• 제목/요약/키워드: FGMM

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모서리 경계조건을 만족하는 접지된 2개의 유전체층 위의 도체띠 격자구조에 의한 TM 산란의 해 (Solution of TM Scattering by a Conductive Strip Grating Over the Grounded Two Dielectric Layers with Edge Boundary Condition)

  • 윤의중
    • 한국항행학회논문지
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    • 제17권4호
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    • pp.429-434
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    • 2013
  • 본 논문에서는 모서리 경계조건을 만족하는 접지된 2개의 유전체층 위의 완전도체띠 격자구조에 의한 TM(Transverse Magnetic) 산란 문제를 수치해석 방법인 FGMM (Fourier Galerkin Moment Method)를 이용하여 해석하였다. TM 산란에 대하여 도체띠에 유도되는 표면 전류밀도는 스트립 양 끝에서 매우 큰 값이 예측되므로, 이때 도체띠에 유도되는 표면 전류밀도는 1종 Chebyshev 다항식과 적절한 모서리 경계조건을 만족하는 함수의 곱의 급수로 전개하였다. 전반적으로, 접지평면 위에 유전체층의 비유전율의 값이 증가하면, 반사전력의 급변점에 대한 스트립 폭은 더 큰 값으로 이동하였다. 수치결과들은 기존 논문들과 비교하여 급속한 수렴해와 좋은 일치를 보였다.

접지된 유전체 평면위의 변하는 저항율을 갖는 저항띠 격자구조에 의한 H-분극 산란 : 한쪽 모서리에서 유한하고 다른쪽 모서리로 가면서 0인 경우 (H-Polarized Scattering by a Resistive Strip Grating with the Tapered Resistivity Over a Grounded Dielectric Plane : from Finite at One Strip-Edge to Zero at the Other Strip-Edge)

  • 윤의중
    • 한국항행학회논문지
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    • 제15권4호
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    • pp.543-548
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    • 2011
  • 본 논문에서는 스트립 폭과 격자주기, 유전체 층의 비유전율과 두께, 그리고 TE(transverse electric) 평면파의 입사각에 따른 접지된 유전체 평면위의 변하는 저항율을 갖는 저항띠 격자구조에 의한 H-분극 전자파 산란문제를 FGMM(Fourier-Galerkin Moment Method)를 이용하여 해석하였다. 저항띠의 변하는 저항율은 한쪽 모서리에서는 유한하고 다른쪽 모서리에서 0 저항율을 가지며, 이때 저항띠 위에서 유도되는 표면 전류밀도는 직교다항식의 일종인 차수가 ${\alpha}=1$, ${\beta}=0$인 Jacobi 다항식의 급수로 전개하였다. 정규화된 반사전력의 수치결과는 기존의 수치결과와 매우 일치하였다.

접지된 유전체 평면위의 저항띠 격자구조에 의한 TE 산란 해석 (Analysis of the TE Scattering by a Resistive Strip Grating Over a Grounded Dielectric Plane)

  • 윤의중
    • 한국항행학회논문지
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    • 제10권3호
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    • pp.198-204
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    • 2006
  • 본 논문에서는 스트립 폭과 격자주기, 유전체 층의 비유전율과 두께, 그리고 TE(transverse electric) 평면파의 입사각에 따른 접지된 유전체 평면위의 저항띠 격자구조에 의한 TE 산란 문제를 수치해석 방법인 FGMM(Fourier-Galerkin Moment Method)를 이용하여 해석하였다. 유도되는 표면전류밀도는 간단한 함수인 지수 함수를 사용하여 Fourier 급수로 전개하였다. 유전체층의 비유전율과 두께가 증가함에 따라 반사전력이 증가하였고, 반사전력의 급변점들은 공진효과에 기인한 것으로 과거에 wood's anomallies[7]라고 불리워졌다. 제안된 방법의 검증을 위하여 기존의 완전도체 경우인 균일 저항율 R = 0에 대한 정규화된 반사전력의 수치결과는 기존의 논문들과 일치하였다.

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2중 유전체층 사이의 완전도체띠 격자구조에 의한 TE 산란 해석 (Analysis of TE Scattering by a Conductive Strip Grating Between a Double Dielectric Layer)

  • 윤의중
    • 한국인터넷방송통신학회논문지
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    • 제19권2호
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    • pp.47-52
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    • 2019
  • 본 논문에서는 2중 유전체층 사이의 완전도체띠 격자구조에 의한 TE(transverse electric) 산란 문제는 전자파 수치해석 방법으로 알려진 FGMM(Fourier-Galerkin moment method)를 이용하여 해석하였다. 경계조건들은 미지의 계수를 구하기 위하여 이용하였고, 도체띠의 해석을 위해 완전도체 경계조건을 적용하였다. 도체띠의 폭과 주기, 2중 유전층 사이의 비유전율과 두께 및 입사각에 대해 정규화된 반사전력과 투과전력을 계산하였다. 전반적으로 유전율의 값이 증가하면 반사전력은 증가하며, 상대적으로 투과전력은 감소하였다. 유전율이 증가할수록 도체띠에 유도되는 전류밀도는 양쪽 끝으로 진행하면서 증가하였다. 본 논문의 제안된 구조에 대한 수치결과들은 기존 논문의 수치해석 결과들과 비교하여 매우 잘 일치하였다.

2개 유전체층 위의 완전도체띠 격자구조에 의한 TM 산란의 급속한 수렴 해 (Fast Convergent Solution of TM Scattering by Conducting Strip Grating on Two Dielectric Layers)

  • 윤의중
    • 한국항행학회논문지
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    • 제18권1호
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    • pp.78-83
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    • 2014
  • 본 논문에서는 2개 유전체층 위의 완전도체띠 격자구조에 의한 TM (transverse magnetic)산란의 급속한 수렴 해에 대한 문제를 수치해석 방법인 FGMM (Fourier Galerkin moment method)를 이용하여 해석하였다. TM 산란에 대하여 유도되는 표면 전류밀도는 스트립 양 끝에서 매우 큰 값이 예측되므로, 이때 스트립에 유도되는 전류밀도는 적절한 모서리 경계조건을 만족하는 함수와 1종 Chebyshev 다항식의 곱의 급수로 전개하였다. 도체띠에 유도되는 전류밀도, 정규화된 반사전력 및 투과전력을 계산하였다. 제안된 함수를 사용한 수치결과는 기존의 지수함수를 사용했을 때 보다 빠르게 수렴도가 향상되었으며, 수치결과들은 기존 논문들의 결과들과 비교하여 거의 일치하였다.

모서리 경계조건을 만족하는 접지된 유전체평면위의 저항띠 격자구조에 의한 TE 산란의 해 (Solution of the TE Scattering by a Resistive Strip Grating Over Grounded Dielectric Plane with Edge Boundary Condition)

  • 윤의중
    • 한국항행학회논문지
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    • 제11권2호
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    • pp.196-202
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    • 2007
  • 본 논문에서는 모서리 경계조건을 만족하는 접지된 유전체층 위의 저항띠 격자구조에 의한 TE(transverse electric)산란 문제를 수치해석 방법인 FGMM(Fourier-Galerkin Moment Method)를 이용하여 해석하였다. TE 산란에 대하여 유도되는 표면 전류밀도는 스트립 양 끝에서 0의 값이 기대되며, 이때 저항띠에 유도되는 표면 전류밀도는 차수가 1인 Gegenbauer (Ultraspherical) 다항식과 적절한 모서리 경계조건을 만족하는 함수의 곱의 급수로 전개하였다. 제안된 방법의 검증을 위하여 기존의 R = 100 ohms/square 및 완전도체 경우인 균일 저항율 R = 0에 대한 정규화된 반사전력의 수치결과는 기존의 논문들과 일치하였다.

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접지된 유전체층 위에 저항띠 양끝에서 0으로 변하는 저항율을 갖는 저항띠 격자구조에서의 전자파 산란 해석 (Analysis of the Electromagnetic Scattering by a Tapered Resistive Strip Grating with Zero Resistivity at the Strip-Edges On a Grounded Dielectric Plane)

  • 정오현;윤의중;양승인
    • 한국통신학회논문지
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    • 제28권11A호
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    • pp.883-890
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    • 2003
  • 본 논문에서는 접지된 유전체평면 위에 변하는 저항율을 갖는 저항띠 격자구조의 전자파 산란문제를 수치해석 방법인 FGMM(Fourier-Galerkin Moment Method)을 이용하여 스트립 폭 및 주기, 유전체층의 비유전율 및 두께, 입사각에 따라 수치 해석하였다. 산란전자계는 Floquet 모드함수의 급수로 전개하였다. 경계조건은 미지의 계수를 구하기 위하여 적용하였고, 저항띠 경계조건은 접선성분의 전계와 스트립의 유도전류와의 관계를 위해 이용하였다. 저항띠의 변하는 저항율은 저항띠의 양끝에서 0으로 변하는 경우를 취급하였고, 이때 유도되는 표면 전류밀도는 2종 Chebyshev 다항식의 급수로 전개하였다. 본 논문에서 변하는 저항율이 0을 갖는 도체띠에 대한 정규화 된 반사전력은 기존 논문의 결과와 매우 잘 일치하였다.

접지된 2개의 유전층위에 저항띠 양끝에서 0으로 변하는 저항띠 격자구조에서의 전자파산란 해석 (Analysis of Electromagnetic Scattering by Resistive Strip Grating with Zero Resistivity at the Strip-Edges On a Grounded 2 Dielectric Layers)

  • 윤의중
    • 한국항행학회논문지
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    • 제10권2호
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    • pp.152-158
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    • 2006
  • 본 논문에서는 접지된 2개의 유전체평면 위에 저항띠 양끝에서 0으로 변하는 저항율을 갖는 저항띠 격자구조의 전자파 산란문제를 수치해석 방법인 FGMM(Fourier-Galerkin Moment Method)을 이용하여 스트립 폭 및 주기, 유전체층의 비유전율 및 두께, 입사각에 따라 수치해석하였다. 산란전자계는 Floquet 모드함수의 급수로 전개하였다. 경계조건은 미지의 계수를 구하기 위하여 적용하였고, 저항띠 경계조건은 접선성분의 전계와 스트립의 유도전류와의 관계를 위해 이용하였다. 저항띠의 변하는 저항율은 저항띠의 양끝에서 0으로 변하는 경우를 취급하였고, 이때 유도되는 표면 전류밀도는 2종 Chebyshev 다항식의 급수로 전개하였다. 본 논문에서 변하는 저항율이 0을 갖는 정규화된 반사전력은 기존 논문의 결과와 매우 잘 일치하였다.

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Fourier-Galerkin Moment Method를 이용한 접지된 2개 유전체층 위의 완전도체띠 격자구조에 의한 TE 산란의 해 (Solution of TE Scattering by a Perfectly Conducting Strip Grating Over the Grounded Two Dielectric Layers Applying Fourier-Galerkin Moment Method)

  • 윤의중
    • 한국항행학회논문지
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    • 제16권4호
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    • pp.635-640
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    • 2012
  • 본 논문에서는 접지된 2개의 유전체층 위의 도체띠 격자구조에 의한 TE (Transverse Electric) 산란문제를 도체경계조건과 수치해석 방법인 FGMM (Fourier-Galerkin Moment Method)를 적용하여 해석하였으며, 이 때 유도되는 표면전류밀도는 미지의 계수와 단순한 함수인 지수함수의 곱의 급수로 전개하였다. 전반적으로, 제안된 구조에서 영역-2의 유전체층의 비유전율 ${\epsilon}_{r2}$과 유전체 층의 두께 $t_2$가 증가함에 따라 반사전력이 증가하였다. 반사전력의 급변점들은 공진효과에 기인한 것으로 과거에 wood's anomaly라고 불리워졌으며, 수치계산 결과들은 기존 논문의 결과들과 일치하였다.

접지된 2개 유전체층 위의 완전도체띠 격자구조에 의한 TE 산란에 관한 연구 (A Study on TE Scattering by a Conductive Strip Grating Over Grounded Two Dielectric Layers)

  • 윤의중
    • 한국인터넷방송통신학회논문지
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    • 제15권2호
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    • pp.65-70
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    • 2015
  • 본 논문에서는 접지된 2개의 유전체층 위의 완전도체띠 격자구조에 의한 TE (transverse electric)산란 문제를 전자파 수치해석 방법으로 알려진 PMM (point matching method)를 이용하여 해석하였다. 경계조건들은 미지의 계수를 구하기 위하여 이용하였고, 산란 전자계는 Floquet 모드 함수의 급수로 전개하였고, 도체띠의 해석을 위해 완전도체 경계조건을 적용하였다. 최소값을 가지는 변곡점들의 대부분의 반사전력은 입사각 이외의 다른 방향으로 산란된다. 완전도체띠의 폭과 주기, 2개 유전층의 비유전율과 두께 및 입사각에 대해 정규화된 반사전력을 계산하였다. 제안한 방법의 수치결과들은 기존의 FGMM (fourier galerkin moment method)를 이용한 수치해석 결과들과 비교하여 매우 잘 일치하였다.