제어로봇시스템학회 1993년도 한국자동제어학술회의논문집(국제학술편); Seoul National University, Seoul; 20-22 Oct. 1993
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pp.307-311
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1993
Research concerning gears included in rotating machines has been reported using the acoustic emission (AE) method, however, almost no research has been conducted using the AE method in regard to running gears in a bending fatigue processor spur gear teeth. Therefore, in this report, a power circulating-type gear testing machine was used and AE signals and crack length were measured in the bending fatigue process of case-hardened spur gear. Furthermore, the envelope of the AE signal was detected and various analysis were carried out in this data. In the course of the experiments, the following results were observed : the AE signal envelope consists mainly of contact frequency component and twice as many as this;two peaks of AE appear in each tooth contact by the tip corner contact ; as a result of the severe tip corner contact ; as a result of the severe tip corner contact with the sudden increase of crack length, AE signal becomes large.
Corrugation of railway track can be caused by the various dynamic behaviors of traveling wheels and track. In this paper, the coupled vibrations of traveling wheel and railway track are analyzed as the cause of corrugations. To analyze the coupled vibration, the track supported by the sleepers and the traveling wheels are identified to the elastically supported infinite beam and the spring-mass system which runs at constant speed. The Hertzian contact spring is considered between the infinite beam and spring-mass system are calculated. The cause and development of rail corrugation are discussed in the view point of contact force fluctuation affected by the elastic supports and the corrugated surface profile on the track. By the obtained results, the possibilities of resonance are checked between the excitation by the corrugated surface profile and the natural frequency of contact spring-mass system. It may be thought to a development of railway corrugation.
The etching technology of the high aspect ratio contact(HARC) is necessary at the critical contact processes of semiconductor devices. Etching the $SiO_{2}$ contact hole with the sub-micron design rule in manufacturing VLSI devices, the unexpected phenomenon of 'profile tilting' or 'bottom distortion' is often observed. This makes a short circuit between neighboring contact holes, which causes to drop seriously the device yield. As the aspect ratio of contact holes increases, the high C/F ratio gases, $C_{4}F_{6}$, $C_{4}F_{8}$ and $C_{5}F_{8}$, become widely used in order to minimize the mask layer loss during the etching process. These gases provide abundant fluorocarbon polymer as well as high selectivity to the mask layer, and the polymer with high sticking yield accumulates at the top-wall of the contact hole. During the etch process, many electrons are accumulated around the asymmetric hole mouth to distort the electric field, and this distorts the ion trajectory arriving at the hole bottom. These ions with the distorted trajectory induce the deformation of the hole bottom, which is called 'profile tilting' or 'bottom distortion'. To prevent this phenomenon, three methods are suggested here. 1) Using lower C/F ratio gases, $CF_{4}$ or $C_{3}F_{8}$, the amount of the Polymer at the hole mouth is reduced to minimize the asymmetry of the hole top. 2) The number of the neighboring holes with equal distance is maximized to get the more symmetry of the oxygen distribution around the hole. 3) The dual frequency plasma source is used to release the excessive charge build-up at the hole mouth. From the suggested methods, we have obtained the nearly circular hole bottom, which Implies that the ion trajectory Incident on the hole bottom is symmetry.
The optimal high temperature processing conditions for the formation of Ohmic contact of Ti/Al/Pt/Au multiple layers were established for the fabrication of n$^{+}$-GaN/AlGaN/GaN HFET device. Contact resistivity as low as 3.4x10$^{-6}$ ohm-$\textrm{cm}^2$ was achieved by the annealing of the sample at 100$0^{\circ}C$ for 10 sec. using the RTA (Rapid Thermal Annealing) system. The fabricated HFET (Heterostructure Field Effect Transistor) with a structure of n'-GaN/undoped AlGaN/undoped GaN exhibited a low knee voltage of 3.5 V and a maximum source-drain current density of 180 mA/mm at Vg=0V.V.
A numerical procedure for contact analysis and calculating subsurface stress was developed. The procedure takes the advantage of signal processing technique in frequency domain to achieve shorter computing time. Boussinesq's equation was adopted as a response function in contact analysis. The validity of this procedure was proved by comparing the numerical results with the exact solutions. The fastness of this procedure was also compared with other algorithm.
한국윤활학회 2002년도 proceedings of the second asia international conference on tribology
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pp.255-256
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2002
In this paper, the frictional behavior according to the contact geometry was investigated using a micro-tribotester built inside a Scanning Electron Microscope (SEM) and an Atomic Force Microscope (AFM). FFT (Fast Fourier Transform) analysis for friction was conducted as a method to interpret the contact condition. From the experimental results, it could be concluded that the relative dimensions and distribution of contact asperities on the surface could be predicted by the power spectrum and main frequency in the FFT analysis of the friction signal.
A data acquisition and signal processing system for evaluating the current collection system is developed, and subsequently applied to the measurement and analysis of the contact force in the current collection system of the proposed Korean High Speed Railway. The measurement of the contact force is based on an algorithm that employs the relationship between the contact force, the strain due to the bending moment and the panhead inertia. For the contact forces in the frequency range of less that 50Hz, the panhead can the modeled as a rigid body in the inertia calculation. For higher frequencies however, the bending vibration modes of the panhead need to be accounted for as well.
The fabrication process of fiber placement system of carbon fiber reinforced plastic (CFRP) requires real time process control and reliable inspection to ensure quality by preventing defects such as delamination and void. Therefore, novel non-contact inspection technique is required during the non-destructive evaluation in a fiber placement system. For the inspection of delamination in CFRP, various methods to receive laser-generated ultrasound were applied by using piezoelectric transducer, air-coupled transducer, wavelet transform and scanning laser ultrasonic technique. Laser-generated ultrasound was received with a conventional piezoelectric sensor in contacting manner. Then signal characteristics due to defects were analyzed to find a factor for detecting defects. Air-coupled transducer was used for reception of laser-generated guided wave using linear slit array in order to generate high frequency guided wave. And line scan technique was used to confirm the capability of on-line application. The high frequency component of laser-generated guided wave received with piezoelectric sensor disappeared after propagating through delamination region. Nevertheless, it was failed to receive high frequency guided wave in using air-coupled transducer. The first peak of the frequency spectrum under 100kHz in the delamination region is higher than in the sound region. By using this feature, the line scanned frequency data were acquired in fully non-contact generation and reception of ultrasound. This method was proved as useful technique for detecting delamination in CFRP.
We have investigated equivalent-circuit analysis of organic light-emitting diodes using frequency-dependent response of $ITO/Alq_3(60nm)/Al$ device at two different bias voltages. Complex impedance Z of the device was measured in the frequency range of 40Hz~1MHz. A Cole-Cole plot shows that there are two dielectric relaxations at the bias below turn-on voltage, and one relaxation at the bias above turn-on voltage. We are able to interpret the frequency-dependent response in terms of equivalent-circuit model of contact resistance $R_s$ in series with parallel combination of resistance $R_p$ and capacitance $C_p$. We have obtained contact resistance $R_s$ around $90{\Omega}$, mainly from the ITO anode.
In this study, a numerical procedure to solve a contact problem has been developed. The procedure takes the advantage of signal processing technique in frequency domain to achieve the shorter computer processing time. The Boussinesq's equation was adopted as the response function. This procedure is applicable to the non-periodic surface profile as well as the periodic one. The validity of this procedure has been established by comparing the numerical results with the exact solutions. The effectiveness of this procedure is lied on the shorter computing time than any other contact analysis algorithm.
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