$Cr_{100-x}Ti_x$ amorphous texture-inducing layers (TIL) were investigated to realize highly (002) oriented $L1_0$ FePt-C granular films through hetero-epitaxial growth on the (002) textured bcc-$Cr_{80}Mn_{20}$ seed layer (bcc-SL). As-deposited TILs showed the amorphous phase in Ti content of $30{\leq}x(at%){\leq}75$. Particularly, films with $40{\leq}x{\leq}60$ kept the amorphous phase against the heat treatment over $600^{\circ}C$. It was found that preference of the crystallographic texture for bcc-SLs is directly affected by the structural phase of TILs. (002) crystallographic texture was realized in bcc-SLs deposited on the amorphous TILs ($40{\leq}x{\leq}70$), whereas (110) texture was formed in bcc-SLs overlying on crystalline TILs (x < 30 and x > 70). Correlation between the angular distribution of (002) crystal orientation of bcc-SL evaluated by full width at half maximum of (002) diffraction (FWHM) and a grain diameter of bcc-SL indicated that while the development of the lateral growth for bcc-SL grain reduces FWHM, crystallization of amorphous TILs hinders FWHM. $L1_0$ FePt-C granular films were fabricated under the substrate heating process over $600^{\circ}C$ with having different FWHM of bcc-SL. Hysteresis loops showed that squareness ($M_r/M_s$) of the films increased from 0.87 to 0.95 when FWHM of bcc-SL decreased from $13.7^{\circ}$ to $3.8^{\circ}$. It is suggested that the reduction of (002) FWHM affects to the overlying MgO film as well as FePt-C granular film by means of the hetero-epitaxial growth.
The paper presents the constant temperature digital hot-film anemometer that measures easily a wind velocity at the indoor. The output is linearized using microprocessor and analog-to-digital converter, because the fourth root of the wind velocity is the output voltage of the sensor. The comparison result between fabricated and reference anemometer is less than ${\pm}2%$. In the range of air temperature of $23^{\circ}C{\sim}60^{\circ}C$, the error is about ${\pm}1%$ in wind velocity 10m/sec.
Park, Gye-Choon;Im, Young-Sham;Chung, Hae-Duck;Lee, Jin;Chung, In-Sung;Kim, Jong-Uk;Gu, Hal-Bon
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1998.11a
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pp.331-334
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1998
Crystal structure and surface morphology of Se thin film fabricated by EBE method had been studied. Se thin film was deposited with amorphous structure until substrate temperature of l00$^{\circ}C$. But Se thin film was grown with monoclinic structure at substrate temperature af over 150$^{\circ}C$, and its lattice constant of a, b and c was 12.76${\AA}$, 9.15${\AA}$ and 10.41${\AA}$ respectively. Also, after heat-treatment at 150。 for 15 min with substrate temperature of l00。, amorphous Se was proved to be hexagonal structure, and its lattice constant of a and c was 4.27${\AA}$ and 4.83${\AA}$ respectively.
This paper proposes a novel decision feedback differential phase detection (DF-DPD) for M-ary DPSK. A conventional differential phase detection method for M-ary Differential Phase Shift Keying (DPSK) can simplify the receiver architecture. However, it possesses a poorer bit error rate (BER) performance than coherent detection because of the prior noisy phase sample. Multiple-symbol differential detection methods, such as maximum likelihood differential phase detection, Viterbi-DPD, and DF-DPD using L-1 previous detected symbols, have attempted to improve BER performance. As the detection length, L, increases, the BER performance of the DF-DPD improves but the complexity of the architecture increases dramatically. This paper proposes a simplified DF-DPD architecture replacing the conventional delay and additional architecture with an accumulator. The proposed architecture also improves BER performance by minimizing the current differential phase noise through the accumulation of previous differential phase noise samples. The simulation results show that the BER performance of the proposed architecture approaches that of a coherent detection with differential decoding.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2000.07a
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pp.444-447
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2000
The spinel L $i_{1-x}$ M $n_2$$O_4$has been synthesized by the solid-state reaction. L $i_{l-x}$M $n_2$$O_4$which includes a mixture of LiOH . $H_2O$ and Mn $O_2$prepared by preliminary heating at 35$0^{\circ}C$ for 12hr. L $i_{l-x}$M $n_2$$O_4$fired at temperature range from 75$0^{\circ}C$ for 48hr. The structure and the electrochemical characteristics of spinel to L $i_{1-x}$ M $n_2$$O_4$which is fabricated by changing sintering condition from starting materials are investigated. The cyclic voltammetric measurement was performed using 3 electrode cells. Electrode specific capacity and cycle life behavior were tested in a 3.0~4.2V range at a constant current density of 0.45mA/c $m^2$. To improve the cycle performance of spinel L $i_{l-x}$M $n_2$$O_4$as the cathode of 4V class lithium secondary batteries, spinel phases L $i_{1-x}$ M $n_2$$O_4$were Prepared at various lithium. The results showed that discharge capacity of L $i_{l-x}$M $n_2$$O_4$varied at lithium quantity decrease with increasing lithium add quantity. The discharge capacities of L $i_{0.925}$M $n_2$$O_4$and LiM $n_2$$O_4$revealed 108 and 117mAh/g, respectively.spectively.y.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.06a
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pp.302-302
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2007
The $SrRuO_3$/Si thin film electrodes are grown with (00l) preferred orientations on SrO buffered-Si (001) substrates by pulsed laser deposition. The optimum conditions of SrO buffer layers for $SrRuO_3$ preferred orientations are the deposition temperature of $700^{\circ}C$, deposition pressure of $1\;{\times}\;10^{-6}\;Torr$, and the thickness of 6 nm. The 100nm thick-$SrRuO_3$ bottom electrodes deposited above $650^{\circ}C$ on SrO buffered-Si (001) substrates have a rms roughness of approximately $5.0\;{\AA}$ and a resistivity of 1700 -cm, exhibiting a (00l) relationship. The 100nm thick-$Pb(Zr_{0.2}Ti_{0.8})O_3$ thin films deposited at $575^{\circ}C$ have a (00l) preferred orientation and exhibit $2P_r$ of $40\;C/cm^2$, $E_c$ of 100 kV/cm, and leakage current of about $1\;{\times}\;10^{-7}\;A/cm^2$ at 1V.
Park, Dae-Hee;Kim, Dong-Wook;Kang, Sung-Hwa;Lee, Kee-Joe
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1993.05a
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pp.55-58
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1993
In this paper, the relationship between trap properties and the molecular orientation owing to elongation was investigation from TSC, electrical conductivity and X-ray diffraction was investgated. The changes of the stretching direction, from an a-axis orientation(at low elongation) to a c-axis orientation(at high elongation), as the elongation increases. were determined from X-my diffraction patterns. These results suggest that the tendency for a decrease in the trap density at a higher elongation is consistent with a continuous change of the reorientation from the a-axis to the c-axis as the elongation increases.
Zn(II), Cd(II) and Hg(II) complexes with a general composition[$M(L)_2(X)_2$], where L=4-aminopyridine (4AP) and $X=NO_2{^-}$ were prepared under microwave irradiation. The metal complexes were characterized by elemental analyses, molar conductance, IR, Far-IR, electronic, NMR ($^1H$, $^{13}C$), XPS spectral and thermal studies. The spectroscopic studies reveal the composition, different modes of bonding, electronic transition, different chemical environment of C and H atoms and the electronic state of the metal atoms. On the basis of the characterization data, tetrahedral geometry is suggested for all the complexes. The free ligand (4-aminopyridine) and their metal complexes were screened against phytopathogenic fungi and bacteria in vitro and the activities were compared.
Kim, Myung-Nyung;Kang, Seong-Hwa;Lim, Kee-Joe;Kang, Dou-Yol;Kim, Bong-Heup
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1988.05a
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pp.70-73
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1988
Influence of Velocity and Temperature on Streaming Electrification of Insulating Oil is investigated by injection method. Leakage current is increased slightly with increasing temperature in the temperature range 20 to $80^{\circ}C$ at low flow rate, however, it show a peak in the temperature 40 to $60^{\circ}C$ at high flow rate. Leakage current is also increased linearly with increasing flow rate in the flow rate range 1 - 31/min but thereafter, it is increased abruptly with increasing flow rate.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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