STI를 이용한 서브 0.1$\mu\textrm{m}$ VLSI CMOS 소자에서의 초박막게이트산화막의 박막개선에 관한 연구
(A study on Improvement of sub 0.1$\mu\textrm{m}$ VLSI CMOS device Ultra Thin Gate Oxide Quality Using Novel STI Structure)
-
- 한국전기전자재료학회논문지
- /
- 제13권9호
- /
- pp.729-734
- /
- 2000