• Clinical and Experimental Pediatrics
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• 제51권8호
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• pp.834-841
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• 2008

목 적 : 급성 바이러스성 하기도 감염의 원인으로 알려진 바이러스의 임상 양상 및 역학 을 연구하고자 하였으며, 특히 새롭게 밝혀진 hRV, HCoV-229E/NL63, HCoV-OC43, hMPV를 중심으로 하였다. 방 법 : 2005년 12월부터 2006년 11월까지 순천향대학교 천안병원 소아과에 하기도 감염으로 입원한 환아들 중 863명을 대상으로 환아들의 비인두 흡인물에서 multiplex RT-PCR 법을 이용하여 총 12개의 바이러스를 검출하였다. 결 과 : 총 12개의 호흡기 바이러스에 대하여 검사를 하였을 때 863명 중 474명(54.9%)에서 바이러스 양성이 나타났다. hMPV이 6.8%, HCoV-229E/NL63 1.4%, HCoV-OC43 2.1%, hRV 9%로 검출되었고, 혼합감염은 22.8%였다. 급성 바이러스성 하기도 감염은 1세 미만에서 가장 흔하게 나타났다. 임상진단은 폐렴이 59.5%로 가장 많았고, 세기관지염이 24.7%, 기관기관지염이 11.4%, 크룹이 4% 순이었다. 세기관지염의 가장 흔한 원인 바이러스는 RSV B이고, 반면에 hMPV, hRV, HCoV-229E/NL63은 폐렴의 주요 원인 바이러스로 나타났다. 바이러스별 유행 양상은 hMPV는 3월부터 5월까지 유행하였고, HCoV-OC43은 11월부터 2월까지 유행하였다. 반면에 HCoV-OC43, HCoV-229E/NL63과 hRV는 연중 고른 분포를 보였다. 결 론 : 본 연구는 비록 연구 기간이 1년으로 짧았지만, 다른 나라의 경우와 비교해 hMPV가 겨울엔 검출되지 않고 3월에서 4월까지 주로 검출된다는 점과 HCoV가 우리나라에서는 별로 검출되지 않아 하기도 감염에서는 그 비중이 매우 미미하다는 점을 알 수 있었다.

• Journal of applied mathematics & informatics
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• 제42권2호
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• pp.367-377
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• 2024

Let G = (V, E) be a graph with p-vertices and q-edges and let R^◦ be a finite zero ring of order n. An injective function f : V (G) → {r₁, r₂, _…, r_k}, where r_i ∈ R^◦ is called vertex pair sum k-zero ring labeling, if it is possible to label the vertices x ∈ V with distinct labels from R^◦ such that each edge e = uv is labeled with f(e = uv) = [f(u) + f(v)] (mod n) and the edge labels are distinct. A graph admits such labeling is called vertex pair sum k-zero ring graph. The minimum value of positive integer k for a graph G which admits a vertex pair sum k-zero ring labeling is called the vertex pair sum k-zero ring index denoted by 𝜓_pz(G). In this paper, we defined the vertex pair sum k-zero ring labeling and applied to some graphs.

• 한국안광학회지
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• 제1권2호
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• pp.37-42
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• 1996

$Bi_{12}(Si,Ge)O_{20}$ 단결정의 전기 및 광학적 특성을 규명하기 위하여 Czochralski법으로 단결정을 성장시켜, 직류전기전도도와 교류전기전도도 그리고 광투과도를 측정하였다. 직류전기전도도에 대한 활성화 에너지 $E_g$는 1.12 eV 이고, 광학적 갭 $E_{opt}$는 2.3 eV였다. $Bi_{12}(Si,Ge)O_{20}$ 단결정의 교류전기전도도는 측정온도 범위는 290 K에서 570 K까지 였으며 측정주파수는 50 kHz에서 30 MHz 까지 였다. 교류전기전도도는 ${\omega}^s$에 비례하는 hopping 전도 가구를 나타내었으며, 고주파수영역에서 지수값은 s=2로 구해졌다. 유전상수는 $Bi_{12}(Si,Ge)O_{20}$ 단결정의 경우 54이고 $Bi_{12}(Si,Ge)O_{20}$ 단결정의 경우 41정도의 크기를 보였다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제13권4호
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• pp.192-195
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• 2012

We reported diborane ($B_2H_6$) doped wide bandgap hydrogenated amorphous silicon oxide (p-type a-SiOx:H) films prepared by using silane ($SiH_4$) hydrogen ($H_2$) and nitrous oxide ($N_2O$) in a radio frequency (RF) plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) system. We improved the $E_{opt}$ and conductivity of p-type a-SiOx:H films with various $N_2O$ and $B_2H_6$ ratios and applied those films in regards to the a-Si thin film solar cells. For the single layer p-type a-SiOx:H films, we achieved an optical band gap energy ($E_{opt}$) of 1.91 and 1.99 eV, electrical conductivity of approximately $10^{-7}$ S/cm and activation energy ($E_a$) of 0.57 to 0.52 eV with various $N_2O$ and $B_2H_6$ ratios. We applied those films for the a-Si thin film solar cell and the current-voltage characteristics are as given as: $V_{oc}$ = 853 and 842 mV, $J_{sc}$ = 13.87 and 15.13 $mA/cm^2$. FF = 0.645 and 0.656 and ${\eta}$ = 7.54 and 8.36% with $B_2H_6$ ratios of 0.5 and 1% respectively.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1992년도 하계학술대회 논문집 B
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• pp.813-815
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• 1992

Accurate Capacitance-Voltage characteristics of Metal-Insulator-Semiconductor (MIS) devices in narrow band-gap semiconductors are presented. The unique band structure of narrow band-gap semiconductors is taken into account such as non-parabolicity and degeneracy. Compensated and partially ionized impurities either in the bulk or the space charge region are also considered. HgCdTe is a defect semiconductor, so this approach is very important for characterization and analysis of MIS devices.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.470-470
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• 2012

Organic thin film transistors (OTFTs) backplane constitute the active elements in new generations of plastic electronic devices for flexible display. The overall OTFTs performance is largely depended on the properties and quality of each layers of device material. In solution based process of organic semiconductors (OSCs), the interface state is most impediments to preferable performance. Generally, a threshold voltage (Vth) shift is usually exhibited when organic gate insulators (OGIs) are exposed in an ambient air condition. This phenomenon was caused by the absorbed polar components (i.e. oxygen and moisture) on the interface between OGIs and Soluble OSCs during the jetting process. For eliminating the polar component at the interface of OGI, the role of high vacuum seasoning on an OGI for all solution processable OTFTs were studied. Poly 4-vinly phenols (PVPs) were the material chosen as the organic gate dielectric, with a weakness in ambient air. The high vacuum seasoning of PVP's surface showed improved performance from non-seasoning TFT; a $V_{th}$, a ${\mu}_{fe}$ and a interface charge trap density from -8V, $0.018cm^2V^{-1}s^{-1}$, $1.12{\times}10^{-12}(cm^2eV)^{-1}$ to -4.02 V, $0.021cm^2V^{-1}s^{-1}$, $6.62{\times}10^{-11}(cm^2eV)^{-1}$. These results of OTFT device show that polar components were well eliminated by the high vacuum seasoning processes.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제25권12호
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• pp.961-968
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• 2012

In this study, we have investigated the effects of Mn and Co co-doping on defects, J-E curves and grain boundary characteristics of ZnO-$Bi_2O_3$ (ZB) varistor. Admittance spectra and dielectric functions show two bulk defects of $Zn_i^{{\cdot}{\cdot}}$ (0.17~0.18 eV) and $V_o^{\cdot}$ (0.30~0.33 eV). From J-E characteristics the nonlinear coefficient (${\alpha}$) and resistivity (${\rho}_{gb}$) of pre-breakdown region decreased as 30 to 24 and 5.1 to 0.08 $G{\Omega}cm$ with sintering temperature, respectively. The double Schottky barrier of grain boundaries in ZB(MCo) ($ZnO-Bi_2O_3-Mn_3O_4-Co_3O_4$) could be electrochemically single type. However, its thermal stability was slightly disturbed by ambient oxygen because the apparent activation energy of grain boundaries was changed from 0.64 eV at lower temperature to 1.06 eV at higher temperature. It was revealed that a co-doping of Mn and Co in ZB reduced the heterogeneity of the barrier in grain boundaries and stabilized the barrier against an ambient temperature (${\alpha}$-factor= 0.136).

• Natural Product Sciences
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• 제4권1호
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• pp.15-22
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• 1998

'Banafsha' is an important herbal drug of indigenous systems of medicine. Flowers of Viola odornta L. (Violaceae) are considered to constitute the genuine drug 'Banafsha'. However, due to limited distribution of this plant, another species of Viola, i.e. V. pilosa having almost similar medicinal properties, is mostly used under this vernacular instead. Ethnobotanically also different species of Viola i.e. V. odorata, V. pilosa and V. betonicifolia are used for various ailments at different places in our country. In the present study two species of Viola, namely V. pilosa and V. betonictfolia along with the commercial samples of 'Banafsha' were studied and authenticated. It was observed that the market samples procured from Dehradun, Mumbai, Lucknow, Palampur, Ramnagar and Ranikhet showed close resemblance with Viola pilosa in having similar morphological characters like uniseriate hairs on the ovary, geniculate and clavate style, truncate stigma and almost similar TLC profiles. On the other hand the Almora sample was identified as Viola betonicifolia by the presence of large purple flowers, clavate style and convex stigma forming hump like structure. However, the market sample procured from Pathankot was found to be a mixture of two species of Viola namely, V pilosa and V. odorata having dominance of the former species.

• Pediatric Infection and Vaccine
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• 제28권2호
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• pp.101-109
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• 2021

목적: 사람 코로나바이러스(human coronavirus [HCoV]) 감염은 보통 경미한 임상 양상을 보이는 경우가 많으므로, HCoV에 대한 연구가 다른 호흡기 바이러스들에 비해 상대적으로 잘 이루어지지 않고 있다. 본 연구는 국내 소아청소년에서의 HCoV 역학 및 임상적 특성을 기술하고자 하였다. 방법: 2015년 1월부터 2019년 12월까지 서울대학교 어린이병원에서 수집한 호흡기 검체의 호흡기바이러스 검사 결과를 분석하였다. 다중 reverse transcription polymerase chain reaction을 이용하여 바이러스를 검출하여 역학을 조사하였고, 이전 건강했던 어린이에게서 HCoV가 검출된 경우에 한하여 임상 진단을 분석하였다. 결과: 총 9,589 개 검체 중 5,017개(52.3%)에서 1개 이상의 호흡기바이러스가 검출되었고 463개(4.8%)가 HCoV 양성이었다(OC43 2.8%, NL63 1.4%, 229E 0.7%). 3가지 유형 모두 겨울철(11월-2월)에 유행하였으며 유형별로 역학적 차이를 보였다. HCoV-OC43이 가장 흔하였으며 매년 겨울에 유행하였다. HCoV-NL63은 1월-3월과 11월-2월 사이에 유행하였다. 한편, HCoV-229E는 2015/2016 및 2017/2018 겨울에 격년으로 유행하였다. 연령군을 0-1세, 2-4세, 5-19세로 분류하였을 때, HCoV 감염의 빈도는 2-4세에서 가장 높았고, 5-19세에서 가장 낮았다. HCoV 양성 검체의 40.8%에서 다른 호흡기바이러스가 함께 검출되었다. 리노바이러스 및 호흡기세포융합바이러스의 동시검출률이 각각 13.2%, 13.0%로 높았고, 인플루엔자 바이러스는 4.3%로 낮았다. 이전에 건강했던 135 명의 어린이에게서 가장 흔한 임상 진단은 상기도감염(60.0%)이었고, 폐렴(14.8%), 크루프(8.1%), 세기관지염(6.7%) 순이었다. 크루프는 NL63 양성인 어린이의 임상 진단 중 17.0%를 차지했다. 결론: 본 연구는 소아청소년에서의 HCoV (OC43, NL63, 229E) 감염의 역학적, 임상적 특성을 기술하였다. 소아청소년에서의 HCoV 감염에 대한 지속적인 감시가 필요하며, 추가적으로 HCoV-HKU1을 진단 패널에 포함한다면 HCoV 감염의 임상역학적 특징을 파악하는 데 더 도움이 될 것이다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집 Vol.17
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• pp.226-229
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• 2004

A stoichiometric mixture of evaporating materials for $CuAlSe_2$ single crystal thin films was prepared from horizontal electric furnace. To obtain the single crystal thin films, $CuAlSe_2$ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the hot wall epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperatures were $680^{\circ}C$ and $410^{\circ}C$, respectively. The crystalline structure of the single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD). The carrier density and mobility of $CuAlSe_2$ single crystal thin films measured with Hall effect by van der Pauw method are $9.24{\times}10^{16}\;cm^{-3}$ and $295\;cm^2/V{\cdot}s$ at 293 K, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the $CuAlSe_2$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_g(T)\;=\;2.8382\;eV\;-\;(8.68{\times}10^{-4}\;eV/K)T^2/(T+155K)$. The crystal field and the spin-orbit splitting energies for the valence band of the $CuAlSe_2$ have been estimated to be 0.2026 eV and 0.2165 eV at 10K, respectively, by means of the photocurrent spectra and the Hopfield quasicubic model. These results indicate that the splitting of the ${\Delta}so$ definitely exists in the ${\Gamma}_5$ states of the valence band of the $CuAlSe_2$. The three photocurrent peaks observed at 10K are ascribed to the $A_1-$, $B_1-$, and $C_1$-exciton peaks for n = 1.