• 대한교통학회지
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• 제33권2호
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• pp.204-213
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• 2015

지하철 역사 공간 내 보행교통류의 혼잡 상황은 역사의 이용효율을 저해시킨다. 특히 방향별 동선의 미분리로 인한 보행자간 상충은 보행자의 이동저항을 증가시키며 통행시간과 안전사고에 부정적인 영향을 끼치게 된다. 본 연구에서는 미시적 움직임에 기반한 양방향 보행교통류의 통행 특성을 분석하였으며, 동선 분리로 인한 운영상의 효과를 분석하는 모형을 개발하였다. 이산요소법에 따라 역사 공간을 2차원 grid 구조로 해석하였으며, 각 grid에 존재하는 cell 별로 보행자의 움직임이 이루어진다고 보았다. 그 결과 양방향 보행교통류가 상충하는 상황에서는 동선을 분리시키고, 우측통행을 유도하여 보행자들의 진행 방향을 정돈시키는 경우가 가장 효율이 좋은 것으로 분석되었다. 이에, 동선 분리 시스템을 적용하여 보행편의 및 이동성을 증진시키기 위한 시사점을 제시하고자 한다.

• 한국통신학회논문지
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• 제27권12C호
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• pp.1245-1250
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• 2002

최근 몇 년간 인터넷 사용 환경이 주로 유선 접속에서 점차 무선으로 접속하는 경우가 증가하고 있으며 또한 실시간 응용 데이터의 사용이 늘어나고 있다. 이에 따라 사용자의 이동성을 제공하고 동시에 QoS를 제공하기 위한 무선 네트워크의 연구 및 개발이 필수적이다. IETF는 이미 이러한 이동성 지원을 위한 차세대 프로토콜인 Mobile IPv6와 QoS를 위한 RSVP를 각각 개발하였으며 이것은 앞으로 유선 네트워크뿐만 아니라 무선 네트워크에도 적용되리라 예상된다. 그러나 이 두 가지 메커니즘의 통합과 효율적 연동은 아직까지 제시되지 않았다. 본 논문에서는 우선 빠른 이동성을 지원할 수 있는 무선 네트워크 모델로 최근 IETF에서 제안하고 있는 Mobile IPv6 기반의 셀룰러 IP를 사용하였으며 셀룰러 IP와 기존 RSVP의 적용에 있어서의 문제점으로 이동 호스트의 잦은 핸드오프로 발생하는 RSVP 시그널링 오버헤드 증가 문제와 네트워크 내에서 동일한 응용 데이터에 대한 자원 예약에 있어서의 문제점을 해결하면서 두 가지 프로토콜의 효율적 연동을 위해 IPv6 헤더의 플로우 레이블 필드(flow label field)를 이용하는 개선된 RSVP 메커니즘을 제안하였다.

• 한국ITS학회 논문지
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• 제20권4호
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• pp.13-27
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• 2021

본 연구에서는 영동고속도로 용인IC~양지IC구간을 대상으로 2020년 데이터를 활용하여 자율주행자동차의 시장점유율 변화가 교통류에 미치는 영향을 추정하였다. 교통류에 미치는 영향 정도를 추정하기 위해 미시교통시뮬레이션 모형인 VISSIM을 활용하였다. 자율주행자동차의 종방향 제어를 반영하기 위해서 intelligent driver model(IDM)을 구축 후 VISSIM에 적용하여 일반차와 비교를 수행하고 주행행태를 검증하였다. 자율주행자동차의 시장점유율에 따른 이동성 및 안전성 분석 결과, 자율주행자동차 도입 시 시장점유율이 높아질수록 네트워크의 이동성은 향상되지만, 안전성의 경우 차종이 혼재되었을 때 교통류가 불안정해지므로 더욱 안전 관리에 집중해야 한다는 것을 확인하였다.

• 한국수소및신에너지학회논문집
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• 제34권5호
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• pp.456-464
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• 2023

In this study, a compact hydrogen liquefaction system was constructed with the aim of creating a data storage and monitoring program for liquid hydrogen production. This program was designed to receive and record signals from diverse control equipment through the LabVIEW software. A range of measurement instruments were devised to collect data, encompassing variables such as flow rate, pressure, temperature, and liquid level. As a result, it was possible to directly check the production of liquid hydrogen by obtaining various data of condensed liquid hydrogen. In addition, it was confirmed that long-term storage of liquid hydrogen is possible by developing automatic ON/OFF through the LabVIEW program.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
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• pp.66-69
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• 2001

Effect of $N_2$ flow rate on properties of GaN thin films grown by plasma-enhanced molecular beam epitaxy(PEMBE) was discussed to optimize the quality of thin films. It was found that at low $N_2$ flow rate indicating high III/V flux ratio, the growth rate of GaN thin films was controlled by $N_2$ flux, and at high $N_2$ flow rate the growth rate was not controlled by $N_2$ flux any longer. It was also found that III/V flux ratio affected film quality. The film grown at higher $N_2$ flow rate showed low background carrier concentration, higher carrier mobility, and narrow FWHM in band-edge emission of low temperature PL. It is thought that the film in more Ga flux region was grown by 2-dimensional layer-by-layer growth mode, and the film in more nitrogen region was grown by 3-D island growth mode. All samples exhibited a good crystallinity.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제17권2호
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• pp.6-11
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• 2018

In this study, we have studied the effect of substrate temperature and hydrogen flow rate on the characteristics of MZO thin films for the TCO(Transparent conducting oxide). MZO thin films were deposited by RF magnetron sputtering at room temperature and $100^{\circ}C$ with various $H_2$ flow rate(1sccm~4sccm). In order to investigate the effect of hydrogen gas flow rate on the MZo thin film, we experimented with changing the hydrogen in argon mixing gas flow rate from 1.0sccm to 4.0sccm. MZO thin films deposited at room temperature and $100^{\circ}C$ show crystalline structure having (002), (103) preferential orientation. The electrical resistivity of the MZO films deposited at $100^{\circ}C$ was lower than that of the MZO film deposited at room temperature. The decrease of electrical resistivity with increasing substrate temperature was interpreted in terms of the increase of the charge carrier mobility and carrier concentration which seems to be due to the oxygen vacancy generated by the reducing atmosphere in the gas. The average transmittance of the MZO films deposited at room temperature and $100^{\circ}C$ with various hydrogen gas flow was more than 80%.

• 융합정보논문지
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• 제11권4호
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• pp.130-136
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• 2021

본 연구는 충남에 거주하는 지체장애인의 이동권 현황을 파악하여, 이들의 이동권을 향상시킬 수 있는 방안을 제시하고자 한다. 이를 위해 2단계에 걸쳐 설문지를 개발하였으며, 일반적 특성, 외출 및 이동현황, 저상버스 및 장애인 콜택시 사용현황, 서비스 개선사항, 광역이동지원센터 관련 문항으로 구성되었다. 연구대상은 충남에 거주하는 지체장애인으로 총 219명이 참여하였다. 조사 결과 응답자 중 54.6%는 매일 외출하였으며, 17.0%는 거의 외출을 하지 않았다. 53.4%의 응답자만 홀로 외출이 가능했으며, 외출하지 않는 주된 이유로는 계단과 대중교통의 불편함을 꼽았다. 응답자 중 26.9%는 저상버스를, 71.1%는 장애인 콜택시를 이용했으며, 이를 위해 각각 66.57분, 42.65분 동안 기다린 것으로 나타났다. 78.7%는 광역지원센터가 필요하다고 한 반면, 49.8%만이 센터를 인지하고 있었다. 연구결과에 기초하여 이동권 향상 방안으로 특별교통수단의 확대, 지체장애인의 보행환경 개선, 광역이동지원센터 기능 활성화 등에 대해 논의하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제17권5호
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• pp.187-191
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• 2007

The device performance of ZnO-thin film transistors(ZnO-TFTs) with gate dielectrics of $SiO_2,\;SiN_x$ and Polyvinylphenol(PVP) having a bottom gate configuration were investigated. ZnO-TFTs can induce high device performance with low intrinsic carrier concentration of ZnO only by controlling gas flow rates without additional doping or annealing processes. The field effect mobility and on/off ratio of ZnO-TFTs with $SiN_x$ were $20.2cm^2V^{-1}s^{-1}\;and\;5{\times}10^6$ respectively which is higher than those previously reported. The device adoptable values of the mobility of $1.37cm^2V^{-1}s^{-1}$ and the on/off ratio of $6{\times}10^3$ were evaluated from the device with organic PVP dielectric.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2013년도 추계학술대회
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• pp.390-392
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• 2013

본 논문에서는 투명디스플레이를 구현하기 위해 가장 주목받는 ZnO 계열의 산화물반도체의 특성에 대하여 관찰하였다. 알에프 마그네트론 스퍼터링에 의해 증착된 산화물 반도체의 광학적 특성으로부터 전기적인 신호 동작특성의 상호관계를 알아보았다. 박막내의 결합 혹은 불순물이 증가할수록 PL 특성은 장파장 특성이 우세하게 나타났다. SiOC 박막위에서는 에너지 밴드갭이 증가하면서 단파장 특성이 우세하게 나타났다. 트랜지스터의 특성은 기판의 의존도가 높게 나타났다.

• 한국통신학회논문지
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• 제25권8B호
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• pp.1469-1476
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• 2000

증가형 MOS FET에서 강반저의 경우 드레인 전류는 모두 드리프트에 기인하여 흐르기 때문에 I-V모델링시 수직전계와 수평전계를 함께 고려하여야한다. 특히 게이트전압 인가시 발생되는 수직전계는 표면이동도에 영향을 크게 주고 이로 인해서 캐리어들의 정상적인 흐름이 저해되는데 본 논문에서 제안한 다중 box분할법에 의하여 반전층의 깊이를 구하여 이동도 모델에 영향을 크게 미치는 반전층 내에서의 수직전계를 수치해석하였다.