• Journal of Power Electronics
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• 제16권1호
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• pp.74-83
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• 2016

A new family of zero-voltage-transition converters with synchronous rectification is introduced in this study. Soft switching condition for all the converter operating points is provided in the proposed converters. The reverse recovery losses of the rectifier switch body diode are also eliminated. In comparison with the main switch voltage stress, the auxiliary switch voltage stress is reduced significantly. The auxiliary switch does not need the floating gate drive. The auxiliary inductor is coupled with the main converter inductor, and the leakage inductor is used as the resonance inductor. Thus, all inductors of the proposed converter can be implemented on a single core. The other features of the proposed converters include no extra voltage and current stresses on the main converter semiconductor elements. Theoretical analysis for a synchronous buck converter is presented in detail, and the validity of the theoretical analysis is justified with the experimental results of a prototype buck converter with 180 W and 80 V to 30 V.

• Journal of Power Electronics
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• 제17권3호
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• pp.621-631
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• 2017

A KY converter integrated with a conventional synchronously rectified (SR) boost converter and a coupled inductor is presented in this paper. This improved KY converter has the following advantages: 1) the two converters use common switches; 2) the voltage gain of the KY converter can be improved due to the integration of a boost converter and a coupled inductor; 3) the leakage inductance of the coupled inductor is utilized to achieve zero voltage switching (ZVS); 4) the current stress on the charge pump capacitors and the decreasing rate of the diode current can be limited due to the use of the coupled inductor; and 5) the output current is non-pulsating. Moreover, the active switches are driven by using one half-bridge gate driver. Thus, no isolated driver is needed. Finally, the operating principle and analysis of the proposed converter are given to verify the effectiveness of the proposed converter.

• 대한전자공학회논문지
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• 제23권6호
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• pp.868-873
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• 1986

The Schottky barrier diode has been used as an element of the mixer inspite of its conversion loss. In this paper the use of a GaAs MESFET is shown as a device of mixer, and the conversion gain is obtained. Also, input matching circuits aredesigned by s-parameter and fabricated on a dielectric teflon epoxy fiber glass substrate. According to the results, the conversion gain is 9 dB at the signal frequency of 4 GHz and the intermediate frequency of 1.217GHz.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제42권12호
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• pp.13-18
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• 2005

본 논문에서는 Poly-ethylene-terephthalate (PET) 기판 위에 Organic Thin Film Transistor (OTFT)와 Organic Light Emitting Diode (OLED)를 직렬 연결시킨 픽셀과 64 x 64 픽셀로 구성된 어레이를 제작하여 동작을 시연하였다. OTFT는 PET 기판과의 호환성을 고려하여 Poly 4-vinylphenol을 게이트 절연체로, 펜타센을 활성층으로 사용하여 제작되었다. 개별 소자 수준에서는 이동도가 $1.0\;cm^2/V{\cdot}sec$로 나타났으나, 어레이에서는 $0.1\~0.2\;cm^2/V{\cdot}sec$로 약 10배 정도 감소하였다. 어레이의 동작을 분석하였고 OTFT의 OLED에 대한 전류구동능력을 확인하였다.

• Journal of Information Display
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• 제7권4호
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• pp.21-23
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• 2006

We developed a 4.5" 192${\times}$64 active matrix organic light-emitting diode display on a glass using organic thin-film transistor (OTFT) switching-arrays with two transistors and a capacitor in each sub-pixel. The OTFTs has bottom contact structure with a unique gate insulator and pentacene for the active layer. The width and length of the switching OTFT is 800${\mu}m$ and lO${\mu}m$ respectively and the driving OTFT has 1200${\mu}m$ channel width with the same channel length. On/off ratio, mobility, on-current of switching OTFT and on-current of driving OTFT were $10^6,0.3{\sim}0.5$ $cm^2$/V·sec, order of 10 ${\mu}A$ and over 100 ${\mu}A$, respectively. AMOLEDs composed of the OTFT switching arrays and OLEDs made using vacuum deposition method were fabricated and driven to make moving images, successfully.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2009년도 춘계학술대회
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• pp.845-848
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• 2009

전력용반도체(Power Management IC)는 전력의 변환이나 제어용으로 최적화되어 있는 전력장치용 반도체 소자로서 전자기기에 들어오는 전력을 그 전자기기에 맞게 변경하는 역할을 하며, 일반 반도체에 비해서 고내압화, 큰 전류화, 고주파수화 되어 있다. 전력용반도체는 전기가 쓰이는 제품에는 다 들어가며, 자동차, 공업제품, 컴퓨터와 주변기기, 통신, 가전제품, 모바일 기술, 대체 에너지 등에 대한 수요 증가가 시장의 성장을 촉진한다. 전력용반도체 개발을 통해 대일무역적자 해소 기여, 취약한 비메모리 산업의 육성을 통한 반도체산업의 균형발전, 신성장동력 창출을 통한 미래 경제발전을 도모할 수 있다. 본 고에서는 반도체 부문의 미래 유망품목인 전력용반도체의 필요성 및 중요성, 시장현황 및 전망을 중심으로 살펴보고 결론에서 정책적 시사점을 도출하고자 한다.

• 한국정보전자통신기술학회논문지
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• 제2권1호
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• pp.3-9
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• 2009

AMOLED 디스플레이는 LCD에 비해 넓은 시야각, 빠른 응답 속도, 박막화의 용이성 등의 많은 장점들을 갖고 있으나 불균일한 TFT의 전기적 특성과 전원선의 전압 강하에 의한 휘도 불균일, 잔상 현상 및 수명 등과 같은 많은 문제점들이 있다. 이 중에서 본 논문에서는 구동 TFT 소자의 hysteresis 현상에 의해 발생하는 가역적 잔상 현상을 개선하고자 한다. TFT의 hysteresis 특성을 개선하기 위해 게이트 산화막 증착 전에 표면 처리 조건을 변경하였다. 게이트 산화막 증착 전에 실시한 자외선 및 수소 플라즈마 표면 처리는 게이트 산화막과 다결정 실리콘 박막 사이의 계면 trap 밀도를 $3.11{\times}10^{11}cm^{-2}$로 감소시켰고, hysteresis 레벨을 0.23 V로 줄였으며 출력 전류 변화율을 3.65 %로 감소시켰다. 자외선 및 수소 플라즈마 처리를 행함으로써 AMOLED 디스플레이의 가역적 잔상을 많이 개선할 수 있을 것으로 기대된다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제14권6호
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• pp.648-654
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• 2003

본 논문에서는 비 산화물인 불소화합물 게이트절면막을 이용하여 박막반도체 다이아몬드 MS계면(Metal-Insulator-Semiconductor Interface)의 전기적 안정화를 실현하였다. 특히 산소 게터링 효과(Oxygen-Gettering Effect)에 의한 표면준위 억제를 통해, 박막반도체 다이아몬드 MIS계면에 있어서 최적의 전기적 특성을 부여하는 BiF2 게이트절연막을 개발하였다. 본 논문의 결과에 의하면, BaF$_2$ 게이트 절연막을 이용하여 제작한 A1/BaF2/diamond MIS 다이오드와 MISFET(Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor)로부터 저농도의 ~10101/$\textrm{cm}^2$ eV의 표면준위밀도가 관측되었고, 그리고 이제까지 발표된 다이아몬드 박막반도_체 FET중 최고치인 400 $\textrm{cm}^2$/Vs의 유효이동도가 관찰되었다.

• 전기전자학회논문지
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• 제22권2호
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• pp.344-349
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• 2018

AlGaN/GaN HEMT를 제작하여 상온에서 $-178^{\circ}C$의 저온에 이르기까지 트랜지스터의 전기적인 특성 변화를 연구하였다. 상온에서 264 mA/mm를 나타내던 게이트 길이 $2{\mu}m$인 HEMT의 드레인 전류는 온도의 감소에 따라 변화하여 $-108^{\circ}C$의 온도에서 388 mA/mm로 47%의 증가를 나타냈으며 최대 트랜스컨덕턴스는 121 mS/mm로 부터 183 mS/mm로 증가하였다. 또한 $-178^{\circ}C$의 온도에 이르기까지 -0.39 V의 문턱전압 변화를 보였다. 이러한 변화는 주로 상온에서부터 $-108^{\circ}C$의 온도에서 나타나고 있으며 온도감소에 따른 $720{\Omega}/sq.$ 로부터 $300{\Omega}/sq.$로 감소하는 면저항의 변화와 함께하고 있다.

• 한국분말재료학회지
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• 제21권3호
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• pp.215-221
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• 2014

Translucent alumina is a potential candidate for high temperature application as a replacement of the glass or polymer. Recently, due to the increasing demand of high power light emitting diode (LED), there is a growing interest in the translucent alumina. Since the translucent property is very sensitive to the internal defect, such as voids inside or abnormal grain growth of sintered alumina, it is important to fabricate the defect-free product through the fabrication process. Powder injection molding (PIM) has been commonly applied for the fabrication of complex shaped products. Among the many parameters of PIM, the flowability of powder/binder mixture becomes more significant especially for the shape of the cavity with thin thickness. Two different positions of the gate were applied during PIM using the disc type of die. The binder was removed by solvent extraction method and the brown compact was sintered at $1750^{\circ}C$ for 3 hours in a vacuum. The flowability was also simulated using moldflow (MPI 6.0) with two different types of gate. The effect of the flowability of powder/binder mixture on the microstructure of the sintered specimen was studied with the analysis of the simulation result.