The static and dynamic model of IGBT for the SPICE simulation has been successfully developed. The various circuit model parameters are extracted from the I-V and C-V characteristics of IGBT and implemented into our model. The static model of IGBT consists of the MOSFET, bipolar transistor and series resistance. The parameters to be extracted are the threshold voltage of MOSFET, current gain $\beta$ of bipolar transistor, and the series resistance. They can be extracted from the measured I-V characteristics curve. The C-V characteristics between the terminals are very important parameters to determine the turn-on and turn-off waveform. Especially, voltage dependent capacitance are polynomially approximated to obtain the exact turn-on and turn-off waveforms. The SPICE simulation results employing new model agree well with the experimental values.
The switched reluctance motor(SRM) has a considerable potential for industrial applications because of its high reliability as a result of the absence of rotor windings. In some applications with SRM, a parallel switching strategy is often used for cost saving, increasing of current capacity and system reliability. This paper proposes a new parallel switching strategy of SRM using parallel winding. While conventional parallel switching devices are connected in a phase winding, power devices are connected in the parallel windings wound in each pole of stator in the proposed method. Paralleling strategy for current sharing in the proposed method can be easily determined without considerations of any nonlinear characteristics of power devices such as conduction resistance, threshold voltage and gain factor. The proposed paralleling strategy is verified by the mathematical analysis and experimental results.
본 연구에서는 CDMA 단말기요 Receiver MMIC를 설계하였다. 전체회로는 저잡음 증폭기, 하향 주파수 혼합기, 중간주파수 증폭기 그리고 바이어스 회로로 구성된다. 바이어스회로는 문턱전압과 전원접압의 변화에 대해 보상동작을 한다. 제안된 토폴리지는 높은 선형성과 저잡음 특성을 가진다. 설계결과는 다음과 같다. 전체 변환이득은 28.5 dB, 저잡음 증폭기의 압력은 IP3는 8 dBM, 하향주파수 혼합기의 압력 IP3는 0 dBm 이며 전체회로의 소모전류는 22.1 mA이다.
The switched reluctance motor(SRM) has a considerable potential for industrial applications because of its high reliability as a result of the absence of rotor windings. In some applications with SRM, a parallel switching strategy is often used for cost saving, increasing of current capacity and system reliability. This paper proposes a new parallel switching strategy of SRM using parallel winding. While conventional parallel switching devices are connected in a phase winding, power devices are connected in the parallel windings wound in each pole of stator in the proposed method. Paralleling strategy for current sharing in the proposed method can be easily determined without considerations of any nonlinear characteristics of power devices such as conduction resistance, threshold voltage and gain factor. The proposed paralleling strategy is verified by the mathematical analysis and experimental results.
서빙 기지국과의 자기 신호 채널 이득이 가장 큰 사용자를 선택하여 자원을 할당하는 기존의 max SNR 방식은 간섭 영향이 크지 않은 환경에서 우수한 성능을 나타내며, 서빙 기지국과의 자기 신호 채널 이득과 함께 사용자가 인접 셀의 기지국에 야기하는 간섭을 함께 고려하여 자원을 할당하는 max SGIR 방식은 간섭이 큰 환경에서 뛰어난 성능을 나타낸다. 이처럼, 기존의 자원할당 방식들은 각기 다른 간섭 환경에서 최적의 성능을 나타낸다. 본 논문에서는 이러한 기존 방식의 단점을 극복하기 위하여 적응적 스케쥴링 기법을 제안한다. 제안된 방식은 max SNR 기법에 따라서 사용자를 선택하며, 선택된 사용자 발생 간섭량이 특정 임계치보다 클 경우 max SGIR 방식에 따라서 새로운 사용자가 선택된다. Monte-Carlo 시뮬레이션을 통한 성능 분석 결과에 따르면 제안 방식은 다양한 간섭 환경에서 기존의 방식들 대비 항상 우수한 성능으로 최대 30%의 성능향상을 보였다.
헬스 분야에서 정보 검색의 어려움 중의 하나는 일반 사용자들이 전문적인 용어들을 이해하기가 어렵다는 점이다. 헬스와 관련된 전문 용어들은 일반 사용자들이 검색어로 사용하기 어렵기 때문에 이러한 전문 용어들이 자동적으로 검색어에 더해질 수 있다면 좀 더 검색의 효과를 높일 수 있을 것이다. 제안된 검색어 확장 모델은 전문 용어를 포함하는 MeSH(Medical Subject Headings)를 검색어 확장을 위한 단어 후보 군으로 이용하였다. 문서들은 MeSH용어들로 표현이 되고 이렇게 표현된 문서들의 집합에 대해서 LDA(Latent Dirichlet Analysis) 토픽들이 생성된 후, (검색어+초기 검색어에 의해 검색된 상위 k개 문서들)에 연관된 토픽 단어들이 원래의 검색어를 확장하는 데 쓰여졌다. MeSH로 구성된 토픽 단어들은 임의로 정해진 토픽 확률 임계값과 토픽을 구성하는 단어의 확률 임계값보다 높았을 때 초기의 검색어에 포함되었다. 특정수의 토픽을 갖는 LDA 모델에서 이러한 적절한 임계값의 설정을 통해 선택된 토픽 단어들은 검색어 확장에 이용되어 검색시에 infAP(inferred Average Precision)와 infNDCG(inferred Normalized Discounted Cumulative Gain)를 높이는데 효과적으로 작용하였다. 또한 토픽 확률값과 토픽 단어의 확률값을 곱하여 계산된 토픽 단어의 스코어가 높은 상위 k개의 단어를 검색어를 확장하는 데 이용하였을 때에도 검색의 성능이 향상될 수 있음을 확인하였다.
The immune system is partially under the control of the sympathetic and parasymphathetic nervous systems through the regulatory feedback loop. Methamphetamine (MA) is a neurotoxic chemical which affects the neurotransmitter system. The objective of this study was to investigate the immunotoxic effect of MA on the major immune target organ and lymphocyte proliferation to the various mitogens. Female Balb/C mice, 15 to 20 g, were injected subcutaneously with 0, 0.5, or 5 mg MA/kg for 14 consecutive days. In MA treated mice, the body weight gain and relative spleen and thymus weight were decreased in doserelated manner. Histopathologically, there was a paucity of lymphold follicles and germinal centers in the spleen, and thymic cortical atrophy with lymphophagocytosis was prominent. Apoptosis also occurred in germinal centers of spleen and thymic cortex. The threshold and peak of lymphocyte proliferation at various concentration of mitogens showed similar patterns. However, the response to lipopolysaccaride (LPS) and pokeweed mitogen (PWM) in the 5 mg MA/kg treated group showed threshold and peak proliferation at high concentration of mitogens (25${\mu}g$ LPS/ml for MA vs 15${\mu}g$ LPS/ml for control; 60${\mu}g$ PWM/ml for MA vs 45${\mu}g$ PWM/ml for control), which suggest that MA impairs T cell dependent-B cell function. This preliminary study indicated that MA affected the lymphold organs and immune function.
최근 항공교통량이 폭발적으로 증가됨에 따라 항공로 수용력 증대를 위한 다양한 연구가 진행되고 있다. 기존 VOR/DME장비를 기준으로 설정된 항공로 상 분리간격의 한계를 보완하기 위하여 인공위성을 활용하는 GNSS가 고려되고 있다. 또한 GNSS 오차를 보정할 수 있는 시스템인 SBAS를 이용하여 더욱 더 정확한 위치정보를 얻으려 노력하고 있다. ICAO에서는 2025년까지 SBAS 도입을 권고하고 있고 우리나라 또한 2014년부터 한국형 SBAS인 KASS개발에 착수하였다. 이에 KASS 개발에 따른 노력으로, 적절한 수신기 설계가 요구되어 본 논문에서는 측정항목에 대한 간섭임계값 및 위성 수신 안테나의 앙각에 따른 수신 안테나 이득을 분석하였다.
본 논문에서는 DT-CMOS(Dynamic Threshold voltage Complementary MOSFET) 스위칭 소자를 사용한 DC-DC Buck 컨버터를 제안하였다. 높은 효율을 얻기 위하여 PWM 제어방식을 사용하였으며, 낮은 온 저항을 갖는 DT-CMOS 스위치 소자를 설계하여 도통 손실을 감소시켰다. 제안한 Buck 컨버터는 밴드갭 기준 전압 회로, 삼각파 발생기, 오차 증폭기, 비교기, 보상 회로, PWM 제어 블록으로 구성되어 있다. 삼각파 발생기는 전원전압(3.3V)부터 접지까지 출력 진폭의 범위를 갖는 1.2MHz의 주파수를 생성하며, 비교기는 2단 증폭기로 설계되었다. 그리고 오차 증폭기는 70dB의 이득과 $64^{\circ}$의 위상여유를 갖도록 설계하였다. 또한 제안한 Buck 컨버터는 current-mode PWM 제어회로와 낮은 온 저항을 갖는 스위치를 사용하여 100mA의 출력 전류에서 최대 95%의 효율을 구현하였으며, 1mA 이하의 대기모드에도 높은 효율을 구현하기 위하여 LDO 레귤레이터를 설계하였으며, 또한 2개의 IC 보호 회로를 내장하여 신뢰성을 확보하였다.
Kim, D.I.;Hwang, B.U.;Jeon, H.S.;Bae, B.S.;Lee, H.J.;Lee, N.E.
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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pp.154-154
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2012
Flexible complementary inverters based on thin-film transistors (TFTs) are important because they have low power consumption and high voltage gain compared to single type circuits. We have manufactured flexible complementary inverters using pentacene and amorphous indium gallium zinc oxide (IGZO) for the p-channel and n-channel, respectively. The circuits were fabricated on polyimide (PI) substrate. Firstly, a thin poly-4-vinyl phenol (PVP) layer was spin coated on PI substrate to make a smooth surface with rms surface roughness of 0.3 nm, which was required to grow high quality IGZO layers. Then, Ni gate electrode was deposited on the PVP layer by e-beam evaporator. 400-nm-thick PVP and 20-nm-thick ALD Al2O3 dielectric was deposited in sequence as a double gate dielectric layer for high flexibility and low leakage current. Then, IGZO and pentacene semiconductor layers were deposited by rf sputter and thermal evaporator, respectively, using shadow masks. Finally, Al and Au source/drain electrodes of 70 nm were respectively deposited on each semiconductor layer using shadow masks by thermal evaporator. The characteristics of TFTs and inverters were evaluated at different bending radii. The applied strain led to change in voltage transfer characteristics of complementary inverters as well as source-drain saturation current, field effect mobility and threshold voltage of TFTs. The switching threshold voltage of fabricated inverters was decreased with increasing bending radius, which is related to change in parameters of TFTs. Throughout the bending experiments, relationship between circuit performance and TFT characteristics under mechanical deformation could be elucidated.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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