• 제목/요약/키워드: GeO$_2$

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$TeO_2-PbO-GeO_2$계 유리 내 비선셩 광학 특성의 구조 의존성 (Structural Dependence of Nonlinear Optical Properties in $TeO_2-PbO-GeO_2$)

  • 김원효;허종;김유성;류선윤
    • 한국세라믹학회지
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    • 제33권5호
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    • pp.507-513
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    • 1996
  • Nonlinear optical properties of TeO2-PbO-GeO2 glasses were investigated and their correlation with struc-tural modification was investigated. Third-order nonlinear susceptibility $\chi$, ranged between 5.0$\times$10-13 esu and 10.7$\times$10-13 esu which are approximately 20-40 times larger than that of silica glass. The glass with a composition of 85(80TeO2-20PbO)-15GeO2(mol%) seemed to provide an optimum compromise between $\chi$and the stability against crystallization. Analyses of the Raman spectra suggested that these glasses are mainly composed of [TeO4] tbp, [TeO3]tp and [GeO4] tetrahedral structural units. It was concluded that the positive contribution of Pb2+ with high polarizability to $\chi$ in TeO2-PbO glasses overwhelmed the negative influence due to the structural modification of [TeO4]tbplongrightarrow[TeO3]tp. On the other hand addition of GeO2 in TeO2-PbO-GeO2 glasses resulted in the decrease of $\chi$ values. This behavior was attributed to the formation of [GeO4] polyhedra at the expense of [TeOn] polyhedra and Pb2+ ions which normally sowed a higher contribu-tion to $\chi$ than [GeO4] polyhedra.

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쵸크랄스키법에 의한 $Bi_4Ge_3O_{12}$ 단결정 육성 및 화학조성이 광학적 성질에 미치는 영향 ($Bi_4Ge_3O_{12}$ Crystal Growth by Czochralski Method and the Effect of Composition on Optical Properties)

  • 배인국;황진명
    • 한국결정학회지
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    • 제10권1호
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    • pp.39-44
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    • 1999
  • 주파수 무선센서에 의한 자동직경제어방식으로 쵸크랄스키법에 의해 Bi4Ge3O12 단결정을 육성하였다. Bi4Ge3O12의 화학양론적 조성으로부터 Bi2O3와 GeO2의 조성비를 변화시키면서 단결정을 육성하였다. 광학적인 투과도 조사결과, 화학양론적 조성에서 가장 우수한 투과도를 나타내었고 과잉의 Bi2O3에서는 투과도가 현저히 낮아졌다. 또한 육성된 단결정의 결함밀도는 ∼1×103/cm2이었다.

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Electrochemical Performance of M2GeO4 (M = Co, Fe and Ni) as Anode Materials with High Capacity for Lithium-Ion Batteries

  • Yuvaraj, Subramanian;Park, Myung-Soo;Kumar, Veerasubramani Ganesh;Lee, Yun Sung;Kim, Dong-Won
    • Journal of Electrochemical Science and Technology
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    • 제8권4호
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    • pp.323-330
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    • 2017
  • $M_2GeO_4$ (M = Co, Fe and Ni) was synthesized as an anode material for lithium-ion batteries and its electrochemical characteristics were investigated. The $Fe_2GeO_4$ electrode exhibited an initial discharge capacity of $1127.8mAh\;g^{-1}$ and better capacity retention than $Co_2GeO_4$ and $Ni_2GeO_4$. A diffusion coefficient of lithium ion in the $Fe_2GeO_4$ electrode was measured to be $12.7{\times}10^{-8}cm^2s^{-1}$, which was higher than those of the other two electrodes. The electrochemical performance of the $Fe_2GeO_4$ electrode was improved by coating carbon onto the surface of $Fe_2GeO_4$ particles. The carbon-coated $Fe_2GeO_4$ electrode delivered a high initial discharge capacity of $1144.9mAh\;g^{-1}$ with good capacity retention. The enhanced cycling performance was mainly attributed to the carbon-coated layer that accommodates the volume change of the active materials and improves the electronic conductivity. Our results demonstrate that the carbon-coated $Fe_2GeO_4$ can be a promising anode material for achieving high energy density lithium-ion batteries.

Effect of GeO2 on embryo development and photosynthesis in Fucus vesiculosus (Phaeophyceae)

  • Tarakhovskaya, Elena R.;Kang, Eun-Ju;Kim, Kwang-Young;Garbary, David J.
    • ALGAE
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    • 제27권2호
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    • pp.125-134
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    • 2012
  • Germanium dioxide ($GeO_2$) has been used for many years in the cultivation of red and green algae as a means of controlling the growth of diatoms. Brown algae are sensitive to $GeO_2$, however, the basis of this sensitivity has not been characterized. Here we use embryos of $Fucus$ $vesiculosus$ to investigate morphological and physiological impacts of $GeO_2$ toxicity. Morphometric features of embryos were measured microscopically, and physiological features were determined using pulse amplitude modulated (PAM) fluorometry. At 5 mg $L^{-1}$ $GeO_2$, embryos grew slower than controls and developed growth abnormalities. After 24 h, initial zygote divisions were often oblique rather than transverse. Rhizoids had inflated tips in $GeO_2$ and were less branched, and apical hairs were deformed, with irregularly aligned, spheroidal cells. Minimum fluorescence ($F_0$) showed minor differences over the 10 days experiment, and pigment levels (chlorophylls $a$, $c$ and total carotenoids) showed no difference after 10 days. Optimum quantum yield increased from ca. 0.52 at 24 h to 0.67 at 5 days, and $GeO_2$-treated embryos had higher mean values (significant at 3 and 5 days). Optimum quantum yield of photosystem II (${\Phi}_{PSII}$) was stable in control thalli after 5 days, but declined significantly in $GeO_2$. Addition of silica (as $SiO_2$) did not reverse the effects of $GeO_2$. These results suggest that $GeO_2$ toxicity in brown algae is associated with negative impacts at the cytological level rather than metabolic impacts associated with photosynthesis.

Ge 나노입자가 형성된 MOS 캐패시터의 캐패시턴스와 전압 특성 (Capacitance-Voltage Characterization of Ge-Nanocrystal-Embedded MOS Capacitors)

  • 박병준;최삼종;조경아;김상식
    • 전기전자학회논문지
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    • 제10권2호통권19호
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    • pp.156-160
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    • 2006
  • Al2O3 층의 유무에 따른 Ge 나노입자가 형성된 MOS 구조의 캐패시터의 전압에 대한 캐패시턴스 (C-V)의 특성을 측정하였다. Al20O층이 형성된 MOS 캐패시터의 C-V 곡선은 전압의 변화에 대해 나타나는 반시계 방항의 히스테리시스 특성은 Si 기판과 Ge 나노입자 사이를 전자가 터널링하여 Ge 나노입자에 저장되었기 때문이다. Al2O3 층이 없는 MOS 캐패시터의 경우, 시계 방향의 히스테리시스 특성과 좌측으로 이동한 플랫-밴드 전압 값을 볼 수 있다. 이것은 SiO2 층에 존재하는 산소 결원 (oxygen vacancy) 으로 인한 전하 트랩이 이러한 특성을 나타냈다 할 수 있다. 또, 백색광이 C-V 특성에 미치는 영향에 대하여 논하였다.

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In-situ ellipsometry를 사용한 광기록매체용 Ge-Sb-Te 다층박막성장의 실시간 제어 (Real time control of the growth of Ge-Sb-Te multi-layer film as an optical recording media using in-situ ellipsometry)

  • 김종혁;이학철;김상준;김상열;안성혁;원영희
    • 한국광학회지
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    • 제13권3호
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    • pp.215-222
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    • 2002
  • 광기록매체용 Ge-Sb-Te다층박막 성장과정을 in-situ 타원계를 사용하여 실시간으로 모니터하여 각 층의 두께를 제어하고 성장된 Ge-Sb-Te 다층박막을 ex-site 분광타원법으로 확인하였다. 보호층인 ZnS-SiO$_2$와 기록층인 Ge$_2$Sb$_2$Te$_{5}$을 단결정실리콘 기층 위에 스퍼터링 방법으로 각각 성장시키면서 구한 타원상수 성장곡선을 분석하여 성장에 따르는 보호층의 균일성 및 기록 층의 밀도변화를 파악하고 이를 기초로 하여 Ge-Sb-Te광기록 다층박막의 두께를 정밀하게 제어하였다. Ge$_2$Sb$_2$Te$_{5}$ 단층박막 시료의 복소굴절율은 eX-Situ 분광타원분석을 통하여 구하였다. 제작된 다층구조는 설정된 다층구조인 ZnS-SiO$_2$(1400$\AA$)$\mid$ GST(200 $\AA$)$\mid$ZnS-SiO$_2$(200$\AA$)와 각 층의 두께 및 전체 두께에서 1.5% 이내에서 일치하는 정확도를 보여주었다.주었다.

NF3 / H2O 원거리 플라즈마 건식 세정에 의한 SiGe 표면 특성 변화 (SiGe Surface Changes During Dry Cleaning with NF3 / H2O Plasma)

  • 박세란;오훈정;김규동;고대홍
    • 반도체디스플레이기술학회지
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    • 제19권2호
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    • pp.45-50
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    • 2020
  • We investigated the Si1-xGex surface properties when dry cleaning the films using NF3 / H2O remote plasma. After the dry cleaning process, it was found that about 80-250 nm wide bumps were formed on the SiGe surface regardless of Ge concentration in the rage of x = 0.1 ~ 0.3. In addition, effects of the dry cleaning processing parameters such as pressure, substrate temperature, and H2O flow rates were examined. It was found that the surface bump is significantly dependent on the flow rate of H2O. Based on these observations, we would like to provide additional guidelines for implementing the dry cleaning process to SiGe materials.

$Pb_5Ge_3O_11$에 의한 반도성 $BaTiO_3$ 세라믹스의 저온소결성 (Low-Temperature Sinterbility of Semiconducting $BaTiO_3$ Ceramics with $Pb_5Ge_3O_11$ Additives)

  • 윤상옥;정형진;윤기현
    • 한국세라믹학회지
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    • 제28권5호
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    • pp.359-364
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    • 1991
  • The effects of Pb5Ge3O11 on the sinterbility and lattice variation of the semiconducting 0.15 mol% Y2O3 doped BaTiO3 have been investigated as functions of additive contents (from 0.25 mol% to 2.5 mol%) and sintering temperatures (from 110$0^{\circ}C$ to 130$0^{\circ}C$). As the amount of Pb5Ge3O11 increases, the sinterbility of BaTiO3 increases abruptly at around 115$0^{\circ}C$. During the sintering, the most of Pb+2 ions in additives penetrate into BaTiO3 lattices and Ge+4 ions present at grain boundaries. Therefore the c lattice of the BaTiO3 increases largely and then the tetragonality increases due to the diffusion of the Pb+2 ions.

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Bi12(Si,Ge)O20 단결정의 전기 및 광학적 특성 (Electrical and Optical Properties of Bi12(Si,Ge)O20 Single Crystals)

  • 김덕훈;문정학;이찬구;이수대
    • 한국안광학회지
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    • 제1권2호
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    • pp.37-42
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    • 1996
  • $Bi_{12}(Si,Ge)O_{20}$ 단결정의 전기 및 광학적 특성을 규명하기 위하여 Czochralski법으로 단결정을 성장시켜, 직류전기전도도와 교류전기전도도 그리고 광투과도를 측정하였다. 직류전기전도도에 대한 활성화 에너지 $E_g$는 1.12 eV 이고, 광학적 갭 $E_{opt}$는 2.3 eV였다. $Bi_{12}(Si,Ge)O_{20}$ 단결정의 교류전기전도도는 측정온도 범위는 290 K에서 570 K까지 였으며 측정주파수는 50 kHz에서 30 MHz 까지 였다. 교류전기전도도는 ${\omega}^s$에 비례하는 hopping 전도 가구를 나타내었으며, 고주파수영역에서 지수값은 s=2로 구해졌다. 유전상수는 $Bi_{12}(Si,Ge)O_{20}$ 단결정의 경우 54이고 $Bi_{12}(Si,Ge)O_{20}$ 단결정의 경우 41정도의 크기를 보였다.

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게르마늄강화효모 내의 $GeO_2$ 정성분석 (Qualitative Analysis of $GeO_2$ in Germanium-Fortified Yeast.)

  • 김소연;김명희;우희권;김보혜;손창욱;정진욱;백대헌
    • 한국미생물·생명공학회지
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    • 제35권2호
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    • pp.163-172
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    • 2007
  • 본 연구는 효모 내에서 생합성된 유기게르마늄을 함유한 게르마늄강화효모 Geranti Bio Ge-Yeast 내에 무기게르마늄이 존재하지 않거나 불검출임을 확인하기 위해 수행하였으며, 이를 뒷받침하기 위한 과학적 논거를 제시하기 위해 $GeO_2$ 정성분석 프로토콜을 수립하여 실험을 실시하였다. 1당량의 $NaBH_4$$GeO_2$에 가하면 갈홍색의 침전이 관찰되고 2당량의 $NaBH_4$를 가하면 진한 갈색의 침전이 생성되는데 이 독특한 색을 띠는 침전 생성으로부터 $GeO_2$의 존재를 정성적으로 분석이 가능하였다. $SiO_2$와의 반응 시 색 변화가 일어나지 않는 것으로 보아 색은 Ge-O와 B간의 결합에 의해 생기는 전하이동 전이 때문일 것으로 생각되며, 게르마늄강화효모와의 반응에서는 발색이나 침전이 형성되지 않아 $GeO_2$가 존재하지 않음을 확인하였다. 투석막 외부의 여과액을 취하여 상기 $GeO_2$ 정성 프로토콜에 따라 $NaBH_4$와 반응을 시도하여도 특이한 색 변화와 갈홍색 침전이 관찰되지 않았으므로 투석막을 통과하여 외부에 존재하는 게르마늄도 역시 $GeO_2$의 형태가 아닌 유기게르마늄일 것으로 사료된다. Geranti Bio Ge-Yeast는 생합성 기법을 사용하여 생산된 게르마늄을 강화한 유기게르마늄으로서 더 다양한 분석과 연구를 통해 각각의 single compound들의 구조를 규명하고 분리 정제하는 연구가 필요하리라 사료된다.