• 천문학논총
• /
• 제15권spc1호
• /
• pp.61-71
• /
• 2000

The emission line objects such as planetary nebulae, symbiotics, gaseous nebulae, HII regions, novae, supernovae, SNRs, nearby spiral galaxies, dIrr, dE, and nearby active galactic nuclei, would be goldmines for us to dig with the 1.8m bohyunsan optical (BOAO) telescope. We discussed the importance of strategically important diagnostic lines and atomic constant calculation for a study of Galactic and extragalactic emission objects. The scientific background on a spectrometer development history is briefly presented and spectroscopic research areas other than the emission objects are also summarized.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2000년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.519-523
• /
• 2000

Using plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD), carbon thin film as electron field emitter were fabricated. These carbon thin film were deposited on Si(100) substrate at several RF power. These film were estimated by raman spectroscopy, scanning electron microscopy, and field emission. The field electron emission property of these carbon thin film was estimated by a diode technique. As the result, we observed that the field emission properties of these films were promoted by higher RF power. These results are explained as change of surface morphology and structural properties of carbon thin film

• 한국작물학회지
• /
• 제49권spc1호
• /
• pp.269-276
• /
• 2004

• 한국표면공학회:학술대회논문집
• /
• 한국표면공학회 2003년도 추계학술발표회초록집
• /
• pp.120-120
• /
• 2003

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 1998년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
• /
• pp.108-108
• /
• 1998

• 한국연소학회지
• /
• 제4권1호
• /
• pp.27-38
• /
• 1999

We constructed a wire-cylinder type pulsed corona discharge system for $NO_x$ removal, which was operated in room temperature. A emission spectrometer was built with a boxcar averager and monochrometer equipped with photo-multiplier tube detector. The sensitivity of the emission spectrometer was greatly improved by synchronizing the emission spectrometer with pulsed corona discharge system using a triggered spark-gap switch. $N_2$ spectrum($c^3{\Pi}_u{\rightarrow}X^1{\Sigma}_g{^+}$) was measured in the range of 300 - 450 nm and oxidizing OH radical emission($A^2{\Sigma}^+{\rightarrow}X^2{\Pi}$) was measured in case $N_2$ was supplied with water bubbling. As wet gas composition of inlet $N_2$ supplied in the discharge system increased, the intensity of OH emission was increased and saturated at wet gas composition 50%. We also investigated additive effect of $C_2H_4,\;H_2O,\;H_2O_2$ on the intensity of OR emission and $NO/NO_2/NO_x$ reduction and analysed the related reaction mechanism in corona discharge process. $H_2O_2$ additive increased the intensity of OH emission and $NO/NO_x$ reduction.

• 한국진공학회지
• /
• 제15권6호
• /
• pp.581-586
• /
• 2006

차세대 리소그래피 기술인 극자외선(EUV : Extreme Ultraviolet) 빛샘 연구의 기초단계로써, 동축타입의 전극구조가 설치된 다이오드 챔버를 통해 Ar 플라스마를 생성하였으며, 방출 분광기술(emission spectroscopy)를 이용하여 방출된 가시광선 영역의 빛을 조사하였다. 장치의 입력 전압을 0.5kV씩 변화를 주어 $2\sim3.5kV$까지 인가를 했으며 이극챔버의 최적 압력인 330mTorr 일 때 각 전압에 따른 방출 분광선 데이터를 얻었다. 이때 Ar I과 Ar II 방출선을 관측하였으며 국소적인 열적평형 (LTE ; Local Thermodynamic Equilibrium) 상태의 가정 하에 볼츠만 도표(Boltzmann plot)와 사하(Saha) 방정식을 이용해 Ar I 및 Ar II의 전자온도와 이온 밀도를 각각 계산하였다. 각 입력전압에 대해 이온밀도는 Ar I과 Ar II에서 각각 $\sim10^{15}/cc$ 및 $\sim10^{13}/cc$의 값으로 계산되었다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
• /
• pp.88-88
• /
• 2003

Optical Emission Spectroscopy(OES) is a very important technology for real-time monitoring of plasma in a reactor during dry etching process. OES technology is non-invasive to the plasma process. It can be used to collect information on excitation and recombination between electrons and ions in the plasma. It also helps easily diagnose plasma intensity and monitor end-point during plasma etch processing. We studied high density planar inductively coupled BCl$_3$ and BCl$_3$/Ar plasma with an OES as a function of processing pressure, RIE chuck power, ICP source power and gas composition. The scan range of wavelength used was from 400 nm to 1000 nm. It was found that OES peak Intensity was a strong function of ICP source power and processing pressure, while it was almost independent on RIE chuck power in BCl$_3$-based planar ICP processes. It was also worthwhile to note that increase of processing pressure reduced negatively self-induced dc bias. The case was reverse for RIE chuck power. ICP power and gas composition hardly had influence on do bias. We will report OES results of high density planar inductively coupled BCl$_3$ and BCl$_3$/Ar Plasma in detail in this presentation.

• 전기전자학회논문지
• /
• 제20권1호
• /
• pp.9-15
• /
• 2016

플라즈마 식각 공정에서 식각 종료점 검출은 중요한 요소이다. Optical Emission Spectroscopy (OES) 는 플라즈마 반응을 분석하는데 사용한다. 그리고 Plasma Impedance Monitoring (PIM) 은 플라즈마 공정 중에 RF power에 의한 voltage, current, power, impedance를 분석하는데 사용한다. 본 논문에서는 새로 제안하는 의사결정 알고리즘을 이용하여 single layer 산화막 플라즈마 식각에서 식각 종료점 검출의 성능을 향상시키는 것을 제안한다. 식각 종료점 검출의 정확도를 높이기 위해 OES 데이터와 PIM 데이터들을 의사결정 알고리즘에 모두 적용하여 사용한다. 제안된 방법은 SiOx 플라즈마 식각에서 식각 종료점을 정확하게 검출한다.

• 한국진공학회지
• /
• 제20권2호
• /
• pp.86-92
• /
• 2011

본 연구에서는 새롭게 개발된 센서인 in-situ particle monitor (ISPM)와 기존센서의 기능을 업그레이드 한 센서인 self-plasma optical emission spectroscopy (SPOES)를 이용해 화학기상증착 진공공정을 진단하였다. 본 연구에서 사용된 증착공정 장비는 silane 가스를 이용한 silicon plasma enhanced chemical vapor deposition과 borophosphosilicate glass 증착장비이다. 두 장비의 증착 또는 클리닝 조건에서의 배출되는 오염입자와 배기가스를 개발된 센서를 이용해 공정상태를 실시간으로 진단하는 것과 개발된 센서의 센싱 능력을 검증하고자 하는 목적으로 연구가 진행되었다. 개발된 센서는 장비 배기구 설치되었으며, 공정압력, 유량, 플라즈마 파워 등의 공정변수 변화에 따른 오염입자 크기 및 분포와 배기 부산물의 변화를 측정하고, 측정 결과의 상호 연관성을 분석하였다.