• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2000년도 학술대회 논문집 전문대학교육위원
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• pp.56-59
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• 2000

$CdGaInS_4$ and $CdGaInS_4:Er^{3+}$ single crystals crystallized in the rhombohedral(hexagonal) structure. with lattice constants $a=3.913{\AA},\;c=37.245{\AA}$ for $CdGaInS_4$, and $a=3.899{\AA}$ and $c=36.970{\AA}$ for $CdGaInS_4:Er^{3+}$. The optical absorption measured near the fundamental band edge showed that the optical energy band structure of these compounds had a direct and indirect band gap. the direct and indirect energy gaps are found to be 2.771 and 2.503 eV for $CdGaInS_4$, and 2.665 and 2.479 eV for $CdGaInS_4:Er^{3+}$ at 10 K. The temperature dependence of the optical energy gap was well represented by the Varshni equation. In $CdGaInS_4$, the values of ${\alpha},\;{\beta}$ of the direct and the indirect energy gap were found to be $7.57{\times}10^{-4}eV/K$. $6.53{\times}10^{-4}eV/K$ and 240K. 197K. and the values of ${\alpha}$ and ${\beta}$ of the direct and the indirect energy gap in the $CdGaInS_4:Er^{3+}$ were given by $8.28{\times}10^{-4}eV/K,\;2.08{\times}10^{-4}eV/K$ and 425 K, 283 K, respectively.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2003년도 춘계종합학술대회
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• pp.226-230
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• 2003

V5.2는 ETSI/ITU-T표준으로써 로컬 교환기와 가입자망간의 개방형(Open) 인터페이스(SNI=Service Node Interface) 통합 액세스 네트웍 구조를 제공하는 프로토콜로 2Mbps 이하의 교환/전용회선 서비스를 제공한다. 본 논문에서는 차세대 통신망에 필수적인 V5.2 인터페이스 시스템이 U에 시설되면서 V5.2 프로토콜의 성능이 기존의 로컬 교환기에서 제공되는 서비스를 모두 가능한지 검증하였다. V5.2 프로토콜 검증을 위하여 ETSI에서 발표한 권고 안을 기준으로 실험하였다. V5.2 표준 권고 안에서는 V5.2 프로토콜 Start-up과 각 서브 프로토콜 속성별로 구분하여 검증할 수 있는 세부 실험 절차가 제시되어 있다. 실험에서 V5.2 프로토콜 스택은 TDX-100교환기에 적합하도록 구성되었으며 여러가지 측면에서 시스템 구조의 안정성을 검증하고 실험이 진행되면서 발생한 문제점 및 대책을 기술하였다.

• 한국콘텐츠학회논문지
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• 제5권5호
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• pp.133-139
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• 2005

교토대학 원자로실험소의 46-MeV 전자선형가속구를 이용하여 $^{99}Tc$의 중성자포획단면적을 중성자에너지 0.007 eV에서 47 keV에 걸쳐 중성자 비행시간법을 이용하여 측정을 하였다. 이 중성자포획 결과는 $^{10}B(n,\gamma)$반응의 중성자 반응 단면적에 상대적으로 얻어졌다. 얻어진 결과를 확인하기 위해서 교토대학 원자로실험소의 납감속장치를 이용한 결과를 확인하였다. TOF방법으로 얻어진 결과는 0.0253 eV에서의 결과(20.01 b)에 규격화되었다. 기존의 실험결과들과 평가결과들인 ENDF/B-VI, JENDL-3.2, and JEF-2.2은 본 연구에서 TOF와 납감속장치로 얻어진 결과들과 비교 및 검토하였다.

• 대한수학회보
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• 제45권1호
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• pp.11-21
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• 2008

A graph G = (V, E) is called super edge-magic if there exists a one-to-one map $\lambda$ from V $\cup$ E onto {1,2,3,...,|V|+|E|} such that $\lambda$(V)={1,2,...,|V|} and $\lambda(x)+\lambda(xy)+\lambda(y)$ is constant for every edge xy. In this paper, we investigate whether some families of graphs are super edge-magic or not.

• Journal of Microbiology
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• 제44권5호
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• pp.537-547
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• 2006

This study was designed to determine whether or not Vibrio vulnificus metalloprotease VvpE can promote iron uptake via the proteolytic cleavage of human hemoglobin. We found that V. vulnificus utilized hemoglobin as an iron source more efficiently via the vulnibactin-mediated iron-uptake system than via the HupA-mediated iron-uptake system and, of the proteases produced by V. vulnificus, VvpE was found to be the only protease capable of destroying hemoglobin. However, VvpE expression, on both the transcriptional and protein levels, was suppressed in iron-limited media. However, vvpE transcription, but not extracellular VvpE production, was reactivated by the addition of hemoglobin or inorganic iron into iron-limited media. Moreover, vvpE transcription began only in the late growth phase when V. vulnificus had already consumed most of the iron for growth. In addition, neither vvpE mutation nor in trans vvpE complementation affected the ability of V. vulnificus to acquire iron or to grow in iron-limited media or in cirrhotic ascites containing hemoglobin. Hemoglobin added into iron-limited media was not destroyed, but gradually formed an insoluble aggregate during culture; this aggregation of hemoglobin occurred regardless of vvpE mutation or complementation. These results indicate that VvpE is not required for efficient iron uptake from hemoglobin. On the contrary, hemoglobin or iron is required for efficient vvpE transcription. In addition, a discrepancy exists between vvpE transcription and extracellular VvpE production in iron-limited media containing inorganic iron or hemoglobin, which suggests that additional unknown posttranscriptional events may be involved in the extracellular production of VvpE.

• 한국진공학회지
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• 제10권1호
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• pp.112-118
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• 2001

본 논문에서는 축 방향으로 자화된 용량결합형 13.65 MHz/40 KHz RF 방전에서 Langmuir Probe, Emissive Probe를 통해 이온 전류 밀도, 전자 온도, 플라즈마 전위의 자장 의존성 및 자기 바이어스 전위를 조사하였다. 자장을 인가함으로서 실험변수 범위 내에서 최대 3배의 이온 전류밀도증가를 얻었고 점화가능한 기체 압력의 최저값을 줄일 수 있었다. 플라즈마가 자화된 경우 공간 전위는 평균적으로 감소하였고 RF 전압의 한주기 동안 시 변동폭이 크게 증가하였다. 플라즈마 전위의 자장 의존성은 Particle-in-Cell Simulation을 수행하여 실험 결과와 비교하였다. 대표적 실험 조건에서 전자 온도는 자장에 따라 약 4 eV에서 5 eV로 약간 증가하는 경향을 보였으나 방전 주파수를 40 KHz로 줄인 경우 1.8 eV에서 0.8 eV로 감소하였다. 실험 장치의 응용 예로서 플루오로 카본 가스에 의한 식각실험이 수행되었다. 자화 플라즈마의 산화막 식각속도 증가를 확인함으로서 축방향 자장이 실제 공정에 긍정정인 영향을 미침을 확인 할 수 있었다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제2권4호
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• pp.24-29
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• 2001

GaN films were grown for various Mg doping concentrations in metal-organic chemical vapor deposition. Below the Mg concentration of 10$^{19}$ ㎤, the thermally annealed sample shows the compensated phase to n-type GaN in Hall measurement. In the MB concentration of 4$\times$10$^{19}$ ㎤ corresponding to the hole carrier concentration of 2.6$\times$1$^{19}$ ㎤ there exists a photoluminescence center of the donor and the acceptor pair transition of the 3.28-eV band. This center is correlated with the defects for a shallow donor of the $V_{Ga}$ and for an acceptor of $Mg_{Ga}$ . The acceptor level shows the binding energy of 0.2-0.25 eV, which was observed by the photon energy of the photocurrent signal of 3.02-3.31 eV. Above the Mg concentration of 4$\times$10$^{19}$ ㎤, both the Mg doping level and Mg concentration were saturated and there Is a photoluminescence center of a deep donor and an acceptor pair transition of the 2.76-eV blue band.

• Corrosion Science and Technology
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• 제2권5호
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• pp.212-218
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• 2003

Electronic properties of passive films formed on Ti at film formation potentials $(E_f)V_{SCE}$ in pH 8.5 buffer solution and in an artificial seawater were examined through the photocurrent measurement and Mott-Schottky analysis. The passive films formed on Ti in pH 8.5 buffer solution exhibited a n-type semiconductor with a band gap energys $(E_g);E_g^{n=2}=3.4$ eV for nondirect electron transition, and $E_g^{n=0.5}=3.7$ eV for direct electron transition. These band gap values were almost same as those for the passive films formed in artificial seawater, indicating that chloride ion ($Cl^-$ in solution did not affect the electronic structure of the passive film on Ti. $E_g$ for passive films formed on Ti were found to be greater than those ($E_g^{n=0.5}=3.1$ eV, $E_g^{n=2}=3.4$) for a thermal oxide film formed on Ti in air at $400^{\circ}C$. The disorder energy of passive film, determined from the absorption tail of photocurrent spectrum, was much greater than that for the thermal oxide film farmed on Ti in air at $400^{\circ}C$. The greater $E_g$ and the higher disorder energy for the passive film compared with those for the thermal oxide fIlm suggest that the passive film on Ti exhibited more disorded structure than the thermal oxide film. The donor density (about $2.4{\times}10^{20}cm^{-3}$) for the passive film formed in artificial seawater was greater than that (about $20{\times}10^{20}cm^{-3}$) formed in pH 8.5 buffer solution, indicating that $Cl^-$ increased the donor density for the passive film on Ti.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제18권8호
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• pp.1914-1924
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• 2014

본 논문에서는 행의 개수가 열의 개수보다 작은 4행 ${\times}$ 8열의 셀 어레이를 갖는 eFuse OTP IP 설계에서 eFuse의 프로그램 전류를 공급하는 SL 구동 라인을 열 방향으로 라우팅 하는 대신 행 방향으로 라우팅 하므로 레이아웃 면적을 많이 차지하는 SL 구동회로 수를 8개에서 4개로 줄이는 셀 어레이 방식과 코어 회로를 제안하였다. 제안된 셀 어레이 방식과 코어 회로는 32비트 eFuse OTP IP의 레이아웃 면적을 줄였다. 그리고 큰 read 전류에 의해 blowing 되지 않은 eFuse가 EM 현상에 의해 blowing되는 현상을 방지하기 위하여 RWL 구동회로와 BL 풀-업 부하회로에 필요한 V2V($=2V{\pm}10%$) 레귤레이터를 설계하였다. 설계된 4행 ${\times}$ 8열의 32비트 eFuse OTP IP의 레이아웃 면적은 $120.1{\mu}m{\times}127.51{\mu}m$ ($=0.01531mm^2$)로 기존의 eFuse OTP IP의 면적인 $187.065{\mu}m{\times}94.525{\mu}m$ ($=0.01768mm^2$)보다 13.4% 더 작은 것을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제26권9호
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• pp.707-711
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• 2013

Carbon nanotubes(CNT) has strength and chemical stability, greatly conductivity characteristics. In particular, MWCNT (multi-walled carbon nanotubes) show rapidly resistance sensitive for changes in the ambient gas, and therefore they are ideal materials to gas sensor. So, we fabricated NOx gas sensors structured MOS-FET using MWCNT (multi-walled carbon nanotubes) material. We investigate the change resistance of NOx gas sensors based on MOS-FET with ultra lean NOx gas concentrations absorption. And NOx gas sensors show sensitivity on the change of gate-source voltage ($V_{gs}=0[V]$ or $V_{gs}=3.5[V]$). The gas sensors show the increase of sensitivity with increasing the temperature (largest value at $40^{\circ}C$). On the other hand, the sensitivity of sensors decreased with increasing of NOx gas concentration. In addition, We obtained the adsorption energy($U_a$), $U_a$ = 0.06714[eV] at the NOx gas concentration of 8[ppm], $U_a$ = 0.06769[eV] at 16[ppm], $U_a$ = 0.06847[eV] at 24[ppm] and $U_a$ = 0.06842[eV] at 32[ppm], of NOx gas molecules concentration on the MWCNT gas sensors surface with using the Arrhenius plots. As a result, the saturation phenomena is occurred by NOx gas injection of concentration for 32[ppm].