본 논문은 소나 방정식내의 성능지수를 판단하는 지능형 접근방법을 제안한다. 알 수 없는 수중표적의 거리와 고정적이지 않은 신호초과량은 추적과정에 대해 불확실성을 증가시킨다. 탐지거리와 연관된 신호 초과량의 입력 데이터들을 이용하여, 퍼지집합의 규칙을 세우고, 소나의 수신기로부터 얻어지는 데이터를 퍼지화 된 데이터 집합으로 변화시킨다. 알 수 없는 데이터들에 의해 발생되는 오차값들을 감소시키기 위하여 퍼지 집합으로 변환된 새로운 데이터를 이용한다. 구간별 최소값, 최대값 그리고 평균값이 계산되어, 수중 표적의 거리를 추정하는데 사용된다. 데이터들의 증감에 대한 분석을 통해 표적의 위치와 기동특성을 예측할 수 있다. 제안된 기법의 성능과 효과를 보여주기 위하여 몇 가지 예를 보였다.
$^{241}Am-Be$(${\alpha}$, n) 중성자 선원의 중성자/감마선(n/${\gamma}$) 복합 방사선장에서 $^6Li$(n, ${\alpha}$)T 핵반응을 이용하고 두 섬광체, BC 501($C_8H_{10}$)과 Cerium의 섬광 감쇠 시간차와 동일 섬광체 내에서의 n/${\gamma}$에 대한 서로 다른 섬광감쇠 시간차를 병용하여 PSD(Pulse Shape Disciminator) 및 CFD(Constant Fraction Discriminator) 방법으로 n와 ${\gamma}$성분을 분리 측정하였으며 $^6Li$ 속중성자 분광계의 figure of merit는 1.36으로 평가되었다.
열전 소결재 제조의 새로운 시도로, 분말의 압출과 소결을 동시에 할 수 있는 공정에 대하여 연구하였다. $(Bi,Sb)_2(Te,Se)_3$계 압출-소결재를 제조함에 있어 제조 변수를 적절히 조절하여 건전한 표면과 미세조직을 갖는 고밀도의 소결재를 얻을 수 있었다. p형 재료의 경우 Te 도핑량이 증가함에 따라 Seebeck 계수가 증가하였으며 3 at% Te을 첨가한 경우 상온에서의 열전 성능 지수가 $2.5\times10^{-3}/K$를 나타내었다. 한편 n형 재료의 경우 0.16 mol% $SbI_3$를 도핑한 시편에서 $1.8\times10^{-3}/K$의 열전 성능지수를 보였다. p형 및 n형 재료 모두 압출 방향에 수직한 방향보다 평행한 방향으로의 운반자 이동도와 열전 성능지수가 높게 나타났다.
상온에서 PET 기판 위에 Mn-SnO2/Ag/Mn-SnO2 3중 다층막을 RF/DC 마그네트론 스파터링 방식으로 제조하였다. EMP 시뮬레이션 결과에 따라 Mn-SnO2의 막 두께는 40 nm, Ag 막 두께는 13 nm로 고정하였다. 550 nm 파장대역에서 측정한 3중막의 투과율은 82.9에서 88.1 % 범위였으며 면저항은 5.9에서 6.9 Ω/☐로 변화하였다. 가장 높은 성능지수(ϕTC)는 48.1 × 10-3 Ω-1로 나타났다. 곡률반경 4, 5 mm 조건에서 inner 밴딩과 out 밴딩의 굽힘시험을 10,000회 실시한 결과 Mn-SnO2/Ag/Mn-SnO2 3중막의 저항변화율은 약 1.5 %로 탁월한 기계적 유연성을 보였다.
두 종류의 유전체 층(A: $SiO_2$, B: T $a_2$$O_{5}$ )을 주기적으로 적층한 구조에, Bi를 다량 치환한 가네트 박막(M: $Y_{1.93}$ B $i_{1.07}$F $e_{5}$$O_{12}$ )을 결함층으로 삽입한 (A/B)$^{k}$ /M(B/A)$^{k}$ 의 구조를 갖는 1차원 자성 포토닉 결정의 자기 광학 특성을 수치해석하였다. 가시광과 적외선 영역에서 1차원 자성 포토닉 결정의 자성체 층의 두께( $d_{M}$)와 유전체 층의 적층수(k)를 변화시키며, 투과율(T)과 페러데이 회전각($\theta$$_{F}$ ) 및 성능지수(Q)를 조사하였다. 조사한 1차원 자성 포토닉 결정의 각 국재 모드에서의 페러데이 회전각 및 성능지수의 극대값들은 동일 조성의 단층 가네트 박막에 비해 수 배 내지 수 백 배 큰 값이 얻어졌다. 가시광 영역에서는 k = 11이고, $d_{M}$ = 375 nm일때, 최대값 Q = 0.15이 얻어졌다. 이 값은 단층의 가네트 막에 비해 약 30배 큰 값이며, 이 때의 = 720 nm, T = 0.54, $\theta$ = 8.13$^{\circ}$이었다. 적외선 영역에서는 k = 11이고, $d_{M}$ = 800 nm일때 , 최대값 Q = 0.285(단층 가네트 막에 비해 100배 큰 값)이 얻어졌고, 이 때의 = 1114 nm, T = 0.485, $\theta$$_{F}$ = 18$^{\circ}$이었다.
Designing a new signal is essential in the development of a new Radio Navigation Satellite Service (RNSS) system. This paper introduces the signal design parameters and the figures of merit (FoMs) to be considered in designing a new RNSS signal, and then reviews their relationship in details. In addition, we show examples of the trade-off analysis between FoMs according to the signal design scenarios using an analytical simulation tool based on the relationship between the signal design parameters and the FoMs.
Park, Yun-Je;Choi, Jin-Young;Choe, Su-Hyeon;Kim, Yu-Sung;Cha, Byung-Chul;Kim, Daeil
한국표면공학회지
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제52권3호
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pp.145-149
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2019
Transparent and conductive ZnO/Ag/SnO2 (ZAS) tri-layer films were deposited onto glass substrates at room temperature by using radio frequency (RF) and direct current (DC) magnetron sputtering. The thickness values of the ZnO and $SnO_2$ thin films were kept constant at 50 nm and the value for Ag interlayer was varied as 5, 10, 15, and 20 nm. In the XRD pattern the diffraction peaks were identified as the (002) and (103) planes of ZnO, while the (111), (200), (220), and (311) planes could be attributed to the Ag interlayer. The optical transmittance and electrical resistivity were dependent on the thickness of the Ag interlayer. The ZAS films with a 10 nm thick Ag interlayer exhibited a higher figure of merit than the other ZAS films prepared in this study. From the observed results, a ZAS film with a 10 nm thick Ag interlayer was believed to be an alternative transparent electrode candidate for various opto-electrical devices.
khatibani, A. Bagheri;Ziabari, A. Abdolahzadeh;Rozati, S.M.;Bargbidi, Z.;Kiriakidis, G.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제13권3호
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pp.111-115
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2012
Spray pyrolysis method was applied for the preparation of indium oxide ($In_2O_3$) thin films, by varying the substrate temperature range from 400-$600^{\circ}C$. All the samples were characterized at room temperature by using X-Ray diffraction, Scanning electron microscopy, Atomic Force Microscopy, Hall Effect and UV-Visible spectrophotometry. The optimal substrate temperature required for obtaining films of high crystallographic quality was $575^{\circ}C$. By comparing optical transmittance and electrical conductivity it was observed that the best figure of merit for these films was achieved for the same temperature and electrical resistivity was in the order of ${\rho}=1.47{\times}10^{-1}[{\Omega}cm]$. Gas sensing measurements of the films in ethanol showed enhancement with surface roughness and sheet resistance.
A significant enhancement of the magneto-optical Faraday rotation and extraordinary optical transmission (EOT) in the cascaded double-fishnet (CDF) structure with periodic rectangular apertures is theoretically predicted by using the extended finite difference time domain (FDTD) method. The results demonstrate that the transmittance spectrum of the CDF structure has two EOT resonant peaks in a broad spectrum spanning visible to near-infrared wavebands, one of them coinciding with the enhanced Faraday rotation and large figure of merit (FOM) at the same wavelength. It is most important that the resonant position and intensity of the transmittance, Faraday rotation and FOM can be simply tailored by adjusting the incident wavelength, the thickness of the magnetic layer, and the offset between two metallic rectangular apertures, etc. Furthermore, the intrinsic physical mechanism of the resonance characteristics of the transmittance and Faraday rotation is thoroughly studied by investigating the electromagnetic field distributions at the location of resonance. It is shown that the transmittance resonance is mainly determined by different hybrid modes of surface plasmons (SPs) and plasmonic electromagnetically induced transparency (EIT) behavior, and the enhancement of Faraday rotation is mostly governed by the plasmonic electromagnetically induced absorption (EIA) behavior and the conversion of the transverse magnetic (TM) mode and transverse electric (TE) mode in the magnetic dielectric layer.
We have considered the influence of electron irradiation on the optical and electrical properties of $SnO_2$ thin films deposited with reactive RF magnetron sputtering. After deposition, the films electron irradiated at 300 eV shows a lower sheet resistance of $277{\Omega}/{\square}$ and the optical transmittance in a visible wave length region also influenced with the electron irradiation energy. The film that electron irradiated at 400 eV shows a higher optical transmittance of 82.6% in this study. By comparison of figure of merit, it is concluded that the post-deposition electron irradiation at 300 eV is the optimum condition for the enhancement of opto-electrcal performance of $SnO_2$ thin film in this study.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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