential model and the first-order collective model in the relativistic Dirac coupled channel formalism. The Dirac equations are reduced to $Schr{\ddot{o}}dinger-like$ second-order differential equations, and the effective central and spin-orbit optical potentials are analyzed by considering the mass-number dependence. The multistep excitation via the $2^+$ state is found to be important for the $4^+$ state excitation in the ground state rotational band for proton inelastic scatterings from the Ni isotopes. The calculated deformation parameters for the $2^+$ and the $4^+$ states of the ground state rotational band and for the first $3^-$ state are found to agree pretty well with those obtained from nonrelativistic calculations.