We investigated the half-metallicity and magnetism for the zinc-blende CrS(001) surfaces by use of the full-potential linearized augmented plane wave (FLAPW) method. We considered two-types of (001) surfaces terminated by Cr (Cr-Term) and S (S-Term) atoms, respectively. From the calculated layer-by-layer density of states, it is found that both of the systems retain the half-metallicity at the (001) surfaces. The calculated magnetic moment ($4.07\;{\mu}_B$) for the CrS(S) atom in Cr-Term is enhanced considerably compared to the bulk value ($3.61\;{\mu}_B$) while that ($3.15\;{\mu}_B$) of the Cr(S-1) in S-Term is much reduced.
The electronic and magnetic structure of Fe overlayers on W(110) is determined by means of the all-electron local spin density full potential linearized augmented plane wave (FLAPW) method with a single slab approach. Charge and spin densities, magnetic moments, contact hyperfine fields, and layer projected density of states (LDOS) are presented. For bilayer Fe coverage, we find magnetic moments to be 2.90 and 2.30 ${\mu}_B$ for the surface and subsurface Fe layers, respectively, corresponding to a 18% enhancement of the total magnetization compared with the calculated bulk value (2.22${\mu}_B$);For monolayer coverage the moment is 2.56 ${\mu}_B$ which is enhanced by 16% compared to bulk. Unusual changes in the magnetic hyperfine interaction are found in going from a monolayer to a bilayer coverage. Comparison of the results to the theoretical ones of the clean Fe(110) to discuss the hybridization and the negative pressure effects. We discuss our results by comparing them to experimental results.
We investigated the electronic structure and magnetism of the (3d, 4d)-Pd alloyed c($2{\times}2$) monolayer systems, by use of the FLAPW band method. For comparison, pure 3d- and 4d-transition metal monolayers are also considered. We found that the antiferromagnetic configuration of pure V monolayers is sustained in the V-Pd alloy system, while the Ti-Pd alloy system is changed to antiferromagnetic configuration from the ferromagnetic state in pure Ti monolayer. The 4d TM (Mo, Ru, Rh)-Pd monolayers are found to be stable in ferromagnetic configurations. The magnetic moments of Ru and Rh atoms in Ru-Pd and Rh-Pd systems are almost same with those of pure Ru and Rh monolayers, while the magnetic moment of Mo atom is increased to $2.98\;{\mu}_B$ in Mo-Pd alloyed system from the value of Mo monolayer, $0.02\;{\mu}_B$.
A single slab in which one Ni(001) atom layer embedded between two of four Rh layers is considered to examine the oscillation of magnetic moment in each layer. The all electron total-energy full-potential linearized augmented plane wave(FLAPW) method was used to calculate the spin densities, magnetic moments, density of states(DOS), and the number of electrons within each muffin-tin(MT) sphere. The magnetic moment of the center layer Ni(C) in the system of 4Rh/Ni/4Rh is calculated to be 0.34${\mu}_B$, which is 40% have magnetic moment at the interface layers by strong band hybridization with Ni(C) when Ni(001) monolayers is inserted, and the magnetic moment shows a damped oscillation as we go from center Ni(C) layer to the surface Rh(S). From the calculated density of states, it is found that the Fermi level shifts inside the energy band of the Ni(C) in affection of Rh(001).
Magnetism at the interfaces of rocksalt structured half-metals, NaN and CaN were investigated by use of the first-principles band calculations. The electronic structures for the simple interface and mixed interface systems were calculated by the FLAPW (full-potential linearized augmented plane wave) method. From the calculated number of electrons in muffin-tin spheres of each atom, we found, for the simple interface system, that the magnetic moment of the N atom in the CaN (NaN) side is increased (decreased) compared to those of inner N atoms. For the mixed interface system, the magnetic moments of the interface N atoms are similar to the averaged value for the inner N atoms in CaN and NaN side. Among four interface N atoms, the N atom connected to Na atoms in the upper and down layers has the largest magnetic moment and that connected to Ca atoms has the smallest. The number of p electrons in each N atom and the calculated density of states explain well the above situation.
We calculated the electronic structures of substituted cobalt nitrides, that is $FeCo_3N$ and $NiCo_3Ni$, by using the all electron fullpotential linearized augmented plane-wave (FLAPW) energy band method, and investigated the influence on the magnetic properties of $Co_4N$ due to the substitution of Co atom located at corner sites by iron and nickel atoms. We found that the magnetic moments of CoII atoms located at the face-center positions in these compounds are almost same to that of $Co_4N$. The magnetic moments of Fe and Ni atoms in $FeCo_3N$ and $NiCo_3Ni$ are 3.086 and $0.795\;{\mu}_B$, and they have the localized nature of magnetism.
We investigated the magnetism and electronic structures for the layered structures consisting of (110) layers of zinc-blende CrAs and MnAs. We calculated the electronic structures for $(CrAs)_3(MnAs)_3(110)$ superlattice consisted of alternating three layers of CrAs(110) and MnAs(110) by the full-potential linearized augmented plane wave (FLAPW) method. The calculated magnetic moment of Cr in interface layer ($3.07\;\mu_B$) was slightly larger than that of Cr atom in center layer ($3.06\;\mu_B$), while that of interface Mn atom ($3.74\;\mu_B$) was slightly smaller than the value of Mn atom in center layer ($3.76\;\mu_B$). The electronic structure and half-metallicity in this superlattice were discussed using the calculated density of states.
The magnetism and electronic structure of Ru monolayer with square lattice is investigated using the FLAPW band method. The dependence of total energies on the lattice constant was calculated for three magnetic states, i.e.,para-,ferro-, and antiferromagnetic ones. It was found that there is no energy difference between para-and antiferromagnetic states for all the lattice constant. The possibility of antiferromagnetism in square Ru monolayer is thus excluded. The ferromagnetic state is most stable for the lattice constants greater than 7.30 a.u. The energy minimum is found at the lattice constant of 6.53 a.u. Where it is paramagenetic. It is calculated that the magenetic moment is 2.49 ${\MU}_B$ at 7.72 a.u., which is close to the lattice constant of Ag. The magnetic moment is almost saturated to be ${\MU}_B$ at the lattice constant of 7.86 a.u.
We investigated the magnetic properties of Fe nanostripes by using the all electron full-potenial linearized augmented plane-wave (FLAPW) energy band method within the generalized gradient approximation (GGA). The magnetic moments of the Fe atoms in the edge Fe chains of the stripes composed of three, five, and seven chains have saturated values of 2.97 or 2.98 ${\mu}_B$, and the values of the center chains are 2.82 ${\mu}_B$ which is similar to that of 2D square lattice. The charge and spin density contour plots showed that the flat distribution in the edge region of the stripes, and it is due to the spilled out p-electrons from the atoms in the edge line. The calculated density of states for the edge atoms in the stripes with seven Fe chains showed that the narrowed width compared to that of center atoms due to the band narrowing effect at the edge.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2003.03a
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pp.19-19
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2003
The injection of spins into nonmagnetic semiconductors has recently attracted great interest due to the potential to create new classes of spin-dependent electronic devices. A recent strategy to achieve control over the spin degree of freedom is based on dilute ferromagnetic semiconductors. Ferromagnetism has been reported in various semiconductor groups including II-Ⅵ, III-V, IV and II-IV,-V$_2$, which will be reviewed. On the other hand, to date the low solubility of magnetic ions in non-magnetic semiconductor hosts and/or low Curie temperature have limited the opportunities. Therefore the search for other promising ferromagnetic semiconducting materials, with high magnetic moments and high Curie temperatures (Tc), is of the utmost importance. In this talk, we also introduce new pure ferromagnetic semiconductors, MnGeP$_2$ and MnGeAs$_2$, exhibiting ferromagnetism and a magnetic moment per Mn at 5K larger than 2.40 ${\mu}$B. The calculated electronic structures using the FLAPW method show an indirect energy gap of 0.24 and 0.06 eV, respectively. We have observed spin injection in MnGeP$_2$ and MnGeAs$_2$ magnetic tunnel junctions through semiconducting barriers.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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