• 스마트미디어저널
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• 제12권1호
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• pp.17-23
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• 2023

보안 설계 방법론은 물리적 공격으로부터 집적회로를 방어하는 것을 목적으로 하며, 칩 외부에서 발생하는 비정상적인 접근을 감지하는 회로를 내부에 추가로 배치하여 구현된다. 비정상적인 접근 중 microprobing과 FIB 장비를 이용한 회로 수정 공격은 직접적인 접근이 가능한 만큼 가장 강력한 공격 수단이다. microprobing은 프로브를 통해 회로의 와이어에 의도적으로 결함을 주입하거나, 데이터를 읽고 변경한다. FIB 회로 수정 공격은 회로를 재연결하거나 파괴하여 회로를 무력화하거나 데이터에 접근하는 방식이다. 기존에는 두 공격에 대응하기 위해 두 신호의 도착 시간 불일치를 검출하거나, 암호화 통신을 기반으로 입출력 데이터를 비교하는 연구가 진행됐었다. 본 논문에서는 하드웨어 오버헤드 감소를 목표로 연구를 진행했으며, 프로브 접촉과 회로 수정을 통해 발생하는 반사 신호의 비대칭을 감지한 후, 비교를 통해 공격을 검출한다. 제안하는 보안 회로는 기존 연구 대비 회로의 크기와 테스트 주기를 감소시켜, 보안에 사용되는 비용을 절감할 수 있다.

• 한국공작기계학회논문집
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• 제14권1호
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• pp.44-51
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• 2005

Material degradation is a multibillion-dollar problem which affects all the industries amongst others. The last decades have seen the development of newer and more effective techniques such as Focused-ion beam(FIB), Transmission electron microscopy(TEM), Secondary-ion mass spectroscopy(SIMS), auger electron spectroscopy(AES), X-ray Photoelectron spectroscopy(XPS) , Electrochemical impedance spectroscopy(EIS), Photo- stimulated luminescence spectroscopy(PSLS), etc. to study various forms of material degradation. These techniques are now used routinely to obtain information on the chemical state, depth profiling, composition, stress state, etc. to understand the degradation behavior. This paper describes the use of these techniques specifically applied to materials degradation and failure analysis.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.545-545
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• 2012

집속이온빔장치(FIB: Focused Ion Beam System)에 사용하는 액체금속이온원(LMIS: Liquid Metal Ion Source)은 고 전류밀도, 고 휘도, 낮은 에너지퍼짐 등 많은 장점이 있다. 집속이온빔장치는 주로 표면 분석, 집적 회로의 수정, 마스크 교정(Repair) 및 잘못된 부분의 분석(Failure Analysis) 등에 사용되고 있는데 최근에는 고 분해능의 이온빔 리소그래피와 이온 주입의 기술 및 미세가공 기술 등의 분야에 집중되고 있으며 이를 위해서는 집속이온빔장치의 수렴성(Convergence)을 개선해 나가는 것이 중요하다. 집속이온빔장치의 수렴성은 이온빔의 에너지 퍼짐(Energy Spread)과 각 분포(Angular Distribution)에 많은 영향을 받으며 에너지퍼짐 특성은 색수차에 직접적인 영향을 준다. 수렴성을 개선하기 위해 기존의 에미터(Emitter), 저장소(Reservoir), 추출극(Extractor)으로 제작된 액체금속이온원에 서프레서(Suppressor)라는 새로운 전극을 사용하여 이 전극의 유 무에 따른 각 분포의 변화에 대해 연구하였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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• pp.845-848
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• 2007

Analysis of point defects invisible by a microscope has been studied on the a-Si thin film transistor panel. The point defects which were named Invisible Point Defect (IPD) is characterized by no particles or distortion of patterns on a pixel structure and randomly distributed on panels. To investigate the IPD, measurements were carried out: gray level driving, transistor transfer characteristic, focused ion beam (FIB), and secondary ion mass spectrometry (SIMS). The results showed that a contamination layer had a bad influence on an active surface. The contamination layer consisted of oxygen and iron from a water supply line during cleaning process. After the process tuning, IPD has been stabilized.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2004년도 춘계학술대회 발표 논문집
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• pp.229-233
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• 2004

The application of focused ion beam (FIB) technology in micro/nano machining has become increasingly popular. Its use in micro/nano machining has advantages over contemporary photolithography or other micro/nano machining technologies such as small feature resolution, the ability to process without masks and being accommodating for a variety of materials and geometries. This paper was carried out some experiments of the micro plasma electrode fabrications using FIB. The sputtering of FIB has one major problem that is redeposited by sputtered material including $Ga^+$ ion source. Therefore we have verified the effect of the reposition by EDX. And the optimal condition is suggested to machine the micro plasma electrode.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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• pp.202-202
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• 2000

AC-PDP(Plasma Display Paner)는 기체 방전을 이용한 디스플레이로서 기체에 직접 노출되는 MgO 보호막의 2차전자 방출계수(${\gamma}$는 AC-PDP의 방전특성을 결정짓는 중요한 요소이다. MgO 보호막의 이차전자 방출계수는 AC-PDP에 주입하는 기체의 종류, 결정 방향성과 표면오염상태 등에 영향을 받는다. 본 연구에서는 유리 기판위에 Al 전극을 증착, 에칭후 screen printing으로 유전체를 도포, 소성 한 21inch 규격의 test panel에 MgO 보호막을 E-Beam으로 5000$\AA$ 증착한 후 MgO 보호막을 대기에 노출되는 시간간격을 변수로 하여 대기 열처리 한 MgO보호막의 2차 전자방출계수를 ${\gamma}$-FIB(Focused Ion Beam) 장치를 이용하여 측정하였다. 그리고 대기 노출 간격은 1분, 5분, 20분으로 하여 2차 전자방출계수를 측정하였고, 2차전자방출계수 측정 시 가속전압은 50V에서 200V까지 변화를 주었으며, Ne+을 사용하여 1.2$\times$10-4Torr의 진공도를 유지하며 측정하였다. 또한 각각의 MgO막의 에너지 갭을 광학적 방법을 이용하여 구하였다.

• 소성∙가공
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• 제17권2호
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• pp.91-96
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• 2008

The governing parameters affecting the fatigue properties have been investigated experimentally in the high carbon steel wires with 0.94 wt.%C. In order to find the crucial factors, the advanced analysis techniques such as optical 3-D profiler, focused ion beam(FIB) and transmission electron microscope(TEM) were used. The two-type steel wires with different drawing strain were fabricated. The fatigue properties were measured by hunter rotating beam tester, specially designed for thin-sized steel wires. It was found that the fatigue properties of the steel wires with high drawing strain was higher than that with other wires because of low residual stress and high adhesion condition of brass coating layer.

• 한국자기학회지
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• 제17권6호
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• pp.221-225
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• 2007

[ $Co_{73}Pt_{27}-TiO_2$ ] 수직자기 기록매체에 대해 집속이온빔(FIB)을 이용한 $Ga^+$ 이온 조사에 따른 자기적 특성의 변화를 조사하였다. $Ga^+$ 이온 도즈량을 $1\times10^{15}ions/cm^2$에서 $30\times10^{15}ions/cm^2$까지 증가시켰을 때 도즈량 $20\times10^{15}ions/cm^2$ 이상에서 수직자기이방성 및 강자성 특성이 사라지는 것이 관찰되었으며, 이는 스퍼터링 효과에 따른 수직자기 기록층의 두께 감소보다는 $Ga^+$ 이온 주입에 따른 수직자기 기록매체내의 조성 분포의 변화에 따른 것으로 보인다. $Ga^+$ 이온 조사법을 이용하며 $70\times70nm^2,\;100\times100nm^2$ 크기의 자기구조체 패턴을 형성하였다.

• 한국진공학회지
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• 제12권1호
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• pp.16-19
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• 2003

실온에서 p-InP (100) 위에 이온빔 증착법으로 Ni 박막을 성장하였다. Ni 박막의 이차전자방출계수(${\gamma}$)와 일함수를 결정하기 위하여 Ne, Ar, $N_2$, Xe 이온원을 사용하여 가속전압에 따른 $\gamma$를 측정하였다. 여러 가지 기체와 집속이온빔장치의 가속전압에 따른 $\gamma$결과로부터 Ni 박막의 일함 수를 결정하였다. p-InP (100) 위에 성장한 Ni 박막의 일함수는 5.8 eV ~ 5.85 eV 이었다. 실험을 통하여 얻어진 결과들은 실온에서 p-InP (100) 위에 성장한 Ni 박막의 전자적 성질에 관한 중요한 정보를 제공하고 있다.

• 에너지공학
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• 제25권1호
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• pp.192-197
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• 2016

새로운 재료가 개발되어 점점 반도체 디바이스의 적용으로 인해 반도체 장치 구조의 미세화를 촉진하고 있고 반도체 디바이스의 제조공정에서는 초기불량이나 일정시간 가동 후의 고장이 끊이지 않고 발생하고 있어 그 결함에 대한 해석은 날이 갈수록 중요해지고 있다. 여기서는 반도체 디바이스의 전기적 고장 검출과 디바이스 결함부의 물리해석에 대해 서술한다. 물리해석에는 주사전자현미경이나 투과전자현미경, 집속이온빔가공장치와 같은 전자나 이온을 이용한 장치가 사용되는데 여기서는 그 사용기술과 특성에 대해 서술하고자 한다.