• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1995년도 하계학술대회 논문집 A
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• pp.50-52
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• 1995

This paper deals with the dynamic characteristics of LIM which is controlled by constant V/f ratio and the characteristics of the Inverter acted as interface between the utility power system and LIM. Though open-loop control method is less reliable than closed-loop control method, it's commonly used because it is simple and cheap. This paper shows the consideration for dynamic characteristics of LIM under open-loop control and for Inverter.

• 공업화학
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• 제32권6호
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• pp.632-639
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• 2021

본 연구에서는 WO₃ 광촉매의 활성을 증대시키기 위하여 불소 도핑을 수행하고, 메틸렌블루 염료를 이용하여 광분해 특성을 고찰하였다. 본 연구를 통해 제조된 WO_3-xF_x 광촉매는 WCl₆ 전구체로부터 WO₃ 광촉매를 제조하기 위한 소결과정 중에 기상 불소화 방법을 이용하여 제조하였다. 불소 도핑 후 WO₃ 광촉매의 밴드갭이 2.95 eV에서 2.54 eV로 감소하였고, 산소 결핍 자리 영역이 약 55% 증가하였다. 또한 제조한 광촉매의 초기 염료 분해 성능은 불소 도핑 전과 비교하였을 때 10%에서 60%로 불소 도핑 후 6배 증가하였다. 이는 불소가 도핑되어 광촉매의 밴드갭이 감소하여 적은 에너지로 촉매 활성 반응을 가능하게 하고, 또한 산소 결핍이 생성된 표면 결함이 WO₃ 광촉매의 가시광선 흡수영역을 증대시켜 광촉매 활성이 증가한 것으로 사료된다. 본 연구에서는 후처리 공정이 불필요한 원스텝 기상 불소화 반응을 이용하여 손쉬운 방법으로 광촉매활성이 뛰어난 불소가 도핑된 WO_3-xF_x 광촉매를 제조할 수 있음을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제23권9호
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• pp.696-700
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• 2010

We fabricated red and blue organic light emitting display (OLEDs) which had the two kinds of multi-structure of ITO/HIL/HTL/EML/ETL/LiF/Al and ITO/HIL/HTL/EML/ETL/LiF/Al/LiF. In the case of red OLED that had LiF/Al/LiF structure compared to LiF/Al structure, the current density increased from 4.3 mA/$cm^2$ to 7.3 mA/$cm^2$, and the brightness increased from 488 cd/$m^2$ to 1,023 cd/$m^2$ at 7.0 V, and as a result the current efficiency was improved from 11.28 cd/A to 13.95 cd/A. Also in the case of blue OLED that had LiF on Al cathode layer, the current density increased from 1.2 mA/$cm^2$ to 1.8 mA/$cm^2$, and the brightness increased from 45 cd/$m^2$ to 85 cd/$m^2$ at 7.0 V, and as a result the current efficiency was improved from 3.69 cd/A to 4.82 cd/A. Through these experimental results it could be suggested that the LiF layer formed on Al prevents the oxidation of Al surface, and the electrode resistance become low with increase of supplied electrons, therefore the brightness and the efficiency are improved from the influence to the well-balanced bonding of electron and hole at emitting layer.

• 한국방송∙미디어공학회:학술대회논문집
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• 한국방송∙미디어공학회 2016년도 하계학술대회
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• pp.12-15
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• 2016

요즘 들어, 3차원 콘텐츠의 수요는 지속적으로 증가하고 있다. 3차원 콘텐츠의 품질은 해당 장면의 깊이 정보에 큰 영향을 받기 때문에 정확한 깊이 정보를 얻는 방법이 매우 중요하다. 깊이 정보를 얻는 방법은 크게 수동형 방식과 능동형 방식으로 나뉘는데, 수동형 방식은 계산 과정이 복잡하고 깊이맵의 품질이 보장되지 않는 단점을 갖기 때문에 능동형 방식이 많이 사용되고 있다. 능동형 방식은 깊이 카메라를 이용하여 직접적인 깊이 정보를 얻는 방식으로, 대게 ToF(Time-of-flight) 기술이 사용된다. 이 논문에서는 ToF 깊이 카메라로 촬영된 실제 깊이맵의 특성을 분석하기 위해 여러 가지 촬영 환경과 객체에 대해서 SR4000 깊이 카메라와 키넥트 v2 센서를 이용하여 깊이맵 품질을 비교했다. 실험 결과, 적외선이 제대로 반사되기 어려운 방사성 물질이나 표면, 경계 영역, 어두운 영역, 머리 영역 등에서 정확한 깊이 정보를 얻기 어려웠으며, 실외 환경에서 정확한 깊이 정보가 획득되지 않는 것을 확인할 수 있었다.

• 전기화학회지
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• 제3권2호
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• pp.115-120
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• 2000

양극 물질로 산화바나듐 박막, 고체전해질로는 LiPON 박막 그리고 음극 물질로는 리튬 금속 박막을 선택하여 $Li/LiPON/V_2O_5/Pt$ 구조의 전고상 박막 전지를 제작하였고 전지 특성을 평가하였다. 산화바나듐 박막은 여러 산소 분압에서 직류 반응성 스퍼터링으로 증착하여 전기화학적 특성을 분석한 결과 $20\%\;O_2/Ar$비에서 가장 우수한 가역 특성을 나타내었다. 직류 반응성 스퍼터링에 의해 산화바나듐 박막을 제작한 후 진공을 그대로 유지한 상태에서 r.f. 반응성 스퍼터링에 의해 LiPON 고체전해질 박막을 증착하였다. 그 후 dry room내에서 진공 열증착법에 의해 리튬 금속 박막을 증착하여 전고상의 박막 전지를 제작하였다. $Li/LiPON/V_2O_5$ 박막 전지를 전압 범위와 전류 밀도를 변화시켜 충방전 시험을 행한 결과 $7{\mu}A/cm^2$의 전류 밀도와 3.6-2.7 V의 전압범위에서 가장 우수한 가역 특성을 나타내었다. $Li/LiPON/V_2O_5$박막 전지로 초시계를 구동 시켰으며 이는 in-situ공정에 의해 제작된 박막 전지가 소자 에너지원으로의 응용 가능성을 보여 주었다.

• 대한방사선기술학회지:방사선기술과학
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• 제26권1호
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• pp.39-44
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• 2003

Sodium Carboxy Methyl Cellulse(이하 SCMC)와 $BaSO_4$의 특성분석을 통하여, 소장조영 검사에 효과적인 조영제의 W/V% 농도와 점도를 알아보고자 하였으며 이를 통한 소장질환의 미세한 병변 진단에 대한 효율성을 높이고자 실험하였다. 그 결과 100 KVp 고압촬영 방식에서 살펴 볼 때, 높은 투과율로 검사의 효율성이 증대되었다. 압박 촬영과 이중조영 촬영을 시행함에 있어, High Density바륨 사용으로 인한 광학 농도의 차이를 극복함으로서 High Contrast 영상을 얻을 수 있다. CMC-Na의 평균농도 0.625 W/V%으로 선예한 이미지를 얻을 수 있었으며, 적정한 점막 코팅과 검사시간도 단축시킬 수 있다. 결론적으로, F그룹 방식의 CMC-Na을 혼합한 황산바륨 조영제를 조제하여 사용해본 결과, 경구소장조영 검사에 대한 모든 조건에 만족할 만한 것으로 나타났다.

• 전자공학회논문지D
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• 제35D권6호
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• pp.28-36
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• 1998

낮은 전압에서 고속으로 동작이 가능한 고속 비반전 SOI 버퍼 회로를 제안하였다. 제안된 버퍼 회로는 효율적으로 연결된 보조 MOS 트랜지스터를 경유하여 바디 전압이 동적으로 제어된다. 소자 시뮬레이션을 수행하여 바디가 보조 MOS 트랜지스터로 제어되는 MOS 소자의 전류 구동능력을 보이고 기존의 다른 방식과 비교하였다. SPICE를 이용한 회로 시뮬레이션을 통하여 제안된 버퍼 회로의 지연시간 특성을 조사하고 같은 사양을 가진 기존의 SOI CMOS 버퍼 회로와 비교하였다. 같은 면적을 기준으로 하여 제안된 버퍼회로는 기존의 버퍼 회로에 비해 1.2 V의 동작전압과 2 pF의 부하용량에 대하여 약 36% 지연 시간 단축을 보였다.

• 전자공학회논문지A
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• 제28A권12호
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• pp.59-64
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• 1991

Thin (25-103$\AA$) SiO$_2$ films are grown using the rapid thermal oxidation processing at temperatures of 105$0^{\circ}C$-115$0^{\circ}C$ for 5-30 sec, in order to investigate the characteristics of ultra thin oxide. For measuring the thickness of oxide TEM, ellipsometry, and C-V method which is taken in the condition of small surface band bending are used and compared. When neglecting the small deviation affected by both interface state and moisture charge effect, those three methods described above give similar results. In order to examine the effect of rapid thermal annealing, part of samples are annealed in N$_2$ ambient. MOS capacitors are fabricated and the characteristics of I-V and C-V are measured. Measurements show that the activation energy of initial thickness of oxide grown during the ramp-up time is of 1.125eV and the activation energy of the oxidation rate is of 0.98eV. As oxidation temperature is increased, dielectric breakdown field E$_{BD}$ is decreased due to the increase of fixed charge density N$_f$ However, E$_{BD}$ is shown to be decreased as increasing the thickness of oxide. The increase of N$_f$ in the early stage of thermal annealing results in the decrease of E$_{BD}$.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 영호남학술대회 논문집
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• pp.39-41
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• 2000

Carbon is an attractive candidate for use in eletrochemical supercapacitors that depend on charge storage in the electrode/eletorlyte international double layer. Property of an electrical double layer capacitor depend both on the technique used to prepare the electrode and on the current collector structure. The study is to research that $V_2O_5$-carbon (SP270) composite electrode for supercapacitor. The discharge capacitance of $V_2O_5$-SP270 (20wt%) in 1st and 35cyc1e was 14F/g and 8.5F/g at current density of $0.1mA/cm^2$. The discharge process of $V_2O_5$-SP270 (20wt%) composite electrode is larger than that others.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제6권3호
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• pp.269-275
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• 1993

미래의 ULSI 소자의 게이트 산화막으로 이용하기 위하여 $N_{2}$O 가스 분위기에서 기존의 전기로를 이용한 실리콘의 열산화에 의해 $N_{2}$O 산화막을 형성하였고 MOS 소자를 제작하여 전기적 특성을 고찰하였다. 900.deg.C에서 90분간 산화한 $N_{2}$O 산화막의 경우, 플랫밴드 전압( $V_{FB}$ ), 고정전하밀도 ( $N_{f}$)와 플랫밴드 전압의 변화량(.DELTA. $V_{FB}$ )은 각각 0.81[V], 6.7x$10^{10}$[$cm^{-2}$]와 80~95[mV]를 나타내었다. $N_{2}$O 산화막의 전기전도기구는 저전계 영역에서는 Fowler-Nordheim 터널링, 고전계영역에서는 Poole-Frenkel 방출이 지배적으로 나타났고 절연파괴전계는 16[MV/cm]로 높게 나타났다. 따라서 $N_{2}$O 산화로 형성된 게이트 산화막이 ULSI소자의 게이트 유전체로 응용이 가능하리라 생각된다..