• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.75-76
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• 2006

최근 고주파 유전체 소재로 많이 연구가 되고 있는 $BaSrTiO_3$ 소재와 polymer계열을 이용한 composite복합체를 이용하여 embedded capacitor를 제작하였으며, 후막을 제작하기 위한 방법으로는 두께의 신뢰성이 비교적 높은 screen printing기법을 사용하여 제작하였다. 제작된 소자의 온도별, 주파수별 특성을 연구하여 그 응용 가능성을 알아보았다.

• 대한전기학회논문지:전기기기및에너지변환시스템부문B
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• 제53권3호
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• pp.180-187
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• 2004

A conventional power supply of a microwave oven has a 60Hz transformer and high voltage capacitor(HVC). Though it is very simple and has low cost, it has several problems such as large size, heavy weight and low efficiency To improve these problems, various high frequency inverter type power supply have been investigated and developed in recent years. But these cost is higher than the conventional one due to additional control circuit, fast switching devces. In this paper, a novel pulse power supply for microwave oven using high frequency transformer embedded HVC(High Voltage Capacitor) is proposed for down-sizing, cost reduction and efficient improvement. To verify the effectiveness of the proposed transformer, an equivalent circuit of transformer embedded HVC is derived and it's characteristic is described. And the validity of the proposed pulse power supply embedded HVC-high frequency transformer is shown by simulations and experiments accroding to various operating conditions.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제20권4호
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• pp.342-347
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• 2007

$Bi_6Mg_2Nb_4O_{21}(BMN)$ thin films were deposited at various substrates by sputtering system for embedded capacitor applications. BMN thin films deposited at room temperature are manufactured as MIM(Metal/Insulator/Metal) structures. Dielectric properties and leakage current density were investigated as a function of various substrates and thickness of BMN thin films. Leakage current density of BMN thin films deposited on CCL(Copper Clad Laminates) showed relatively high value ($1{\times}10^{-3}A/cm^2$) at an applied field of 300 kV/cm on substrates, possibly due to relatively high value of roughness(rms $50{\AA}$) of CCL substrates. 100 nm-thick BMN thin films deposited on Cu/Ti/Si substrates showed the capacitance density of $300 nF/cm^2$, a dielectric constant of 32, a dielectric loss of 2 % at 100 kHz and the leakage current density of $1{\times}10^{-6}A/cm^2$ at an applied field of 300 kV/cm. BMN capacitors are expected to be promising candidates as embedded capacitors for printed circuit board(PCB).

• 광학세계
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• 통권117호
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• pp.23-25
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• 2008

RF embedded 기판의 기술은 Module과 Package라는 응용 제품을 거치면서 최종적으로는 기존의 여러 가지 제품의 Mother Board(특히 휴대폰)에 접목 시키기 위한 노력이 계속 진행되고 있다. 업계 및 Research 기관의 조사 결과에 따르면 PCB 시장의 성장세와 맞물려 Embedded 시장규모는 큰 폭의 상승이 예상된다. 본 고에서는 높은 유전율을 가지는 강유전체 물질의 Embedded capacitor 적용을 위해 레이저 기술을 전자부품 제조현장에 적용하는 연구의 진행상황을 소개하고자 한다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제11권1호
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• pp.87-96
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• 2004

폴리머/세라믹 복합체는 유기기판용 내장형 커패시터의 가장 유망한 재료다. 폴리머/세라믹 복합체의 유효유전상수를 예측하는 것은 복합재료의 설계에 있어 매우 중요하다. 본 논문에서는 크기가 다른 5가지 $BaTiO_3$ 분말을 이용하여 분말함량에 따른 에폭시/$BaTiO_3$ 복합 내장형 커패시터 필름의 유전상수를 측정하였다. 그 측정 결과를 여러 가지 이론식들에 최소 자승법을 이용해 fitting하여 폴리머/세라믹 복합체의 유효유전상수를 예측하는데 가장 유용한 식을 찾고 BaTiO$_3$ 분말의 유전상수를 추정하고자 하였다. Lichtenecker식과 Jayasundere-Smith식이 에폭시/$BaTiO_3$ 복합 내장형 커패시터 필름의 유전상수 예측에 유용한 것으로 나타났다. 피팅을 통해 계산된 $BaTiO_3$ 분말의 유전상수는 분말의 크기에 따라 100 에서 600 사이였는데 이는 다결정 세라믹 $BaTiO_3$의 유전상수보다 작은 값이다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제8권2호
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• pp.84-88
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• 2007

[ $Bi_{1.5}Zn_{1.0}Nb_{1.5}O_7$ ] (BZN), $Bi_2Mg_{2/3}Nb_{4/3}O_7$ (BMN), and $Bi_2Cu_{2/3}Nb_{4/3}O_7$ (BCN) pyrochlore thin films were prepared on $Cu/Ti/SiO_2/Si$ substrates by pulsed laser deposition and the micro-structural and electrical properties were characterized for embedded capacitor applications. The BZN, BMN, and BCN films deposited at $25\;^{\circ}C$ and $150\;^{\circ}C$, respectively show smooth surface morphologies and dielectric constants of about $39\;{\sim}\;58$. The high dielectric loss of the films deposited at $150\;^{\circ}C$ compared with films deposited at $25\;^{\circ}C$ was attributed to the defects existing at interface between the films and copper electrode by an oxidation of copper bottom electrode. The leakage current densities and breakdown voltages in 200 nm thick-BMN and BZN films deposited at $150\;^{\circ}C$ are approximately $2.5\;{\times}\;10^{-8}\;A/cm^2$ at 3 V and above 10 V, respectively. Both BZN and BMN films are considered to be suitable materials for embedded capacitor applications.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제8권4호
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• pp.59-65
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• 2001

경화 전 상온 보관성이 우수하며 넓은 면적에 균일한 두께와 균일한 유전특성의 커패시터를 쉽게 형성할 수 있는 epoxy/$BaTiO_3$composite커패시터 필름을 제조하였다. 이 필름은 필름 형성특성과 가공성, 그리고 상온 보관성이 우수한 에폭시계 이방성 전도 필름(Anisotropic Conductive Film: ACF)용으로 개발된 레진을 기본으로 하고, 유전상수를 높이기 위한 충진제로 2종류의 $BaTiO_3$분말을 사용하였다. X선 회절을 통하여 두 분말의 결정구조와 이에 따른 유전상수의 변화를 살펴보았으며, 점포 측정을 통해 분산제의 양을 정하였다. 필름의 경화온도와 적정한 경화제의 양을 결정해주기 위해 differential scanning calorimeter (DSC)와 커패시터의 특성 분석을 통해 경화제 양에 따른 필름 및 커패시터 특성에 미치는 영향을 살펴보았다. 이 필름을 이용하여 두께 7 $\mu\textrm{m}$에서 10 nF/$\textrm{cm}^2$ (이때의 유전상수는 80)의 높은 전기용량을 가진 우수한 커패시터를 성공적으로 제작하였다.

• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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• 한국마이크로전자및패키징학회 2001년도 추계 기술심포지움
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• pp.21-27
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• 2001

Epoxy/BaTiO$_3$composite film type capacitors with excellent stability at room temperature, uniform thickness, and electrical properties over a large area were successfully fabricated. We fabricated composite capacitor films with good film formation capability and easy process ability, from ACF-resin as a matrix and two kinds of BaTiO$_3$powders as fillers to increase the dielectric constant of the composite film. The crystal structure of the powders and its effects on dielectric constant of the films were investigated by X-ray diffraction. DSC and dielectric properties tests were conducted to decide the right curing temperature and the optimum amount of the curing agent. As a result, the capacitors of $7{\mu}{\textrm}{m}$ thick film with 10nF/cm2 and low leakage current were successfully demonstrated.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제9권4호
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• pp.918-923
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• 2008

본 논문에서는 전극들이 동일한 평면상에 놓이고, Gap에 의하여 유전간격을 형성한 새로운 구조의 임베디드 캐패시터(EC)를 제안하였다. 제안된 EC의 이름을 Gap type EC라고 하고, 유한요소법으로 그 특성을 평가하였다. Cap type EC의 공진주파수는 기존의 EC에 비하여 고주파 대역으로 이동되었다. 또한 공진주파수는 전극의 크기와 두께에 따라 변화되었다. Gap type EC는 Gap size가 $50{\mu}m$일 때 $55pF/cm^2$의 정전용량을 나타내었다. 이 값은 기존의 EC가 나타내는 $25pF/cm^2$에 비하여 높은 값이다. 따라서 본 논문에서 제안한 Gap type EC는 고주파 디커플링 용도로 충분히 사용될 수 있을 것이다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 추계학술대회 논문집 Vol.15
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• pp.342-345
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• 2002

As the size of chip components and module decreases, new patteming method for fine line and geometry is needed. So far, in LTCC(Low Temperature Cofired Ceramic) process, screen printing method has been used generally. But screen printing method has some disadvantages as follows. First, the geometry including line, vias, etc. smaller than $100{\mu}m$ can't be evaluated easily. Second, the patterned dimension is different from designed value, which makes distortion in charactersitics of not only chip components but also modules. Thick film lithography has advantages of thick film screen printing process, low cost and thin film process, fine line feasibility. Using this method, the line with $30{\mu}m$ width and the geometry with expected dimension can be evaluated. In this study, the fine line with $35{\mu}m$ line/space is formed and the embedded capacitor with very small tolerance is developed using thick film lithography.