Pulsed-PECVD를 이용한 SiN 박막의 $SiH_4-NH_3$ 에서의 상온 증착: Duty rntio의 이온에너지와 굴절률에의 영향
(SiN film deposition using by a Pulsed-PECVD at room-temperature : Effect of Duty ratio on Ion energy and Refractive index)
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- 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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- 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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- pp.221-222
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- 2009