• 한국자기학회지
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• 제4권3호
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• pp.214-218
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• 1994

페리마그넷(Ferrimagnetic) $Y_{3}Fe_{5}O_{12}$(Garnet) 박막 또는 후막은 초고주파 대역에서 사용하는 통신부품의 소자로서 핵심 역할을 하고 있다. 본 연구에서는 요즘 신기술로 소개된 펄스 레이저 증착기술(Laser Ablation Technique)에 의하여 가넷의 표준조성인 $Y_{3}Fe_{5}O_{12}$ 후막을 에피성장 시키는데 성공하였다. KrF 가스를 사용한 Eximer 레이저를 10 Hz의 펄스주파수로 $Al_{2}O_{3}$(1102) 면에서 거의 집합조직의 에피후막을 성장시켰다. 후막의 자기특성 및 성장 양상은 사용한 기판 및 기판온도와 산소분압에 따라 결정되지만 본 연구에서 얻어진 최적의 자기특성은 가넷두께 $4.1\;\mu\textrm{m}$에서 $4{\pi}M_{s}=1300$ Gauss, $H_{c}=37.5$ Oe 의 값을 산소분압 100 mTorr 및 기판온도 $600^{\circ}C$에서 증착한 후 $700^{\circ}C$에서 2시간 소둔처리하여 최적값을 얻을 수가 있었다. 이러한 가넷후막은 협대역 주파수 범위에서 Magnetostatic Spin Wave 원리를 이용한 Filter로 사용 가능하다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2000년도 하계학술발표회
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• pp.108-109
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• 2000

현재 많은 종류의 레이저가 학술적으로나 산업계에서 다양하게 사용되고 있다. 그리고 그 중에서도 자외선 레이저의 필요성이 한층 강조되고 있는 시점이다. 사용되고 있는 자외선 레이저는 Eximer 레이저, Nd:YAG의 제3고조파, 다른 레이저로 펌핑한 색소 레이저등이 그 주류를 이루고 있다. 하지만 이들 레이저들은 값이 아주 고가이거나 그 출력이 매우 낮아 새로운 방식의 레이저를 요구하고 있다. 그래서 본 실험실에서는 여러 용도로 사용 가능한 펄스형 고출력 색소 레이저를 개발하고 있다. (중략)

• 한국광학회지
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• 제2권4호
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• pp.186-192
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• 1991

엑시머 레이저빔($\lambda$ 0.248$\mu\textrm{m}$)을 사용하여 micro-lithography를 위해 축소배율 $5\times$를 갖는 4개의 구면으로 구성된 반사경계를 설계하였다. 먼저 초기광학계로서 Seidel 3차 수차 내에서 구면수차, 코마, 상면만곡, 왜곡수차가 제거된 4구면경계를 해석적으로 구하였다. 이 초기광학계의 성능 향상을 위해 컴퓨터를 이용한 최적화 기법을 사용하였고 그 결과 KrF 엑시머 레이저 광에 대해 N.A. 0.15와 image field diameter 3.3 mm 이내에서 회절 한계까지 제거된 수차 성능을 얻었다.

• Applied Microscopy
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• 제42권4호
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• pp.207-211
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• 2012

We examined the electrical properties and microstructure of NiO produced using a sol-gel method and Ni nitrate hexahydrate ($Ni[NO_3]_2{\cdot}6H_2O$) to investigate if this NiO thin film can be used as an insulator layer for resistance random access memory (ReRAM) devices. It was found that as-prepared NiO film was polycrystalline and presented as the nonstoichiometric compound $Ni_{1+x}O$ with Ni interstitials (oxygen vacancies). Resistances-witching behavior was observed in the range of 0~2 V, and the low-resistance state and high-resistance state were clearly distinguishable (${\sim}10^3$ orders). It was also demonstrated that NiO could be patterned directly by KrF eximer laser irradiation using a shadow mask. NiO thin film fabricated by the sol-gel method does not require any photoresist or vacuum processes, and therefore has potential for application as an insulating layer in low-cost ReRAM devices.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2000년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1791-1793
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• 2000

본 연구에서는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터(poly-Si TFTs)에서의 소오스 및 드레인 영역 형성을 위해 PSG (phosphosilicate glass)와 BSG (borosilicate glass) 박막을 도핑 물질(dopant)로 하여 저온에서 엑시머 레이저(eximer laser)로 활성화하는 공정을 제안한다. 이 실험을 통해 소스 가스인 $PH_3$와 $SiH_4$의 유량비, 레이저 에너지 밀도와 레이저 조사 횟수를 변화시키면서 면저항(sheet resistance)과 불순물의 확산 깊이(diffusion depth)를 성공적으로 조절하였다. 불순물의 확산 깊이와 표면 농도는 레이저 에너지 밀도와 조사 횟수를 증가시킴에 따라 증가하였으며 그 결과 최소 면저항 값은 인(P)의 경우 450$\Omega/\square$을 얻었고 붕소(B)의 경우 1100$\Omega/\square$을 얻었다. 이러한 실험결과는 제안된 방법을 통해 poly-Si TFTs 에서 소오스, 드레인 영역의 도핑 공정을 수행할 수 있음을 보여준다.

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2007년도 춘계학술대회B
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• pp.2453-2458
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• 2007

The performance of polysilicon thin film transistor (p-Si TFT) has an important role in the operation of active matrix liquid crystal displays. To fabricate the p-Si TFTs that have uniform characteristics, understanding of the recrystallization mechanism of silicon is crucial. Especially, the analysis of the transient temperature variation and the liquid-solid interface motion is required to find the mechanism. The thermal conductivity is one of the most important parameters to understand the mechanism. In this work, a KrF eximer laser beam was irradiated to amorphous silicon thin films. We measured the transient reflectivity at the wavelength of 633 nm. We carried out the numerical simulation of one dimension conduction equation so that we determined the most well-fitted thermal conductivity by comparing the numerically obtained transient reflectivity with the experimentally measured one. The experimentally determined thermal conductivity of amorphous silicon thin films is 1.5 W/mK.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호
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• pp.1075-1078
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• 2007

Negative Bias Temperature Instability (NBTI) in Eximer Laser Annealing (ELA) based Low Temperature polysilicon (LTPS) Thin-Film Transistors (TFT) was investigated. Even though NBTI is generally appeared in devices with thin gate oxide, the TFT with gate oxide thickness of 120 nm, relatively thick, also showed NBTI effect and dynamic NBTI effect is dependent on operational frequency.

• 한국초전도학회:학술대회논문집
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• 한국초전도학회 2009년도 Korea Superconductivity Society Meeting 2009
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• pp.46-46
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• 2009

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.144-144
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• 2010

다결정 실리콘 박막트랜지스터 (poly-Si TFTs)는 벌크실리콘을 이용한 MOSFET소자에 비해 실리콘 박막의 형성이 간단하므로 대면적의 공정이 가능하며 다양한 기판위에 적용이 가능하여 LCD, OLED 등의 디스플레이 기기에 많이 이용되고 있다. 또한 poly-Si TFT는 3차원으로 적층된 소자의 제작이 가능하여 고집적의 한계를 극복할 소자로 주목받고 있다. 최근, DRAM은 캐패시터의 축소화와 구조적 공정이 한계점에 도달했으며 이를 극복하기 위하여 SOI 기판을 사용한 하나의 트랜지스터로 DRAM의 동작을 수행하는 1T-DRAM의 연구가 활발히 진행 중이다. 이러한 1T-DRAM 소자를 대면적과 다층구조의 공정이 가능한 poly-Si TFT를 이용하여 구현하면 초고집적의 메모리 소자를 제작 가능할 것이다. 따라서, 본 연구에서는 다결정 실리콘 박막트랜지스터 (poly-Si TFTs)를 이용한 1T-DRAM의 동작 특성을 연구하였다. 소자의 제작 방법으로는 200 nm의 열산화막이 성장된 p-type 실리콘 기판위에 상부실리콘으로 사용될 비정질 실리콘 박막을 LPCVD 방법으로 증착하였다. 다음으로 248 nm의 파장을 가지는 KrF 레이저를 이용한 eximer laser annealing (ELA) 공정을 통하여 결정화된 상부실리콘층에 TFT 소자를 제작하여 전기적 특성을 평가하였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2011년도 추계학술발표대회
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• pp.21.2-21.2
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• 2011

$Fe_3O_4$ having half metallic property is one of the efficient spin filtering materials which are widely used in spintronic research field and ZnO is wide band gap semiconductor which can be used by tunnel barrier or semiconductor channel in spin MOSFET. We investigated the magnetic and the electric properties of $Fe_3O_4$/ZnO multilayer fabricated on c-$Al_2O_3$ substrate by pulsed laser deposition (PLD). For multilayer films, PLD was performed at variable temperatures such as $200{\sim}750^{\circ}C$ and at target distance from 40 to 80 mm, KrF eximer laser of 1.5 $J/cm^2$ and a reputation rate of 2Hz. $Fe_3O_4$/ZnO multilayers were deposited at $4{\times}10^{-6}$ Torr. After fabricating $Fe_3O_4$/ZnO multilayers, $Fe_3O_4$/ZnO multilayers were treated by RTA(Rapid Thermal Annealing) at various temperature to change magnetic phase. The magnetism of the multilayer is changed by thickness of the ZnO tunnel barrier. Magnetic phase of FexOy showed a very small magnetism due to $Fe_2O_3$ ${\alpha}$-phase, but large magnetism from $Fe_3O_4$ or $Fe_2O_3$ ${\gamma}$-phase was observed. In the present study, effect of the ZnO thickness on the MR (magnetoresistance) ratio was investigated in detail.