• 전자공학회논문지 IE
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• 제43권4호
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• pp.83-92
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• 2006

EMC를 정량 Moulding 후 잔량 처리와 작동 시 역 차단 방식의 설계하여 기계적 동작에 의해 흡입이 일어나도록 하여 Needle Tip의 잔량과 사인 현상을 해결하였다. 본 논문에서는 Gun과 세척제 Tank를 직결하도록 설계하여 세척이 용이하며, 원하는 량을 미리 계량하여 정밀 정량을 고속으로 EMC를 Molding 할 수 있도록 개발하기 때문에 반도체 Packaging 공정에 필수적인 장비라고 사료된다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권5호
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• pp.353-357
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• 1998

Cracking problem of Epoxy Molding Compound(EMC) is critical for the reliability of the plastic package during temperature cycling and IR-reflow condition. Fracture toughness of EMC, which is defined as the resistance of EMC to the crack propagation, is a useful factor in ht estimation of EMC against package crack. Thus, development of EMC having high fracture toughness at a given loading condition would be important for confirming the integrity of package. In this study, toughness of several EMC was measured by varying the test conditions such as temperature, loading speeds, and weight percent of filler in order to quantify the variation of toughness of EMC under various applicable conditions. It was found from the experiments that toughness of all EMC has following trends, i.e., it rapidly decreases over the glass transition temperature, remains almost same or little decreases below $0^{\circ}C$. It decreases with the growth of cross head speed in EMC and the weight percent of filler as the degree of brittleness of EMC increases with the amount of filler content.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제29권4호
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• pp.83-87
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• 2022

최근 반도체 패키지 두께가 점점 얇아짐에 따라 휨(warpage) 문제가 대두되고 있다. 휨(warpage)은 패키지 구성요소들 간의 물성 차이로 인해 발생하기 때문에, 휨(warpage)을 예측하기 위해서는 주된 구성요소인 EMC(Epoxy molding compound)의 정확한 물성 파악이 필수적으로 요구된다. 특히 EMC는 경화 공정 중 경화 수축을 보이는데, 겔점 이후에 발생하는 유효 경화 수축은 휨(warpage) 발생의 핵심 요소이다. 본 연구에서는 유전 센서를 이용해 측정한 소실 계수로부터 실제 반도체 패키지 경화 공정 동안 발생하는 EMC의 겔점이 정의되었다. 유전 센서로부터 얻은 결과를 분석하기 위해 DSC(Differential scanning calorimetry) 시험과 rheometer 시험이 수행되었다. 그 결과, 유전 측정법이 EMC 경화상태 모니터링에 효과적인 방법임이 검증되었다. 유전 측정과 동시에 광섬유 센서를 이용해 EMC의 경화 공정 중 변형률 변화 추이가 함께 측정되었다. 위 결과들로부터 경화 공정 중 발생하는 EMC의 유효 경화 수축이 측정되었다.

• 한국공작기계학회:학술대회논문집
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• 한국공작기계학회 1995년도 추계학술대회 논문집
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• pp.64-67
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• 1995

Transfer Molding is currently the most widely used process for encapsulation integrated circuits(;IC). Although the process has been introduced over 20 years ago, generating billions of parts each year, it is far from being optimized. With each new mold, epoxy mold, epoxy mold compound, and lead-frame, lengthy period and expensive qualification runs have to be performed to minimized defects ranging from wire sweep, incomplete fill, and internal voids etc. This studies describes how simulation can be applied to transfer molding to yield acceptable design and processing parameter. The non-isothermal filling of non-newtonian reactive epoxy molding compound(;EMC) in a multi-cavity mold is analyzed. Sensitivity analysis is conducted to investigate the influence of process deviations on the final molded profile. This study trend is carried out by following some heuristic process guidelines.

• 대한화학회지
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• 제54권5호
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• pp.594-602
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• 2010

반도체의 경박단소화, 고밀도화에 따라 향후 반도체 패키지의 주 형태는 CSP(Chip Scale Package)가 될 것이다. 이러한 CSP에 사용되는 에폭시 수지 시스템의 흡습특성을 조사하기 위하여 에폭시 수지 및 충전재 변화에 따른 확산계수와 흡습율 변화를 조사하였다. 본 연구에 사용된 에폭시 수지로는 RE-304S, RE-310S, 및 HP-4032D를, 경화제로는 Kayahard MCD를, 경화촉매로는 2-methyl imidazole을 사용하였다. 충전재 크기 변화에 따른 에폭시 수지 성형물의 흡습특성을 조사하기 위하여 충전재로는 마이크로 크기 수준 및 나노 크기 수준의 구형 용융 실리카를 사용하였다. 이러한 에폭시 수지 성형물의 유리전이온도는 시차주사열량계를 이용하여 측정하였으며, 시간에 따른 흡습특성은 $85^{\circ}C$ and 85% 상대습도 조건하에서 항온항습기를 사용하여 측정하였다. 에폭시 수지 성형물의 확산계수는 Ficks의 법칙에 기초한 변형된 Crank 방정식을 사용하여 계산 하였다. 충전재를 사용하지 않은 에폭시 수지 시스템의 경우, 유리전이온도가 증가함에 따라 확산계수와 포화흡습율이 증가 하였으며 이는 유리전이온도 증가에 따른 에폭시 수지 성형물의 자유부피 증가로 설명하였다. 충전재를 사용한 경우, 충전재의 함량 증가에 따라 유리전이온도와 포화흡습율은 거의 변화가 없었으나, 확산계수는 충전재의 입자 크기에 따라 많은 변화를 보여주었다. 마이크로 크기 수준의 충전재를 사용한 경우 확산은 자유부피를 통하여 주로 이루어지나, 나노 크기 수준의 충전재를 사용한 에폭시 수지 성형물에서는 충전재의 표면적 증가에 따른, 수분 흡착의 상호작용을 통한 확산이 지배적으로 이루어진다고 판단된다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제7권3호
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• pp.37-44
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• 2000

Electrochemical impedance spectroscopy (EIS)를 이용하여 에폭시 수지 조성물이 코팅된 알루미늄 패드의 부식거동을 연구하였다. 에폭시 수지 조성물은 반도체 패키지 봉지용으로써 80 wt%의 충전재를 포함하고 있으며, $100^{\circ}C$의 끊는 가혹 조건에서 탈이온수 (deionized water)를 사용하여 에폭시 조성들에 침투시켰다. 흡습이 진행되면서 에폭시 조성물 및 알루미늄/에폭시 계면에서의 저항 감소와 커패시턴스 증가가 관찰되었으며 , 약 170 시간까지는 물분자와 유기물로부터 발생된 이온이 에폭시 조성물에 포화되고, 그 이후에는 계면에 침투하여 금속의 부식을 발생시키는 것을 알 수 있었다. 수분 흡습에 따른 에폭시 조성물/금속간의 접착강도 측정으로부터 계면에 물분자 및 이온이 포화됨에 따라 접착강도가 감소하는 것을 예상할 수 있었으며, 반도체 패키지용 에폭시 수지 조성물에 의한 알루미늄 전극의 부식을 방지하기 위해서는 충전재의 함량증가가 필수적이라는 것을 알 수 있었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제5권2호
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• pp.37-48
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• 1998

The popcorn cracking phenomena in plastic IC packages during reflow soldering are investigated by considering the heat transfer and moisture diffusion through the epoxy molding compound(EMC) along with the mechanics of interface delamination. Heat transfer and moisture diffusion through EMC under die pad are analyzed by finite difference method (FDM)during the pre-conditioning and subsequent reflow soldiering pro-cess and the amounts of moisture mass and vapor pressure at delaminated die pad/ EMC interface are calculated as a function of the reflow soldering time. The energy release rate stress intensity factor and phase angle were obtained under various loading conditions which are thermal crack face vapor pressure and mixed loadings. It was shown that thermal loading was the main driving force for the crack propagation for small crack lengths but vapor pressure loading played more significant role as crack grew.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제3권4호
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• pp.33-37
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• 2004

As the high speed and high integration of semiconductor devices and the generation of heat increases resulted in the effective heat dissipation influences on the performance and lifetime of semiconductor devices. The heat resistance or heat spread function of EMC(epoxy molding compound) which protects these devices became one of very important factors in the evaluation of semiconductor chips. Recently, silica, alumina, AlN(aluminum nitride) powders are widely used as the fillers of EMC. The filler loading in encapsulants was high up to about 80 vol%. A high loading of filler was improved low water absorption, low stress, high strength, better flowability and high thermal conductivity. In this study, the thermal properties were investigated through thermal, mechanical and microstructure. Thermophysical properties were investigated by laser flash and differential scanning calorimeter(DSC). For detailed inspection of materials, the samples were examined by SEM.

• 대한화학회지
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• 제40권1호
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• pp.81-86
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• 1996

반도체를 보호하기 위하여 사용하는 반도체 성형 재료로, 현재 주로 사용되고 있는 Epoxy Molding Compound(EMI)의 주성분인 올소 크레졸 노볼락 에폭시 수지의 특성과 성형 재료의 관계를 조사하기 위하여 올소 크레졸 노볼락 에폭시 수지의 분자량과 깊은 관련이 있는 수지의 연화점 변화에 따른 EMC의 물성변화를 살펴보았다. 사용된 epoxy 수지의 연화점은 각각 65.1$^{\circ}C$, 72.2$^{\circ}C$, 83.0$^{\circ}C$ 인 3종을 사용하였으며 연화점 변화에 따른 EMC의 물성변화를 살펴보기 위하여 기계적 물성으로 굴곡 강도와 굴곡탄성율을, 열적 특성 변화를 관찰하기 위하여 열팽창 계수와 열전도도 그리고 유리 전이온도를 각각 측정하였다. 그리고 성형 특성과의 관계를 살펴보기 위하여 스피랄 플로우(Spiral Flow)를 측정하였다, 연화점이 증가함에 따라 굴곡 탄성율과 유리상에서의 열팽창 계수(${\alpha}_1$), 그리고 열전도도는 거의 변화가 없었으나 유리전이온도는 연화점 증가에 따라 증가함을, 스피랄 플로우는 연화점 증가에 따라 감소함을 보여주었다. 이는 에폭시 수지의 분자량이 증가함에 따라 가교밀도가 증가하는 현상에 기인한다고 판단된다. 고무상에서의 여팽창 계수(${\alpha}_2$)와 굴곡강도의 경우는 전이점을 보여주고 있는데, 이는 수지점도 증가에 따른 충전제의 분산성에 기인한 것으로 판단된다.

• 접착 및 계면
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• 제11권4호
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• pp.168-173
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• 2010

할로겐 함유 난연 화합물은 인체에 무해하고 유해가스 발생이 없는 환경 친화적인 소재로 대체되어가고 있다. 반도체 소자의 밀봉용 소재로 사용되는 에폭시 수지 조성물도 친환경적인 소재로 만들기 위해서, 에폭시 수지의 자소화에 관해 많은 연구가 이루어지고 있다. 본 연구에서도 신규 에폭시 수지(E3)를 사용하여 할로겐계 화합물을 전혀 함유하지 않는 자소성 에폭시 수지 조성물을 제조하였다. 새로 만들어진 에폭시 수지 조성물(EMC-1)은 UL 난연 V0를 갖고 5 wt% 분해 온도가 $451.9^{\circ}C$로, 할로겐계 난연제나 삼산화안티몬 등을 첨가하지 않고도 난연성이 우수하고 열분해성, 내열성 등이 우수하게 나타나 친환경 소재로 적용할 수 있다.