• 전기전자학회논문지
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• 제27권4호
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• pp.679-682
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• 2023

무선센서 네트워크에서 센서 노드간의 통신 연결 실패는 계속된 연결 시도를 유발하여 많은 전력 손실이 발생한다. 본 논문에서는 CH(Cluster Head) 노드와 통신되는 센서 노드 사이의 적정 거리를 제한하여, 2차원 평면상에 적정 크기의 클러스터 그룹이 형성되도록 하였다. 클러스터 크기의 균일화를 위해 최단 거리에 존재하는 센서 노드들이 서로 통신하여 멤버 노드를 구성하고 근접한 노드를 모아서 클러스터가 형성되도록 하였다. 제안한 클러스터 균일화 알고리즘을 기반으로 클러스터링을 위한 최단 거리 기반의 클러스터링 방식에 대한 클러스터 균일화 개선율을 시뮬레이션 결과로 나타내었다. 제안한 방식은 네트워크의 클러스터 균일성을 약 30% 향상시킬 수 있다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제12권4호
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• pp.156-159
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• 2011

SiNx:H films have been widely used for anti-reflection coatings and passivation for crystalline silicon solar cells. In this study, SiNx:H films were deposited using high frequency (13.56 MHz) direct plasma enhanced chemical vapor deposition, and the optical and passivation properties were investigated. The radio frequency power, the spacing between the showerhead and wafer, the $NH_3/SiH_4$ ratio, the total gas flow, and the $N_2$ gas flow were changed over certain ranges for the film deposition. The thickness uniformity, the refractive index, and the minority carrier lifetime were then measured in order to study the properties of the film. The optimal deposition conditions for application to crystalline Si solar cells are determined from the results of this study.

• 한국조명전기설비학회:학술대회논문집
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• 한국조명전기설비학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.173-177
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• 2007

This paper describes the simulations on the actual measurement analysis and lighting design for recreational sports facility. Based on illumination requirements, sports may be divided into multidirectional sports and unidirectional sports. Typical multidirectional aerial sports include Jokcu. These sports require well distributed horizontal illumination and uniformity according to aiming. Therefore, this paper estimates horizontal illuminance and uniformity ratio by actual measurement of sports lighting at recreational Jokcu court in Cheju National University and evaluation of sports lighting conditions for optimal design by computer simulation.

• 대한산업공학회지
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• 제29권2호
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• pp.179-189
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• 2003

Gate poly-silicon critical dimension is a prime characteristic of a metal-oxide-semiconductor field effect transistor. It is important to achieve the uniformity of gate poly-silicon critical dimension in order that a semiconductor device has acceptable electrical test characteristics as well as a semiconductor wafer fabrication process has a competitive net-die-per-wafer yield. However, on gate poly-silicon critical dimension, the complexity associated with a semiconductor wafer fabrication process entails hierarchical variance components according to run-to-run, wafer-to-wafer and even die-to-die production unit changes. Specifically, estimates of the hierarchical variance components are required not only for disclosing dominant sources of the variation but also for testing the wafer-level uniformity. In this paper, two experimental designs, a two-stage nested design and a randomized complete block design are considered in order to estimate the hierarchical variance components. Since gate poly-silicon critical dimensions are collected from fixed die positions within wafers, a factor representing die positions can be regarded as fixed in linear statistical models for the designs. In this context, the two-stage nested design also checks the wafer-level uniformity taking all sampled runs into account. In more detail, using variance estimates derived from randomized complete block designs, Duncan's multiple range test examines the wafer-level uniformity for each run. Consequently, a framework presented in this study could provide guidelines to practitioners on estimating the hierarchical variance components and testing the wafer-level uniformity in parallel for any characteristics concerned in semiconductor wafer fabrication processes. Statistical analysis is illustrated for an experimental dataset from a real pilot semiconductor wafer fabrication process.

• 대한전자공학회논문지SP
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• 제49권2호
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• pp.35-44
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• 2012

대부분의 최근 적외선 센서는 focal-plane array (FPA) 구조로 되어있다. 이러한 구조의 센서는 공간적 불균일 응답성을 갖는 것으로 알려져 있고, 이로 인해 고정패턴잡음을 발생시킴으로써 영상열화를 가져온다. 따라서 적외선 영상의 고정패턴잡음을 제거하기 위해서는 픽셀 불균일 보정을 해야 한다. 픽셀 불균일 보정기법은 참조물체기반 접근법과 영상기반 접근법으로 나눌 수 있다. 참조물체기반 접근법에서는 흑체와 같은 균일한 온도를 갖는 물체를 이용해서 고정패턴잡음을 분리시킬 수 있는 방법이다. 하지만 센서의 응답성은 시간이 지나면서 변할 수 있기 때문에, 최근에는 비디오 영상을 이용하는 영상기반 접근법이 많이 연구되고 있다. 영상기반 접근법들 중에서 칼만 필터를 기반으로 하는 최신 알고리듬은 영상 간에 움직임 보상 시에 한 방향 워핑을 이용하고 센서의 offset 불균일성만을 보상해준다. 하지만 한 방향 워핑을 이용한 시스템 모델은 영상의 경계 부근에서 고정패턴잡음을 효과적으로 제거하지 못한다. 게다가, offset만 보정하는 접근법은 gain의 불균일성의 영향을 많이 받는 영상에서는 성능이 악화될 수 있다. 그러므로 본 논문에서는 양방향 워핑을 이용하여 시스템 모델링을 하고, gain과 offset의 결합 보정을 수행하는 알고리듬을 제안한다. 모사 영상과 실제 영상에 대한 실험 결과들은 제안하는 알고리듬이 기존 알고리듬들보다 더 효과적으로 고정패턴잡음을 제거하는 것을 확인할 수 있다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 영호남 합동 학술대회 및 춘계학술대회 논문집 센서 박막 기술교육
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• pp.82-85
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• 2006

As a display becomes large recently, Acquisition of high luminance and Luminance uniformity is becoming difficult in the existing CCFL or EEFL backlight system. So, study for a performance enhancement has enforced. but lamp development of flat type is asked for high luminance and a luminance uniformity security in of LCD and area anger trend ultimately. In this paper, we changed a tip shape of an electrode for production by the most suitable LCD backlight surface light source, and confirmed discharge characteristic along discharge gas pressure and voltage, and confirmed electric field distribution and discharge energy characteristic through a Maxwell 2D simulation. Therefore the discharge firing voltage characteristic showed a low characteristic than a rectangular type and round type in case of electrode which used tip of a triangle type, and displayed a discharge electric current as a same voltage was low.

• 전자공학회논문지SC
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• 제44권3호
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• pp.29-33
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• 2007

균일한 빛 에너지에 대하여 영상센서의 모든 픽셀은 이상적으로는 균일하게 반응해야하지만 실제적으로는 그렇지 않다. 이러한 영상센서의 불균일 특성은 픽셀자체의 특성과 광학모듈 특성 등에 의하여 발생한다. 영상센서의 불균일 특성은 고정된 형태의 잡음으로 다양한 보정 알고리즘에 의해 보정될 수 있으며 보정능력에 따라 더욱 우수한 영상 품질을 기대할 수 있다. 보통, 영상센서의 불균일 보정은 적절한 알고리즘에 의해 보정계수를 구한 후 이를 적용하여 이루어진다. 본 논문에서는 모든 광량영역에서 좀 더 정확하고 신뢰성 있는 최적의 픽셀 불균일 보정계수 계산 알고리즘을 제안한다. 제안한 알고리즘은 불균일 특성을 향상시키기 위해 센서를 1차원으로 모델링하였으며 보정계수를 구하기 위해 여러 광량레벨에서 측정데이터를 얻고 최적의 해를 얻기 위해 최소자승법을 이용한다. 논문에서는 보정계수 획득을 위해 적분구, 프래임그래버를 탑재한 컴퓨터 및 제안한 알고리즘을 구현한 소프트웨어를 사용하였다. 또한 자체 구현한 카메라와 별도의 시험셋업을 이용하여 불균일 시험을 수행하여 제안한 알고리즘을 검증하였다. 제안한 알고리즘을 보정 전 결과 및 기존 방법의 결과와 비교하였으며, 비교 결과, 제안한 알고리즘이 모든 광량에서 가장 좋고 신뢰성 있는 결과를 보여주었다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2007년도 하계학술발표회 논문집
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• pp.285-286
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• 2007

Current distributions according to electrode patterns in vertical structured InGaN/GaN LED (light emitting diode) were investigated quantitatively by utilizing three dimensional electrical circuit modeling method. The uniformity of the injected current density in the active layer was compared among different electrode patterns. It was found that the current uniformity was greatly dependent on the electrode pattern in vertical InGaN/GaN LEDs.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2000년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
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• pp.568-569
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• 2000

By manufacturing 8" class $146{\times}96mm$ "flat fluorescent lamp" of new form that uses xenon gas, an electric optical characteristic has been analyzed. Lamp shows that the lamp surface brightness is 4900 cd/m2 and the birghtness uniformity degree is 90% under sine wave of 15khz and applied voltage of 1,000 Vrms.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권2호
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• pp.188-195
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• 1996

The AlSi etching process using the MERIE type reactor carried out with different process parameters such as C1$_{2}$ and N$_{2}$ gas flow rate, RF power and chamber pressure. The etching characteristics were evaluated in terms of etch rate, selectivity, uniformity and etched profile. As the N2 gas flow rate is increased, the AlSi etch rate is decreased and uniformity has remained constant within .+-.5%. The etch rate is increased and uniformity is decreased, according to increment of the C1$_{2}$ gas flow rate, RF power and chamber pressure. Selective etching of TEOS with respect to AlSi is decreased as the RF power is increased while it is increased by increment of the C1$_{2}$ gas flow rate and chamber pressure, on the other hand, selective etching of photoresist with respect to AlSi is increased by increment of the C1$_{2}$ gas flow rate and chamber pressure, it is decreased as the N$_{2}$ gas flow rate is increased.