• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 ITC-CSCC -2
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• pp.1009-1012
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• 2000

In this paper, we have designed and fabricated power PHEMT’s with an unit gate width of 80$\mu\textrm{m}$ and 4 fingers, and MIMIC power amplifiers using the PHEMT’s as well. The PHEMT’s have a 0.2$\mu\textrm{m}$ gate length and source to drain spacing of 3$\mu\textrm{m}$. The characteristics of the fabricated PHEMT’s are 4.08dB of S$\sub$21/ gain at the 35GHz and 317mS/mm of gm, and 62GHz of f$\sub$T/ and 120GHz of f$\sub$max/. The designed and fabricated MIMIC’s power amplifiers with 6 PHEMT’s and MIN capacitors were fully passivated by 1000 Α of Si$_3$N$_4$ film for higher performance and surface protects. The chips were processed using the MINT processes, and size was 3.25 ${\times}$ 1.8$\textrm{mm}^2$. The fabricated MIMIC power amplifiers have RF characteristics such as 11.25dB of S$\sub$21/ gain, 11.37dB of input return-loss and 12.69dB of output return-loss at the 34.55GHz.

• 한국지반신소재학회논문집
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• 제21권1호
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• pp.11-21
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• 2022

본 연구에서는 개별진공압밀공법과 침투압밀공법의 단점을 보완하여 새로운 연약지반 개량공법인 개별진공 침투압밀공법을 개발하여 수치해석을 통해 지반 공학적 거동을 예측하였다. 개별진공 침투압밀공법을 적용할 경우, 대수층이 개량 대상층 중간 또는 하단에 위치하여 피압 대수층인 경우 침하 촉진 및 발생 침하량 증대 효과가 높았다. 대수층에서의 양수량은 일정 수준 이상 되면 침하 거동에 영향을 미치지 않는 것으로 나타났다. 성토체 내측이나 외측 등 다양한 위치에서 진공 양수정을 설치하여도 침하 및 수평 변위 차이는 미미하였다. 개별진공압밀과 병행하는 경우, 진공압이 적용되는 초기 침하는 진공압의 크기에 영향을 받았지만, 최종 침하량은 진공압의 영향이 미미한 것으로 예측되었다. 또한, 두 공법을 동시에 진행하는 것이 침하속도가 가장 빠르고, 내향 변위도 큰 것으로 예측하였다. 본 연구에서 개발한 공법은 매우 빠른 시점에 목표 침하량에 도달할 수 있으므로 연직배수재 배치 간격을 늘릴 수 있어 경제성을 확보할 수 있는 것으로 확인되었다.

• 전기전자학회논문지
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• 제27권4호
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• pp.644-649
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• 2023

DRAM(Dynamic Random Access Memory) 스케일링 과정에서 발생하는 셀간 거리의 감소에 따라 STI(Shallow Trench Isolation)두께 감소는 문턱이하 누설이 증가되는 패싱워드라인 효과를 유발한다. 인접한 패싱워드라인에 인가된 전압으로 인한 문턱이하누설 전류의 증가는 데이터 보존시간에 영향을 주며, 리프레시의 동작 횟수가 증가되어 DRAM의 소비 전력을 증가시키는 요인이 된다. 본 논문에서는 TCAD Simulation을 통해 패싱워드라인 효과에 대한 원인을 확인한다. 결과적으로, 패싱워드라인 효과가 발생하는 DRAM 동작상황을 확인하고, 이때 패싱워드라인 효과로 인해 전체 누설전류의 원인에 따른 비중이 달라지는 것을 확인하였다. 이를 통해, GIDL(Gate Induced Drain Leakage)에 의한 누설전류뿐만 아니라 문턱이하 누설전류를 고려의 필요성을 확인하며 이에 따른 DRAM 구조의 개선 방향의 지침이 될 수 있다.

• 한국작물학회지
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• 제62권2호
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• pp.134-142
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• 2017

Crop production in rice paddy fields is of great importance because of declining rice consumption and the low self-sufficiency ratio for field crops in Korea. A controlled drainage system (CDS) is recognized as an effective means to adjust water table (WT) levels as needed and control soil water content to improve the soil environment for optimum crop growth. The present study evaluated the effects of a CDS on soil characteristics, including soil water distribution and soybean development in paddy fields. The CDS was installed with two drain spacing (3 m and 6 m) at the experimental paddy field at the National Institute of Crop Science, Miryang, Korea. It was managed with two WT levels (0.3 m and 0.6 m) during the growing season. Soil water content, electrical conductivity and plant available nitrogen content in the soil were significantly greater in the 0.3 m WT management plots than in the 0.6 m plot and the control. At the vegetative stage, chlorophyll content was significantly lower with higher WT control because of excess soil moisture, but it recovered after the flowering stage. Soybean yield increased with WT management and the 0.6 m WT treatment produced the greatest grain yield, $3.38ton\;ha^{-1}$, which was 50% greater than that of the control. The CDS directly influenced outflow through the drains, which significantly delayed nutrient loss. The results of this study indicated that WT management by CDS can influence soil characteristics and it is an important practice for high yielding soybean production in paddy fields, which should be considered the crop growth stages for stable crop production.

• 농업과학연구
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• 제47권2호
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• pp.263-273
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• 2020

With the change of the agricultural environment (increased rice production, decreased rice consumption, and rice production policies), converting paddy fields into upland fields is an increasing trend. In terms of conversion into upland fields, subsurface drainage is one of the most important factors for good field crop growth. This study evaluates the performance of a subsurface drainage culvert system in paddy fields and reclaimed lands. The obtained results are briefly summarized as follows: 1) After a comparative evaluation of several subsurface drainage culvert systems, including excavated subsurface drainage and non-excavated subsurface drainage types, type 3 (non-excavated, perforated drain pipe 50 mm, filter mat B50 cm, subsoiling 70 cm and culvert spacing 5 m) shows relatively high values among four types in terms of effectiveness (subsurface discharge capability) and economic efficiency (construction cost). 2) Type 3 has proven that it is suitable for design standards of discharge capacity through field tests performed in paddy fields (three sites: Gong-geom, Gae-san, Juk-san) and reclaimed lands (two sites: Gum-ho, Mi-am). 3) In the experiment of Sesamum indicum growth according to the existence of a drainage system, Sesamum indicum growth with a subsurface drainage culvert system had good value in terms of plant shoot and root length, shoot fresh and dry weight, and root fresh and dry weight).

• 센서학회지
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• 제30권6호
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• pp.436-440
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• 2021

The impact of the gate length (L_g) on the DC and high-frequency characteristics of indium-rich In_0.8Ga_0.2As channel high-electron mobility transistors (HEMTs) on a 3-inch InP substrate was inverstigated. HEMTs with a source-to-drain spacing (L_SD) of 0.8 ㎛ with different values of L_g ranging from 1 ㎛ to 19 nm were fabricated, and their DC and RF responses were measured and analyzed in detail. In addition, a T-shaped gate with a gate stem height as high as 200 nm was utilized to minimize the parasitic gate capacitance during device fabrication. The threshold voltage (V_T) roll-off behavior against L_g was observed clearly, and the maximum transconductance (g_{m_max}) improved as L_g scaled down to 19 nm. In particular, the device with an L_g of 19 nm with an L_SD of 0.8 mm exhibited an excellent combination of DC and RF characteristics, such as a g_{m_max} of 2.5 mS/㎛, On resistance (R_ON) of 261 Ω·㎛, current-gain cutoff frequency (f_T) of 738 GHz, and maximum oscillation frequency (f_max) of 492 GHz. The results indicate that the reduction of L_g to 19 nm improves the DC and RF characteristics of InGaAs HEMTs, and a possible increase in the parasitic capacitance component, associated with T-shap, remains negligible in the device architecture.

• 한국토양비료학회지
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• 제35권2호
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• pp.93-104
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• 2002

인천 영종도와 영유도를 잇는 새로운 간척지에 건설되고 있는 인천국제공의 녹지 조경 식재 지반을 조성하는 데 필요한 기술적 지표와 효율적 관리 방안을 마련하기 위한 현지 연구가 1996년 6월부터 1998년 6월까지 24개월간 수행되었다. 인천국제공항 건설 부지 중 1995년 8월에 매립이 완료된 여객터미날 주차장 예정지에 8 ha의 시험포장을 조성하였다. 갯벌 지역에 대한 연구를 위하여 자생잔디 보호 구역 부근에 염생 식물 종자 채취 구역을 별도로 1.5ha 조성하였다. 조성된 $492{\times}190m^2$의 시험 포장에 암거 배수의 효과 및 적절한 배수 간격을 설정하기 위해 무암거배수구(A), 암거 간격 45m구(B), 암거간격 22.5m구(C)를 설치하였다. 배수 시설은 처리는 단반복으로 하였다. 토양 개량을 위한 식재 지반 처리는 준설 모래로 매립하여 지균작업을 하여 매립고를 맞춘 무처리를 두고, 산토 5-cm 복토구와 20-cm 복토구 처리, 화학비료 사용과 유기질비료의 시용, 인공 토양 조성구, 그리고 보습재의 처리 등을 조합하여 17개 처리를 하였다. 식재된 잔디는 5종으로 한국형 잔디로 들잔디, 영종도 자생 갯잔디, 도입 한지형 잔디로 한지형 혼파I(tall fescue 30%, kentucky blue grass 40%, perenial ryegrass 30%), 한지형 혼파II(tall fescue 40%, perenial ryegrass 20%, fine fescue 20%, alkaligrass 20%)이었다. 시험 포장의 토성은 모래로 염농도가 높았고, 유기물 함량과 비료 성분 함량이 낮아 비옥도가 낮은 토양이었다. 투수속도는 빠른 토양이었다. 암거 배수 후 제염은 빨랐다. 잔디 식재 후 암거 배수 처리간에는 토양의 투수속도가 매우 빠른 때문으로 잔디 생육도에 큰 차이를 보이지 않았다. 토양 개량 처리에 따른 잔디의 피복도와 생육도를 비교한 결과 들잔디 영양체 식재구가 가장 좋았고, 한국잔디도 양호하였다. 양종도 자생 갯잔디의 피복도와 생육도는 이들보다 떨어졌다. 도입 잔디 한지형 혼파는 한국잔디 영양체 식재구에 비하여 떨어졌는 데, 이는 여양체 증식과 파종의 차이로 판단된다. 산토 20cm 복토구와 5cm 복토구의 잔디 생육을 비교한 결과 한국잔디 생육은 20cm복토구에서 좋았으나, 화하비료 사용시 도입 잔디 혼파구에서는 큰 차이가 없었다. 토양 개량재 시용구와 화학비료 시용구간에 큰 생육의 차이가 없었다. 축분 유기질 비료의 사용구는 화학비료 사용구에 비하여 한국잔디 영양체 식재에는 효과가 있었으나, 도입잔디 혼파에는 차이가 없었다. 보슘재 처리는 무처리에 비해 효과가 있었고, 산토 복토 보다는 미흡하나, 큰 차이는 없어, 산토 부족시 대체 효과가 있었다. 이 연구의 결과 인천공항 착륙대 잔디 식재 지반 조성에는 준설토 특성 상 암거 배수는 불필요하며, 토양 개량에는 한국 잔디 영양체가 식재에 산토 5-cm를 복토하면 충분한 것으로 판단되었다. 이와 함께 축분 발효 퇴비와 복합비료 기비가 필요하며, 고밀도의 잔디가 요구되는 곳에서는 산토 20cm 복토가 바람직한 것으로 판단되었다.