Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
/
2011.08a
/
pp.273-273
/
2011
현재 사용되고 있는 플로팅 게이트를 이용한 플래시 메모리 소자는 비례축소에 의해 발생하는 단 채널 효과, 펀치스루 효과 및 소자간 커플링 현상과 같은 문제로 소자의 크기를 줄이는데 한계가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 silicon nitride와 같은 절연체를 전자의 트랩층으로 사용하는 charge trap flash (CTF) 메모리 소자에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. CTF 메모리 소자의 전기적 특성에 대한 연구는 활발히 진행 되었지만, 수치 해석 모델을 사용하여 메모리 소자의 전하수송 메커니즘을 분석한 연구는 매우 적다. 본 연구에서는 수치 해석 모델을 적용하여 개발한 시뮬레이터를 사용하여 CTF 메모리 소자의 프로그램 동작 시 전하수송 메커니즘에 대한 연구를 하였다. 시뮬레이터에 사용된 모델은 연속방정식, 포아송 방정식과 Shockley-Read-Hall 재결합 모델을 수치해석적 방법으로 계산하였다. 또한 CTF 소자 프로그램 동작 시 트랩 층으로 주입되는 전자의 양은 Wentzel-Kramers-Brillouin 근사 법을 이용하여 계산하였다. 트랩 층에 트랩 되었던 전자의 방출 모델은 이온화 과정을 사용하였다. 게이트와 트랩 층 사이의 터널링은 Fowler-Nordheim (FN) tunneling 모델, Direct tunneling 모델, Modified FN tunneling 모델을 적용하였다. FN tunneling 만을 적용했을때 보다 세가지 모델을 적용했을 때가 더 실험치와의 오차가 적었다. 그 이유는 시뮬레이션 결과를 통해 인가된 전계에 의해 Bottom Oxide 층의 에너지 밴드 구조가 변화하여 세가지 tunneling 모델의 구역이 발생하는 것을 확인 할 수 있었다. 계산된 결과의 전류-전압 곡선을 통해 CTF 메모리 소자의 프로그램 동작 특성을 관찰하였다. 트랩 층의 전도대역과 트랩 층 내부에 분포하는 전자의 양을 시간에 따라 계산하여 트랩 밀도가 시간이 지남에 따라 일정 값에 수렴하고 많은 전하가 트랩 될 수록 전하 주입이 줄어듬을 관찰 하였다. 이와 같은 시뮬레이션 결과를 통해 CTF 메모리의 트랩층에서 전하의 이동에 대해 더 많이 이해하여 CTF 소자가 가진 문제점 해결에 도움을 줄 것이다.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
/
v.30A
no.2
/
pp.53-63
/
1993
Device degradations by the Fowler-Nordheim tunneling have been studide. The changes of device characteristics such as the threshold voltage, subthreshold slope, I-.or. curves have been measured after bidirectionally stressing n-channel MOSFET's and p-channel MOSFET's. Also the interface states have been directly measured by the charge pumping methodIt is shown that the change of interface states is determined by the number of hole carriers tunneling the gate oxide and electrons which are trapped in the gate oxide. Also, in this paper, we propose a model for device lifetime limited by the increase of interface states.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
/
2002.11a
/
pp.800-803
/
2002
The MONOS capacitor are fabricated to investigate the carrier trapping due to Fowler-Nordheim tunneling injection. The carrier trapping in scaled multi-dielectric(ONO) depends on the nitride and Op oxide thickness under Fowler_Nordheim tunneling injection. Carriers captured at nitride film could not escape from nitride to gate, but be captured at top oxide and nitride interface traps because of barrier height of top oxide. Therefore, it is expected that the MONOS memory devices using multi dielectric films enhance memory effect and have a long memory retention characteristic.
This paper describes algorithm that minimizes recovery time of packet loss resulting from handoff in multicast environments and guarantees reliability through interaction of FN(Foreign Network) with PMTP(Predictable Multicast Tree Protocol). To solve the problems that inefficient routing and handoff delay taking plate when using hi-directional tunneling and remote subscription independently in multicast environments, proposed algorithm uses tunneling and rejoining multicast group according to the status of an arriving FA in a foreign network. Furthermore, proposed algorithm sends packet loss information and register message to previous FA or current FA at the same time. so, MH is able to recovery packet loss in handoff delay as soon as possible. As a result of performance analysis, proposed algorithm is more efficient than previous researches and is applicable to existing handoff method without requiring additional procedures.
KIPS Transactions on Computer and Communication Systems
/
v.5
no.1
/
pp.1-6
/
2016
This paper focuses on algorithm innovation of NAND Flash Memory for enhancing cell lifetime. During flash memory read/write/erase, the voltage of a specific cell should be a valid voltage level. If not, we cannot read the data correctly. This type of interference/disturbance tends to be serious when program and erase operation will go on. This is because FN tunneling results in tunnel oxide damage due to increased trap site on repetitive high biased state. In order to resolve this problem, we make the cell degradation by reducing the amount of stress in terms of erase cell, resulting in minimizing the cell disturbance on erase verify.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
/
2010.02a
/
pp.240-240
/
2010
A multiple alloy metal nano-dots memory using FN tunneling was investigated in order to confirm its structural possibility for future flash memory. In this work, a multiple FePt nano-dots device with a high work function (~5.2 eV) and extremely high dot density (${\sim}\;1.2{\times}10^{13}/cm^2$) was fabricated. Its structural effect for multiple layers was evaluated and compared to one with a single layer in terms of the cell characteristics and reliability. We confirm that MOS capacitor structures with 2-4 multiple FePt nano-dot layers provide a larger threshold voltage window and better retention characteristics. Furthermore, it was also revealed that several process parameters for block oxide and inter-tunnel oxide between the nano-dot layers are very important to improve the efficiency of electron injection into multiple nano-dots. From these results, it is expected that a multiple FePt nano-dots memory using Fowler-Nordheim (FN)-tunneling could be a candidate structure for future flash memory.
To improve the performance of organic thin film transistor, we investigated the properties of gate insulator's surface according to the leakage current by I-V measurement. The surface was treated by the dilute n-octadecyltrichlorosilane solution. The alkyl group of n-octadecyltrichlorosilane induced the electron tunneling and the electron tunneling current caused the breakdown at high electric field, consequently shifting the breakdown voltage. The 0.5% sample with an electron-rich group was found to have a large leakage current and a low barrier height because of the effect of an energy barrier lowered by, thermionic current, which is called the Schottky contact. The surface properties of the insulator were analyzed by I-V measurement using the effect of Poole-Frankel emission.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
/
2012.10a
/
pp.852-855
/
2012
A DC-DC converter for EEPROM IPs which perfom erasing by the FN (Fowler-Nordheim) tunneling and programming by the band-to-band tunneling is designed in this paper. For the DC-DC converter for EEPROM IPs using a low voltage of $1.5V{\pm}10%$ as the logic voltage, a scheme of using VRD (Read Voltage) instead of VDD is proposed to reduce the pumping stages and pumping capacitances of its charge pump circuit. VRD ($=3.1V{\pm}0.1V$) is a regulated voltage by a voltage regulator using an external voltage of 5V. The designed DC-DC converter outputs VPP (=8V) and VNN (=-8V) in the write mode.
Kim, Young-Hee;Cha, Jae-Han;Jin, Hongzhou;Lee, Do-Gyu;Ha, Pan-Bong;Park, Mu-Hun
The Journal of Korea Institute of Information, Electronics, and Communication Technology
/
v.13
no.1
/
pp.48-57
/
2020
MCU used in applications such as wireless chargers and USB type-C require MTP memory with a small cell size and a small additional process mask. Conventional double poly EEPROM cells are small in size, but additional processing masks of about 3 to 5 sheets are required, and FN tunneling type single poly EEPROM cells have a large cell size. In this paper, a 110nm MTP cell using a vertical PIP capacitor is proposed. The erase operation of the proposed MTP cell uses FN tunneling between FG and EG, and the program operation uses CHEI injection method, which reduces the MTP cell size to 1.09㎛2 by sharing the PW of the MTP cell array. Meanwhile, MTP memory IP required for applications such as USB type-C needs to operate over a wide voltage range of 2.5V to 5.5V. However, the pumping current of the VPP charge pump is the lowest when the VCC voltage is the minimum 2.5V, while the ripple voltage is large when the VCC voltage is 5.5V. Therefore, in this paper, the VPP ripple voltage is reduced to within 0.19V through SPICE simulation because the pumping current is suppressed to 474.6㎂ even when VCC is increased by controlling the number of charge pumps turned on by using the VCC detector circuit.
The Journal of Korea Institute of Information, Electronics, and Communication Technology
/
v.9
no.1
/
pp.120-131
/
2016
In this paper, a 512b MTP memory IP is designed by using MTP memory cells which are written by the FN (Fowler-Nordheim) tunneling method with only MV (medium voltage) devices of 5V which uses the back-gate bias, that is VNN (negative voltage). The used MTP cell consists of a CG (control gate) capacitor, a TG (tunnel gate) transistor, and a select transistor. To reduce the size of the MTP memory cell, just two PWs (P-wells) are used: one for the TG and the select transistors; and the other for the CG capacitor. In addition, just one DNW (deep N-well) is used for the entire 512b memory cell array. VPP and VNN generators supplying pumping voltages of ${\pm}8V$ which are insensitive to PVT variations since VPP and VNN level detectors are designed by a regulated voltage, V1V (=1V), provided by a BGR voltage generator.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.