• 한국진공학회지
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• 제11권1호
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• pp.68-75
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• 2002

본 연구에서는 운전압력을 1 mTorr~760 Torr까지 변화시키며 발생되는 마이크로파 공기 플라즈마의 특성을 관찰하였다. 마이크로파 공기 플라즈마 발생을 위하여 마이크로파의 전송선로인 도파관은 $TE_{01}$ mode로 설계 및 제작하였으며, 가정용 전자렌지에 사용되는 마그네트론을 이용하여 AC-type microwave source를 제작하였다. 입력 전력은 370 W로 일정하게 유지하였으며, 이때 발생하는 플라즈마의 특성 관찰은 고속주사 정전탐침과 OES (Optical Emission Spectroscopy)를 이용하였다. 최소 절연파괴 전기장의 세기(breakdown E-field)를 가지는 압력인 500 mTorr를 기준으로 발생 플라즈마의 특성은 많은 변화를 보였으며 이 압력은 입력주파수($\omega$)와 충돌주파수($V_c$)가 일치하는 조건이었다. 이때 공기의 유효충돌 단면적은 $9.23\times10^{-l6}\textrm{cm}^2$으로 계산되었다. 운전압력 500 mTorr 이하의 영역에서 절연파괴 전기장의 세기는 약 $5.7\times10^4$V/m-Torr의 값을 갖으며 압력에 반비례하여 감소하였고, 500 mTorr에서 전기장은 12.5 kV/m로 최저 값을 갖고, 500 mTorr 이상의 영역에서는 약 43 V/m-Torr로 압력에 비례하여 증가하였다. OES 측정결과 마이크로파 공기 플라즈마에서 발생되는 주요 이온의 성분은 산소, 아르곤, 질소였으며, 특히 500 mTorr 이하의 영역에서는 산소와 아르곤 이온의 발생이 지배적이었다. 공기내의 산소(O(II))의 이온온도는 압력이 증가함에 따라 약 1.2 eV에서 0.5 eV로 감소하는 경향을 보였다. 정전 탐침 측정 결과는 500 mTorr 이하의 영역에서 플라즈마 밀도가 증가하는 경향을 보였으며 500 mTorr 이상의 영역에서 플라즈마 밀도는 비교적 낮았다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.84-85
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• 2009

The single crystals of p-$CdIn_2Te_4$ were grown by the Bridgman method without the seed crystal. From photocurrent measurements, it was found that three peaks, A, B, and C, correspond to the intrinsic transition from the valence band states of $\Gamma_7(A)$, $\Gamma_6(B)$, and $\Gamma_7(C)$ to the conduction band state of $\Gamma_6$, respectively. The crystal field splitting and the spin orbit splitting were found to be 0.2360 and 0.1119 eV, respectively, from the photocurrent spectroscopy. The temperature dependence of the $CdIn_2Te_4$ band gap energy was given by the equation of $E_g(T)=E_g(0)$ - $(9.43\times10^{-3})T^2$/(2676+T). $E_g(0)$ was estimated to be 1.4750, 1.7110, and 1.8229 eV at the valence band states of A, B, and C, respectively. The band gap energy of $p-CdIn_2Te_4$ at room temperature was determined to be 1.2023 eV.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.376-376
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• 2010

The single crystals of p-$CdIn_2Te_4$ were grown by the Bridgman method without the seed crystal. From photocurrent measurements, it was found that three peaks, A, B, and C, correspond to the intrinsic transition from the valence band states of $\Gamma_7$(A), $\Gamma_6$(B), and $\Gamma_7$(C) to the conduction band state of $\Gamma_6$, respectively. The crystal field splitting and the spin orbit splitting were found to be 0.2360 and 0.1119 eV, respectively, from the photocurrent spectroscopy. The temperature dependence of the $CdIn_2Te_4$ band gap energy was given by the equation of $E_g(T)=E_g(0)-(9.43{\times}10^{-3})T^2/(2676+T)$. $E_g$(0) was estimated to be 1.4750, 1.7110, and 1.8229 eV at the valence band states of A, B, and C, respectively. The band gap energy of p-$CdIn_2Te_4$ at room temperature was determined to be 1.2023 eV.

• 대한화학회지
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• 제55권2호
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• pp.177-182
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• 2011

이케토형 리간드는 thiophene-2-aldehyde와 acetylacetone의 Knoevenagel 축합반응을 통해 합성하였으며, 이를 이용하여 Cu(II), Ni(II) 및Co(II) 염화물의 착물을 합성하였다. 모든 착물의 특성은 다양한 물리-화학적 방법으로 규명하였다. 몰전기전도도 결과로부터 이들 착물이 이온성을 가짐을 알았다. 전자 및 EPR 스펙트럼을 통해 구리(II) 이온이 사각평면 기하구조를 가짐을 알았다. 구리(II) 착물과 CTDNA(송아지 thymus DNA)의 상호작용을 흡수 스펙트럼과 순환 전압전류법으로 연구하였다. $k_{obs}$ 대 [DNA]의 도시는 선형을 보였는데, 이는 유사-1차반응을 의미한다. 순환 전압전류 그림으로부터 구리(II) 착물이 각각 -0.240 V와 -0.194 V의 $E_{1/2}$ 값을 갖는 일전자 Cu(II)/Cu(I) 산화-환원 쌍에 대해 준가역적임을 알았다. CTDNA를 첨가한 경우, $E_{1/2}$값이 각각168 mV와 18 mV 이동하였고 Ep 값도 감소하였다. CTDNA의 존재 하에 $E_{1/2}$이 이처럼 이동하는 것은 구리(II) 착물이 CTDNA에 강하게 결합됨을 의미한다.

• 한국방사선학회논문지
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• 제10권5호
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• pp.337-341
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• 2016

중성자에너지 영역 0.003 eV에서 10 eV에 대해 천연 Sm의 Sm(n,${\gamma}$) 반응에 대한 중성자 포획단면적을 측정하였다. 교토대학교 원자로실험소의 46-MeV 전자선형가속기에서 발생되는 전자의 광핵반응에 의한 중성자를 사용하였고 TOF 방법으로 측정하였다. 사용한 검출기는 12개의 BGO($Bi_4Ge_3O_{12}$) 섬광체로 구성되었고 이 검출장치로 Sm(n,${\gamma}$) 반응으로부터 나오는 즉발감마선을 측정하였다. 검출장치는 중성자 생성 위치로부터 $12.7{\pm}0.02m$ 위치에 설치되었으며 $^{10}B(n,{\alpha}{\gamma})^7Li$ 반응을 이용해 Sm 시료에 입사되는 중성자 선속을 구하였다. 또한 중성자 선속의 변화를 확인하기 위해 $BF_3$ 검출기로 모니터링 하였다. Sm(n,${\gamma}$) 반응단면적 측정결과는 BROND 2.2에 의한 평가결과와 J. C. Chou 및 V. N. Kononov 의 측정값과 비교하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제27권10호
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• pp.618-622
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• 2014

The temperature dependent characteristics on the properties of SiC Schottky Diode has been investigated. In this study, the temperature dependent current-voltage characteristics of the SiC Schottky diode were measured in the range of 300 ~ 500 K. Divided into pre- and post- irradiated device was measured. The barrier height after irradiation device at 500 K increased 0.15 eV compared to 300 K, the barrier height of pre- neutron irradiated Schottky diode increased 0.07 eV. The effective barrier height after irradiation increased from 0.89 eV to 1.05 eV. And ideality factor of neutron irradiated Schottky diode at 500 K decreased 0.428 compared to 300 K, the ideality factor of pre- neutron irradiated Schottky diode decreased 0.354. Also, a slight positive shift in threshold voltage from 0.53 to 0.68 V. we analyzed the effective barrier height and ideality factor of SiC Schottky diode as function of temperature.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제16권2호
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• pp.101-104
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• 1995

In an attempt to understand the nature of hyperthermal ion-surface collisions, noble gas ion beams (He+, Ne+, Ar+, and Xe+) are scattered from a Si(100) surface for collision energies of 20-300 eV and for 45°incidence angle. The scattered ions are mass-analyzed using a quadrupole mass spectrometer and their kinetic energy is measured in a time-of-flight mode. The scattering event for He+ and Ne+ can be approximated as a sequence of quasi-binary collisions with individual Si atoms for high collision energies (Ei > 100 eV), but it becomes of a many-body nature for lower energies, Ar+ and Xe+ ions undergo mutliple large impact parameter collisions with the surface atoms. The effective mass of a surface that these heavy ions experience during the collision increases drastically for low beam energies.

• 한국진공학회지
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• 제12권2호
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• pp.123-129
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• 2003

다공질 실리콘(PS)기판 위에 rf-스퍼터링법으로 10~40 nm의 두께의 반 투과성 구리박막을 증착하였다. PS는 p형 (100) 실리콘 웨이퍼를 기판으로 50㎃/$\textrm{cm}^2$의 전류밀도를 사용하여 전해 에칭법으로 양극 산화하여 제작하였다. PS층과 Cu박막의 미세구조를 분석하기 위하여 SEM, AFM 그리고 XRD 분석을 시행하였다. AFM 분석결과 Cu 박막의 RMS roughness 값은 약 1.47nm로 Volmer-Weber 유형의 결정립 성장을 보였으며, 결정립의 성장은 (111) 배향성을 나타냈다. PS층의 PL 스펙트럼은 blue green 영역에서 관찰되었고, Cu 박막 증착 후 0.05eV의 blue shift가 나타났으며, 약간의 강도저하를 보였다. PS/Cu접합구조의 FTIR스펙트럼은 주 피크변화는 없으나 전반적인 강도의 감소를 보였다. I-V 특성곡선으로 본 PS/Cu 접합구조는 ideality factor가 2.77이고 barrier의 높이가 0.678eV인 Schottky 유형의 다이오드 특성을 보였다. PS/Cu 접합구조로 만든 다이오드 제조로 EL특성을 관찰할 수 있었다.

• 공업화학
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• 제10권3호
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• pp.354-361
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• 1999

티타늄을 물리증착시킨 후 열처리한 막과 플라즈마에 의해 무정형 실리콘을 증착시킨 후 열처리한 막은 양질의 결정성을 갖는 Si가 풍부한 티타늄 실리사이드가 형성되고, 열처리 과정에서 에피택시 성장을 위한 격자들의 회전에 의해 다양한 형태의 격자구조를 갖는다. 티타늄 실리사이드 막의 band gap은 플라즈마에 의해 a-Si:H막을 증착시킨 후 열처리한 막이 수소의 탈착에 의해 제공된 dangling bond, a-Si 등의 영향을 받아 1.14~1.165 eV의 값을 가진다. 물리증착하여 열처리한 막의 Urbach tail인 $E_0$는 0.045~0.05 eV 범위로 거의 일정하고, 플라즈마에 의해 a-Si:H 막을 증착시킨 후 열처리한 막의 결함수는 Ti/Si를 열처리했을 때 얻어진 결함수보다 약 2~3 배 정도 많은 것으로 나타났다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제32권3호
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• pp.988-992
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• 2011

$CO_2$ adsorption on mineral sorbents has a potential to sequester $CO_2$. This study used a density functional theory (DFT) study of $CO_2$ adsorption on barium oxide (BaO) in the presence of $H_2O$ to determine the role of $H_2O$ on the $CO_2$ adsorption properties on the ($2{\times}2$; $11.05\;{\AA}{\times}11.05\;{\AA}$) BaO (100) surface because BaO shows a high reactivity for $CO_2$ adsorption and the gas mixture of power plants generally contains $CO_2$ and $H_2O$. We investigated the adsorption properties (e.g., adsorption energies and geometries) of a single $CO_2$ molecule, a single $H_2O$ molecule on the surface to achieve molecular structures and molecular reaction mechanisms. In order to evaluate the coordinative effect of $H_2O$ molecules, this study also carried out the adsorption of a pair of $H_2O$ molecules, which was strongly bounded to neighboring (-1.91 eV) oxygen sites and distant sites (-1.86 eV), and two molecules ($CO_2$ and $H_2O$), which were also firmly bounded to neighboring sites (-2.32 eV) and distant sites (-2.23 eV). The quantum mechanical calculations show that $H_2O$ molecule does not influence on the chemisorption of $CO_2$ on the BaO surface, producing a stable carbonate due to the strong interaction between the $CO_2$ molecule and the BaO surface, resulting from the high charge transfer (-0.76 e).