$MnBi_{1-x}Ti_x$ (x = 0, 0.4, 0.7, 1) alloys were prepared by arc-melting, followed by heat treatment. X-ray diffraction (XRD) and vibrating sample magnetometer (VSM) were used to measure and investigate the phase structure and magnetic properties. The temperature dependent magnetization curves indicate that the phase transitions between LTP and HTP MnBi occur with heating or cooling in $MnBi_{1-x}Ti_x$ ($x{\leq}0.7$) samples. However, MnTi samples are in $Mn_2Ti$ single-phase, with very low magnetic properties. Furthermore, the coercivity exhibits a positive temperature coefficient. The results show that the optimal content of Ti for the coercivity of $MnBi_{1-x}Ti_x$ alloy is x = 0.4. For MnBi sample, the coercivity reaches a maximum value of 1.13 T at 550 K. However, the remanence and energy product show apparent decrease with the addition of Ti in $MnBi_{1-x}Ti_x$ alloys.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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v.46
no.12
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pp.37-43
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2009
This paper describes a monolithic Darlington-cascade amplifier (DCA) operating at X-band, realized with a 0.35-micron SiGe bipolar process, which provides 45 GHz $f_T$. A conventional cascade amplifier was also designed on the same process and tested to establish a reference. Compared to the reference cascade amplifier, the proposed monolithic amplifier circuit exhibits an improved gain of 2.5 dB and improved output power 1-dB compression point of 5.2 dB with 72% wider bandwidth. Measurement results show 19.5 dB gain, 11.2 dBm 1-dB compression power, and 3.1 GHz bandwidth. These results demonstrate that the Darlington-cascade cell is an advantageous substitute to the conventional cascade amplifier.
This paper studies the effects of the Mn-site substitution by nickel on the magnetic properties and the magnetocaloric properties of $La_{0.7}Ca_{0.3}Mn_{1-x}Ni_xO_3$ (x = 0, 0.05 and 0.1). The orthorhombic crystal structures of the samples are confirmed by the room temperature X-ray diffraction. The dependence of the Curie temperature ($T_C$) and the magnetic entropy change (${\Delta}S_M$) on the Ni doping content was investigated. The samples with x = 0 had the first order phase transition, while the samples with x = 0.05 and 0.1 had the second order phase transition. As the concentration of Ni increased, the maximum entropy change (${\mid}{\Delta}S_M{\mid}_{max}$) decreased gradually, from 2.78 $J{\cdot}kg^{-1}{\cdot}K^{-1}$ (x = 0) to 1.02 $J{\cdot}kg^{-1}{\cdot}K^{-1}$ (x = 0.1), in a magnetic field change of 15 kOe. The measured value of $T_C$ was 185 K, 150 K and 145 K for x = 0, 0.05 and 0.1, respectively. The phase transition temperatures became wider as x increased. It indicates that the Mn-site substitution by Ni may be used to tailor the Curie temperature in $La_{0.7}Ca_{0.3}Mn_{1-x}Ni_xO_3$.
The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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v.19
no.4
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pp.119-128
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2019
Due to the nature of the 3D graphics processor system, many mathematical calculations are required and parallel processing research using GPU (Graphics Processing Unit) is being performed for high-speed processing. In this paper, we propose a 3D graphics processor using MAMS, a parallel processor that does not use cache memory, to solve the GPU problem of increasing bandwidth caused by cache memory miss and the problem that 3D shader processing speed is not constant. The 3D graphics processor using MAMS proposed in this paper designed Vertex shader, Pixel shader, Tiling and Rasterizing structure using DirectX command analysis, the FPGA(Xilinx Virtex6@100MHz) board for MAMS was constructed and designed using Verilog. We compared the processing time of the developed FPGA (100Mhz) and nVidia GeForce GTX 660 (980Mhz), the processing time using GTX 660 was not constant and suing MAMS was constant.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.08a
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pp.61.2-61.2
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2013
우리나라 최초의 거대과학 장치인 포항방사광가속기(PLS)는 지난 16년(1994~2010) 동안 국내외 이용자에게 제3세대 방사광을 제공했다. 최초 2기의 빔라인을 시작으로 꾸준하게 빔라인 증설과 성능개선을 위해 노력해 왔다. 지속해서 늘어나는 방사광 이용자 수와 더욱더 좋은 수준의 방사광 요구에 부응하기 위하여 2009년부터 3년 동안 가속장치의 성능향상사업(PLS-II)을 마쳤다. PLS-II는 PLS 대비에너지와 빔전류는 3 GeV, 400 mA로 늘리는 반면 빔의 크기는 크게 줄이고 빔안정성을 개선한 고품질 X-선 방사광 발생장치이다. 2012년부터 16기의 삽입장치 빔라인을 포함한 30기의 빔라인을 가동하여 이용자 지원을 하고 있으며 초전도케비티 설치를 포함한 목표 성능의 확보에도 많은 노력을 기울이고 있다. 현재는 6 nm-rad의 빔에 미턴스, 3-GeV전자빔, 약 0.5 ${\mu}m-rms$ 빔안정도를 가진 200 mA Top-up 운전으로 빔을 제공 하고 있으며 2014년 말에는 저장전류 400 mA급의 PLS-II 목표치로 운전할 계획이다. 본 발표에서는 포항가속기의 25년 역사를 돌아보고 가속장치의 건설에 얽힌 이야기, 중요장치 그리고 운전과 빔제공에 관한 내용, 특히 핵심 운전가치인 빔안정성을 개선하고 유지하기 위한 노력을 빔운전 측면과 진공을 포함한 엔지지어링 측면에서 언급하고자 한다. PLS 건설부터 현재 운용 중인 30기의 빔라인에서 수행된 연구 성과의 통계에 대하여 훑어보고 X-선 산란과 광전자분광을 이용한 구조, 성분 및 물성분석, 그리고 이미징 등의 분야에서 나온 탁월한 연구 결과를 살펴본다. 앞으로 건설될 신규 빔라인과 빔라인의 향후 운영 방향을 소개한다. 마지막으로 지금 포항가속기연구소에서 건설 중인 제4세대 가속기(X-선 자유전자레이저) 프로젝트의 개요 및 건설 현황과 함께 앞으로 기대되는 새로운 과학에 대하여도 소개하고자 한다.
DME (Dimethyl Ether, $CH_3OCH_3$) has highly attracted attention as an alternative fuel for transportation, power generation and LPG substitute owing to its easy transportation and cleanliness. This study was conducted to verify the combustion performance and to identify potential problems when DME is fuelled to a gas turbine. GE7EA gas turbine of Pyong-Tak power plant was selected as a target to apply the DME. Combustion tests were conducted by comparing DME with methane, which is a major component of natural gas, in terms of combustion instability, $NO_X$ and CO emissions, and the outlet temperature of the combustion chamber. The results of the performance tests show that DME is very clean but has a low combustion efficiency in low load condition. From the results of the fuel nozzle temperature we have ascertained that DME is easy to flash back, and this property should be considered when operating a gas turbine and retrofitting a burner.
Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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v.29
no.6
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pp.707-712
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2005
PRAM (Phase change random access memory) is one of the most promising candidates for next generation Non-volatile Memories. The Phase change materials have been researched in the field of optical data storage media. Among the phase change materials. $Ge_2Sb_2Te_5$ is very well known for its high optical contrast in the state of amorphous and crystalline. However the characteristics required in solid state memory are quite different from optical ones. In this study. the structural Properties of GeSbTe thin films with composition were investigated for PRAM. The 100-nm thick $Ge_2Sb_2Te_5$ and $Sb_2Te_3$ films were deposited on $SiO_2/Si$ substrates by RF sputtering system. In order to characterize the crystal structure and morphology of these films. x-ray diffraction (XRD). atomic force microscopy (AFM), differential scanning calorimetry (DSC) and 4-point measurement analysis were performed. XRD and DSC analysis result of GST thin films indicated that the crystallization of $Se_2Sb_2Te_5$ films start at about $180^{\circ}C$ and $Sb_2Te_3$ films Start at about $125^{\circ}C$.
For an integer $m{\geq}3$, every integer of the form $p_m(x)$ = $\frac{(m-2)x^2(m-4)x}{2}$ with x ${\in}$$\mathbb{Z}$ is said to be a generalized m-gonal number. Let $a{\leq}b{\leq}c$ and k be positive integers. The quadruple (k, a, b, c) is said to be universal if for every nonnegative integer n there exist integers x, y, z such that n = $ap_k(x)+bp_k(y)+cp_k(z)$. Sun proved in [16] that, when k = 5 or $k{\geq}7$, there are only 20 candidates for universal quadruples, which h listed explicitly and which all involve only the case of pentagonal numbers (k = 5). He veri ed that six of the candidates are in fact universal and conjectured that the remaining ones are as well. In a subsequent paper [3], Ge and Sun established universality for all but seven of the remaining candidates, leaving only (5, 1, 1, t) for t = 6, 8, 9, 10, (5, 1, 2, 8) and (5, 1, 3, s) for s = 7, 8 as candidates. In this article, we prove that the remaining seven quadruples given above are, in fact, universal.
Kim, Kwang-Joo;Kim, Hee-Kyung;Park, Young-Ran;Ahn, Geun-Young;Kim, Chul-Sung;Park, Jae-Yun
Journal of the Korean Magnetics Society
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v.15
no.2
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pp.96-99
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2005
Phase transition from normal- to inverse-spinel structure has been observed for $Fe_xCo_{3-x}O_4$ thin films as the Fe composition (x) increases from 0 to 2. The samples were fabricated as thin films by sol-gel method on Si(100) substrates. X-ray diffraction measurements revealed a coexistence of two phases, normal and inverse spinel, for $0.76{\le}x{\le}0.93$. The normal-spinel phase is dominant for $x{\le}0.55$ while the inverse-spinel phase for $x{\ge}l.22$. The cubic lattice constant of the inverse-spinel phase is larger than that of the normal-spinel phase. For both phases the lattice constant increases with increasing x. X-ray photoelectron spectroscopy measurements revealed that both $Fe^{2+}$ and $Fe^{3+}$ ions exist with similar strength in the x=0.93 sample. Conversion electron $M\ddot{o}ssbauer$ spectra measured on the same sample showed that $Fe^{2+}$ ions prefer the octahedral $Co^{3+}$ sites, indicating the formation of the inverse-spinel phase. Analysis on the measured optical absorption spectra for the samples by spectroscopic ellipsometry indicates the dominance of the normal spinel phase for low x in which $Fe^{3+}$ ions tend to substitute the octahedral sites.
Background: Ionizing radiation is known to be harmful to human health. The shielding of ionizing radiation depends on the attenuation which can be achieved by three main rules, i.e. time, distance and absorbing material. Materials and Methods: The mass attenuation coefficient, linear attenuation coefficient, Half Value Layer (HVL) and Tenth Value Layer (TVL) of X-rays (32 keV, 74 keV) and gamma rays (662 keV) are measured in Barium compounds. Results and Discussion: The measured values agree well with the theory. The effective atomic numbers ($Z_{eff}$) and electron density (Ne) of Barium compounds have been computed in the wide energy region 1 keV to 100 GeV using an accurate database of photon-interaction cross sections and the WinXCom program. Conclusion: The mass attenuation coefficient and linear attenuation coefficient for $BaCO_3$ is higher than the $BaCl_2$, $Ba(No_3)_2$ and BaSO4. HVL, TVL and mean free path are lower for $BaCO_3$ than the $BaCl_2$, $Ba(No_3)_2$ and $BaSO_4$. Among the studied barium compounds, $BaCO_3$ is best material for x-ray and gamma shielding.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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