• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2008년도 제39회 하계학술대회
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• pp.538-539
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• 2008

전력 산업은 대규모 투자가 필수적인 산업이라 자연 독점으로 남아 있게 되는 경우가 다반사이다. 그래서 사용 요금은 시장의 규칙에 의해서가 아니라 규제자에 의해 많은 부수적인 방법을 통해 회수하고 있다. 본 논문에서는 모선 간 전력량을 고려한 전력망 사용요금 산정법을 제안하고자 한다. Equivalent Bilateral Exchange(EBE)와 Relative Electrical Path Width(REPW)를 각각 정의한 후 EBE와 REPW를 이용하여 전력 이동량을 계산하고 모선 간 전력 이동량을 바탕으로 DC 조류 계산을 이용하여 전력망 사용량을 할당하는 방법을 제안하였다. 제안된 방법을 검증하기 위해 2기 4모선을 테스트 시스템으로 선정해 기존의 방법과 비교를 해 보았다.

• Structural Engineering and Mechanics
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• 제83권3호
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• pp.353-361
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• 2022

Linear Elastic Fracture Mechanics (LEFM) has been developed by applying stress analysis to determine the stress intensity factor (SIF, K). The finite element method (FEM) is widely used as a standard tool for evaluating the SIF for various crack configurations. The prediction accuracy can be achieved by applying an adaptive Delaunay triangulation combined with a FEM. The solution can be solved using either direct or iterative solvers. This work adopts the element-by-element preconditioned conjugate gradient (EBE-PCG) iterative solver into an adaptive FEM to solve the solution to heal problem size constraints that exist when direct solution techniques are applied. It can avoid the formation of a global stiffness matrix of a finite element model. Several numerical experiments reveal that the present method is simple, fast, and efficient compared to conventional sparse direct solvers. The optimum convergence criterion for two-dimensional LEFM analysis is studied. In this paper, four sample problems of a two-edge cracked plate, a center cracked plate, a single-edge cracked plate, and a compact tension specimen is used to evaluate the accuracy of the prediction of the SIF values. Finally, the efficiency of the present iterative solver is summarized by comparing the computational time for all cases.

• 한국진공학회지
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• 제4권S2호
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• pp.131-138
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• 1995

The broad beam ion sources of hot filament plasma type have widely used for modifications of materials and thin films, and the new type intensive current broad beam metal ion source including reactive gaseous ion beams is needed for preparing the hard coating films such as DLC, $\beta-C_3N_4$ Carbides, Nitrides, Borides etc. Now a electorn beam evaporation(EBE) broad beam metal ion source has been developed for this purpose in our lab. CN film has been formed by the EBE ion source. Study of the CN film shows that it has high hardness(HK=5800kgf/$\textrm {mm}^2$)and good adhesion. This method can widely changes the ratio of C/N atom's concentrations from 0.14 to 0.6 and has high coating rate. The low energy pocket ion source which was specially designed for surface texturing of medical silicon rubber was also developed. It has high efficiency and large uniform working zone. Both nature texturing and mesh masked texturing of silicon rubbers were performed. The biocompatibility was tested by culture of monocytes, and the results showed improved biocompatibility for the treated silicon rubbers. In addition, the TiB2 film synthesized by IBED is being studied recently in our lab. In this paper, the results which include the hardness, thickness of the films and the AES, XRD analysis as well as the tests of the oxidation of high temperature and erosion will be presented.

• 한국미생물·생명공학회지
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• 제30권3호
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• pp.253-257
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• 2002

쌀대신에 보리를 이용한 Monascus 고상배양의 기본적인 발효 특성을 연구함을 통하여, 대규모 고상배양 시스템을 통한 천연 적색색소의 생산 가능성을 검토하고자 하였다. 색소의 생산은 고상배양 3일후부터 6일까지 꾸준한 증가추세를 나타내었다. 종균의 접종량이 6∼8%사이일 경우에는 배양후 60시간만에 색소생산이 시작되었으며, 접종량이 5%이하일 경우에는 색소생산이 70시간 이후로 늦어지는 것으로 나타났다. 보리 배지를 30∼40분 동안 증자할 경우에는 색소 발현 시점이 45시간 내외로 단축되었으며, 증자시간이 20분 이하일 경우에는 배지의 불충분한 호화로 인하여 색소생산 시점이 길어졌다. 공기공급량이 0.6∼0.8 vvm사이에서 홍국균의 생장 및 색소의 생산이 활발히 일어났고, 고상배지의 초기 pH를 6으로 조절했을 때 균사성장과 색소발현 능력이 가장 우수하였다 한편 고상배양으로 7일동안 발효한 홍국보리를 사용하여 식중독미생물에 대한 항균여부를 확인한 결과, Escherichia coli, Salmonella 수Phimurium의 생장을 저해함을 확인하였다. 이상과 같이, 보리를 원료로 한 대규모 고상발효 시스템을 활용함으로써 Monascus sp. 유래의 천연색소 및 대사산물의 대량생산 가능성을 확인하였다.

• 한국진공학회지
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• 제1권1호
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• pp.126-133
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• 1992

E-Beam 기법을 이용하여 증착시킨 Ag doped CdS 박막은 육방정계이고 공기, Ar 분위기에서 $^550{\circ}C$로 열처리한 결과 grain size가 1$mu extrm{m}$ 정도로 성장되었고, Van Der Pauw 방법으로 구한 Hall data로부터 CdS crystal은 n형 반도체이고 상온에서의 carrier 농 도는 2.7 $\times$ 1011cm-3이고 Hall mobility는 5.8 $\times$ 102cm2V-1sec-1정도임을 알 수 있었다. CdS : Ag 박막의 PL spectra는 Gaussian curve를 보여주었고, spectra peak는 파장이 520nm 근처에 위치하고 있으며, CdS : Ag 박막에서의 광전류(pc)와 암전류(dc)의 ratio(pc/dc)는 공기 중에서 열처리한 시료의 값이 크다는 것을 알 수 있었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제5권1호
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• pp.78-86
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• 1995

유리기판 위에 electron beam으로 증착(EBE)된 CdTe film의 결정구조 및 전기 전도도와 광 전도도를 조사하였다. 그 구조는 거의 hexagonal phase 이었으며 Cubic phas가 약간 포함된 다결정이었다. 암 전기 전도도(dark electric conductivity)는 $1-^{-8} {\Omega}^{-1} cm^{-1}$정도이고 $300^{\circ}C$에서 1시간 동안 열처리하여 약간 증가되었다. 온도가 증가됨에 따른 전기 전도도로부터 계산된 활성화 에너지는 실온에서 증착된 film의 경우1.446 eV이었다. 흡수계수로부터 구한 광학적 band gap은 직접 천이(direct transition)인 경우 1.52 eV이었고 간접 천이(indirect transition)인 경우 1.44eV이었다. Film의 광전도도는 약$1-^{-8} {\Omega}^{-1} cm^{-1}$정도이고, 실온에서 대략 600 nm일때 가장 크다. 광전기 전도도는 850 nm에서 증가하기 시작하며 이는 CdTe 다결정의 활성화 에너지 (activation energy)인 1.446 eV와 근사하다.

• 한국표면공학회지
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• 제31권6호
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• pp.389-392
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• 1998

We have investigated the crystal properties of the Cd0.96Zn0.04Te(CZT) films evaporated on the Si(100) substrates by Elecctron Beam Evaporator(EBE) techique. The compositions of the As-preared films were different about 4% of atomic ratio, The films stucture was observad to be polycrystalline in cubic phase. Diffraction peaks were notable at the substrate temperature of $300^{\circ}C$. The reflectance measurements yield $E_1$=3.25~3.29 eV $E_1$+${\Delta}_1$=3.76~3.83 eV and $E_2$=5.08 eV,showing that the films wear in cubic phase. For the film evaporated at the substrate temperature of $150^{\circ}C$, the peaks of photocurrent are at 720nm and 980nm.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1998년도 추계학술대회 논문집
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• pp.331-334
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• 1998

Crystal structure and surface morphology of Se thin film fabricated by EBE method had been studied. Se thin film was deposited with amorphous structure until substrate temperature of l00$^{\circ}C$. But Se thin film was grown with monoclinic structure at substrate temperature af over 150$^{\circ}C$, and its lattice constant of a, b and c was 12.76${\AA}$, 9.15${\AA}$ and 10.41${\AA}$ respectively. Also, after heat-treatment at 150。 for 15 min with substrate temperature of l00。, amorphous Se was proved to be hexagonal structure, and its lattice constant of a and c was 4.27${\AA}$ and 4.83${\AA}$ respectively.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1996년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.1.1-5
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• 1996

Structural characteristics in Se thin film fabricated by EBE method had been studied. Se thin film was deposited with noncrystalline until substrate temperature of 100$^{\circ}C$. But Se film was grown with monoclinic at substrate temperature of over 150$^{\circ}C$. Lattice constants of it were as follow: a=12.76[${\AA}$], b=9.15[${\AA}$], c=10.4[${\AA}$]. Finally, after heat-treatment at 150$^{\circ}C$ for 15 min with substrate temperature of 100$^{\circ}C$, noncrystalline Se was proved to be hexagonal. Lattice constants of it were as follow: a=4.27[${\AA}$], c=4.83[${\AA}$].

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제7권1호
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• pp.49-56
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• 1994

Polycrystalline CdS thin films were deposited by using EBE method and its crystal structure, surface morphology, electrical and optical properties as a function of annealing temperature were investigated. It was found that optimum growth conditions were substrate temperature annealing temperature 300[.deg. C]. The films were hexagonal structure preferred(002) plane and maximum grain size was 421[.angs.]. As the results, resistivity and optical transmittance of CdS thin films were $8.3{\times}{10^3}$[.ohm.cm] and 89[%] respectively.