Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SC
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v.44
no.2
s.314
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pp.18-23
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2007
Intra-body communication' is a wireless communication technology that uses a body as a transmission medium for electrical signals. Generally, an 'earth ground' is used to create an electric field for operating the system; however this operating method could not apply to telemetry for implanted neural prosthetic devices. So this paper suggests a newly designed intra-body communication for neural prosthetic devices. A floating system which has a couple of electrodes with body was studied to remove an influence of the 'earth ground'. We found that 10MHz is the most suitable carrier frequency in skin experiments and over 3MHz in subcutaneous experiments. The system has been applied to a current stimulator circuit for cochlear implant that uses pulse width modulation (PWM) method at 480kbps rate successfully.
Objectives: The purpose of this study is to investigate the diagnostic factors of Damjeok in the literature. Methods: This study used the databases of five (Mediclassics, RISS, KMbase, OASIS, CNKI) to analyze diagnostic factors of Damjeok. Literatures published by May 2023 were assessed and we classified 91 literatures dealing with diagnostic factors by 5 categories, 'characteristics', 'location', 'symptom', 'pulse wave & tongue feature', and 'eating habits & lifestyle'. Results: Damjeok is mainly formed at the stomach in the form of lump or hard seed, and it can be observed in other regions or even the whole body by its trait of floating. Damjeok mainly shows symptoms of the digestive system and also causes various symptoms associated with the respiratory system and infection, musculoskeletal system, urogenital system, neuropsychiatric system and cardiovascular system. Regarding pulse wave and tongue feature, a slippery wave and greasy coated tongue are typical features of Damjeok. Additionally, bad eating habits and a lack of exercise have been described as a factor that cause and aggravate Damjeok. Conclusions: The two most important factors in the diagnosis of Damjeok are abdominal stiffness by physical examination and digestive symptoms, and these correspond to the definition of a syndrome. Diagnostic factors based on literature evidence will provide clues to the clinical diagnosis of Damjeok syndrome.
Journal of Physiology & Pathology in Korean Medicine
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v.19
no.3
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pp.573-579
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2005
The followings are the conclusions drawn from the clinical cases of apoplexy; The main cause of apoplexy is the deficiency of both Jung and Ki. dam typed persons are stricken with paralyses because of the insufficiency of the kidney water. On the other hand, bangkwang typed persons' apoplexy comes from the deficiency of Ki and dump-phlegm. The prevention of apoplexy is very important so that porpe medical care should be taken at the appearance of premonitory symptoms like vertigo, dim sight tinnitus, stiff neck, numbness and others. It appears very reasonable both clinically and pathologically that Li dongyuen classified the apoplexy in to three groups : the first group is apoplexy involving meridians ; the second. involving Bu ; the third, involving Jang. The accurate diagnosis of apoplexy regulates com prehension consideration of four factors configuration color, pulse and symptoms and distinction from the similar diseases. Apoplexy is the up wand floating of Yaug in deficiency due to the deficiency of genuine Yim. In its early stages it should be treated by eliminating the excess in the upper pant. In the lower pant becomes the fundamental treatment.
A free-piston reciprocating expander is a device which operates without any mechanical linkage to a stationary part. Since the motion of the floating piston is only controlled by the pressure difference at two ends of the piston, this kind of expander may indispensably require a sophisticated active control system equipped with multiple valves and reservoirs. In this paper, we have suggested a novel design that can further reduce complexity of the previously developed cryogenic free-piston expander configuration. It is a simple replacement of both multiple valves and reservoirs by a combination of an orifice valve and a reservoir. The functional characteristic of the integrated orifice-reservoir configuration is similar to that of a phase controller applied in a pulse tube refrigerator so that we designate the one as a phase controller. Depending on the orifice valve size in the phase controller, the different PV work which affects the expander performance is generated. The numerical model of this unique free-piston reciprocating expander utilizing a phase controller is established to understand and analyze quantitatively the performance variation of the expander under different valve timing and orifice valve size. The room temperature experiments are carried out to examine the performance of this newly developed cryogenic expander.
본 논문에서 제안한 ac-PDP(Plasma display panel) 셀구조는 Long gap의 전극 사이에 보조 전극을 삽입한 구조이다. 일반적으로, long gap 구조를 가진 PDP cell은 높은 방전 개시 전압을 가지므로, Long gap 전극 사이에 보조전극을 삽입하여 방전 개시 전압을 낮춤과 동시에 휘도 상승, 소비 전력의 감소효과로 발광효율의 향상을 가져왔다. 제안한 구조의 구동을 위하여 asymmetric mode와 long gap mode라는 2가지 파형을 가지고 실험하였다. 두 파형은 공통적으로 기존의 ADS(Address and Display period Separated)파형을 Y(Scan), Z(Common), A(Address) 전극에 인가하였으며, 보조적극에는 Z(Common) 전극의 파형을 수정한 형태로 인가하였다. Asymmetric mode는 보조전극에 Z(Common) 전극에 인가되는 파형과 같은 형태의 파형을 인가하여 Long gap의 구조를 가지지만 Short gap에서 방전이 가능하도록 설계하였고, long gap mode는 보조전극에 인가되는 Z(Common) 파형 중 sustain pulse를 초기 3개만을 주어 Short gap에서 방전을 개시함과 동시에 priming 입자를 생성하고, 나머지 sustain 구간에서는 floating시켜 이미 생성된 priming 입자를 long gap에서 구동을 가능하도록 하였다.
Recently a nano-scale diamond is possible to manufacture forms of powder(below 100 nm) by new processing of explosion or deposition method. Using a sintering of nano-scale diamond is possible to manufacture of grinding tools. We have need of a processing development of coated uniformly inorganic to prevent an abnormal grain growth of nano-crystal and bonding obstacle caused by sintering process. This paper, in order to improve the sintering property of nano-scale diamond, we coated ZnO thin films(thickness: $20{\sim}30\;nm$) in a vacuum by ALD(atomic layer deposition) Economically, in order to deposit ZnO all over the surface of nano-scale diamond powder, we used a new modified fluidized bed processing replaced mechanical vibration effect or fluidized bed reactor which utilized diamond floating owing to pressure of pulse(or purge) processing after inserted diamond powders in quartz tube(L: 20 mm) then closed quartz tube by porosity glass filter. We deposited ZnO thin films by ALD in closed both sides of quartz tube by porosity glass filter by ALD(precursor: DEZn($C_4H_{10}Zn$), reaction gas: $H_2O$) at $10^{\circ}C$(in canister). Processing procedure and injection time of reaction materials set up DEZn pulse-0.1 sec, DEZn purge-20 sec, $H_2O$ pulse-0.1 sec, $H_2O$ purge-40 sec and we put in operation repetitive 100 cycles(1 cycle is 4 steps) We confirmed microstructure of diamond powder and diamond powder doped ZnO thin film by TEM(transmission electron microscope) Through TEM analysis, we confirmed that diamond powder diameter was some $70{\sim}120\;nm$ and shape was tetragonal, hexagonal, etc before ALD. We confirmed that diameter of diamond powders doped ZnO thin film was some $70{\sim}120\;nm$ and uniform ZnO(thickness: $20{\sim}30\;nm$) thin film was successfully deposited on diamond powder surface according to brightness difference between diamond powder and ZnO.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.134-134
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2011
High-k dielectric materials such as $HfO_2$, $ZrO_2$ and $Al_2O_3$ increase gate capacitance and reduce gate leakage current in MOSFET structures. This behavior suggests that high-k materials will be promise candidates to substitute as a tunnel barrier. Furthermore, stack structure of low-k and high-k tunnel barrier named variable oxide thickness (VARIOT) is more efficient.[1] In this study, we fabricated the $WSi_2$ nanocrystals nonvolatile memory device with $SiO_2/HfO_2/Al_2O_3$ tunnel layer. The $WSi_2$ nano-floating gate capacitors were fabricated on p-type Si (100) wafers. After wafer cleaning, the phosphorus in-situ doped poly-Si layer with a thickness of 100 nm was deposited on isolated active region to confine source and drain. Then, on the gate region defined by using reactive ion etching, the barrier engineered multi-stack tunnel layers of $SiO_2/HfO_2/Al_2O_3$ (2 nm/1 nm/3 nm) were deposited the gate region on Si substrate by using atomic layer deposition. To fabricate $WSi_2$ nanocrystals, the ultrathin $WSi_2$ film with a thickness of 3-4 nm was deposited on the multi-stack tunnel layer by using direct current magnetron sputtering system [2]. Subsequently, the first post annealing process was carried out at $900^{\circ}C$ for 1 min by using rapid thermal annealing system in nitrogen gas ambient. The 15-nm-thick $SiO_2$ control layer was deposited by using ultra-high vacuum magnetron sputtering. For $SiO_2$ layer density, the second post annealing process was carried out at $900^{\circ}C$ for 30 seconds by using rapid thermal annealing system in nitrogen gas ambient. The aluminum gate electrodes of 200-nm thickness were formed by thermal evaporation. The electrical properties of devices were measured by using a HP 4156A precision semiconductor parameter analyzer with HP 41501A pulse generator, an Agillent 81104A 80MHz pulse/pattern generator and an Agillent E5250A low leakage switch mainframe. We will discuss the electrical properties for application next generation non-volatile memory device.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.8
no.2
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pp.128-133
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2008
Phase-change random access memory (PRAM) chip cell phase of amorphous state is rapidly changed to crystal state above 160 Celsius degree within several seconds during Infrared (IR) reflow. Thus, on-board programming method is considered for PRAM chip programming. We demonstrated the functional 512Mb PRAM with 90nm technology using several novel core circuits, such as metal-2 line based global row decoding scheme, PN-diode cells based BL discharge (BLDIS) scheme, and PMOS switch based column decoding scheme. The reverse-state standby current of each PRAM cell is near 10 pA range. The total leak current of 512Mb PRAM chip in standby mode on discharging state can be more than 5 mA. Thus in the proposed BLDIS control, all bitlines (BLs) are in floating state in standby mode, then in active mode, the activated BLs are discharged to low level in the early timing of the active period by the short pulse BLDIS control timing operation. In the conventional sense amplifier, the simultaneous switching activation timing operation invokes the large coupling noise between the VSAREF node and the inner amplification nodes of the sense amplifiers. The coupling noise at VSAREF degrades the sensing voltage margin of the conventional sense amplifier. The merit of the proposed sense amplifier is almost removing the coupling noise at VSAREF from sharing with other sense amplifiers.
Objectives: This study was aimed to research clinical characteristics of female patients with cold hypersensitivity on the hands and feet compared with non-cold hypersensitivity group. Methods: 134 women patients were collected from 6 Korean medicine hospitals, and divided into 2 groups(cold hypersensitivity group and non-cold hypersensitivity group). This survey was composed of 19 questions related to clinical symptoms of cold hypersensitivity. Results: We found out the differences between 2 groups in 10 questions among 19 questions in the survey results. (Body Type, Energy, Digestibility, Skin Type, Facial Complexion, Chill, Dry Mouth and Thirst, Preference between Coolness and Warmth, Thickness of Tongue Fur, Floating and Sinking of Pulse) Conclusions: From these results, Patients with cold hypersensitivity on hands and feet have relative clinical characteristics as follows. They are relatively weak and lethargic. They have dry skin and look more pale. They feel chill easily and have dry mouth and thirst. They prefer warmth and have indigestion more. They had more various infirm and ill clinical characteristics compared with the other group from the view of Korean medicine.
Lee, Sang Ryong;Lee, Chang Hyun;Lee, Kwang Gye;Kim, Jun Ho
Journal of Physiology & Pathology in Korean Medicine
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v.26
no.5
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pp.577-587
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2012
Warm disease: Any of various heat disease characterizer by rapid onset and shifts, pronounced heat signs, and a tendency to form dryness and damage yin. Exterior heat sign: exterior heat patterns are characterizer by pronounced heat signs, such as a red sore pharynx and a relatively red tongue with dry fur, the pulse is floating and rapid, cough and the production of thick white or yellow phlegm. If wind-heat evil exist in weifen, it becomes exterior syndrome, and a remedy about that is dispelling wind-heat but when wind-heat evil invades in nasal and throat part so the disease occurs, you need to add relieving sore throat worsens invades in lung it makes disharmony of diffuse in lungs. So a remedy about it is diffuse the lung. disharmony of diffuse in lungs makes metabolic disorder of qi and liquid and humor malfunction therefore it occurs cough and heat-phlegm syndrome. heat from weifen invades the whole of lungs and form lung heat. So a remedy about lung heat is clearing away lung heat, this lung heat makes inevitably bleed in lungs, therefore a remedy in this case is clearing the lung to stop bleeding, or moistening the lung. Exterior heat sign means that exterior syndrome coexists with heat syndrome and it means that a remedy of this syndrome need to mix prescriptions for relieving exterior syndrome and heat-clearing prescriptions to treat this syndrome.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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